NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1959 █ NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR ＡＵＤＩＯ ＦＲＥＱＵＥＮＣＹ ＬＯＷ ＰＯＷＥＲ ＡＭＰＬＩＦＩＥＲ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ． ＤＲＩＶＥＲ ＳＴＡＧＥ ＡＭＰＬＩＦＩＥＲ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ．ＳＷＩＴＣＨＩＮＧ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ． █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92 T j ——Juncttion Temperature…………………………………150℃ PC——Collector Dissipation…………………………………500mW VCBO ——Collector-Base Voltage………………………………35V 1―Emitter，E 2―Collector，C 3―Base，B VCEO ——Collector-Emitter Voltage……………………………30V VE B O ——Emitter -Base Voltage………………………………5V IC——Collector Current………………………………………500mA I B—— Base C u r r e n t … … … … … … … … … … … … 100mA █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol Characteristics ICBO IEBO HFE Collector Cut-off Current VBE VCE(sat) fT Cob Base- Emitter Voltage Min Typ 0.1 0.1 400 Emitter Cut-off Current 70 25 DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage Transition frequency Collector Output capacitance Max 0.8 0.1 300 7 1 0.25 Unit Test Conditions μＡ μＡ Ｖ Ｖ ＭＨｚ ｐＦ VCB=35V, I E=0 VEB=5V, IC=0 VCE=1V, IC=100mA VCE=6V, IC=400mA VCE=1V, IC=100mA IC=100mA, IB=10mA VCE=6V, IC=20mA VCB=6V, IE=0, f=1MHZ █ hFE Classification ＨＦＥ（１） ＨＦＥ（２） Ｏ Ｙ ＧＲ 70—140 120—240 200—400 Ｏ Ｙ 25（Min） 40（Min） NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1959