NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR A42 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D072AJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：720×720µm 2 焊位尺寸：B 极 95×95µm 2；E 极 100×100µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装： MPSA42，HA42 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） Tstg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温…………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率…………………………………625mW VCBO——集电极—基极电压………………………………300V VCEO——集电极—发射极电压……………………………300V VEBO——发射极—基极电压…………………………………5V IC——集电极电流………………………………………500mA █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO ICES hFE VCE(sat) VBE(sat) fT 符 号 说 明 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 集电极—发射极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 特征频率 最小值 典型值 最大值 300 300 6 100 100 1 25 40 40 V V V nA nA µA 300 0.5 1.0 0.9 50 单位 V V V MHz 测 试 条 件 IC=100µA，IE=0 IC=1mA，IB=0 IE=100µA，IC=0 VCB=200V, IE=0 VEB=6V, IC=0 VCE=300V, VBE=0 VCE=10V, IC=1mA VCE=10V, IC=10mA VCE=10V, IC=30mA IC=20mA, IB=2mA IC=60mA, IB=6mA IC=20mA，IB=2mA VCE=20V, IC=10mA， f=100MHz