N P N S I L I C O N T RAN S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD195 █ APPLICATIONS . .Medium Power Amplifie. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-126ML Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）…………………… 10W PC——Collector Dissipation（TA=25℃）…………………… 1.5W VCBO ——Collector-Base Voltage………………………… 50V 1―Emitter，E 2―Collector，C 3―Base，B VCES ——Collector-Emitter Voltage……………………… 40V VCEO ——Collector-Emitter Voltage……………………… 20V VEBO ——Emitter-Base Voltage……………………………… 8V ICP——Collector Current（Pulse）…………………………… 10A IC——Collector Current（DC）………………………………… 5A Ib——Base Current……………………………………………1A █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol Characteristics Min BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage 20 Typ Max Unit Test Conditions V IC=10mA, IB=0 ICBO Collector Cut-off Current 100 nA VCB=40V, IE=0 IEBO Emitter Cut-off Current 100 nA VEB=8V, IC=0 HFE（1） DC Current Gain 140 HFE（2） DC Current Gain 70 VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage VBE fT Cob VCE=2V, IC=0.5A 600 VCE=2V, IC=5A Base-Emitter Voltage 1 V IC=6A, IB=0.15A 1.5 V VCE=2V, IC=4A Current Gain-Bandwidth Product 100 MHz Output Capacitance 40 pF VCE=2V,IC=500mA VCB=10V, IE=0，f=1MHz Pulse Test：PW=10Ms（max）,Duty Cycle=30%（min） █ hFE Classification Y GR BL 140—240 200—400 300—600 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N P N S I L I C O N T RAN S I S T O R HBD195