NPN S I L I C O N T RA N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HB123D █ APPLICATIONS Power Amplifie █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-126ML Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation（TC=25℃）………………… 10W VCBO ——Collector-Base Voltage………………………… 500V VCEO ——Collector-Emitter Voltage……………………… 400V 1―Emitter，E 2―Collector，C 3―Base，B VEBO ——Emitter-Base Voltage……………………………… 8V IC——Collector Current…………………………………………1A █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol Characteristics Min Typ Max Unit Test Conditions BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage 500 V IC=1mA, IE=0 BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage 400 V IC=10mA, IB=0 BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage 8 V IE=1mA，IC=0 ICBO 10 Collector Cut-off Current HFE（1） DC Current Gain 10 HFE（2） DC Current Gain 10 VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage μA VCB=500V, IE=0 VCE=5V, IC=300mA 65 VCE=5V, IC=500mA 0.3 V IC=100mA, IB=10mA