N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HE13007 █ ＨＩＧＨ ＶＯＬＴＡＧＥ ＳＷＩＴＣＨ ＭＯＤＥ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮ █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-220AB T stg ——Storage Temperature………………………… －65~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation（T c=25℃）…………………… 80W VCBO ——Collector-Base Voltage…………………………… 700V VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 400V 1―Base，B VEBO ——Emitter-Base Voltage……………………………… 9V 2―Collector，C 3―Emitter, E IC——Collector Current（DC）……………………………… 8A IC——Collector Current（Pulse）…………………………… 16A IB——Base Current……………………………………………4A █ 电参数（Ta=25℃） Symbol Min Typ ４００ Ｖ ＩＣ＝１０ｍＡ，ＩＢ＝０ １ ｍＡ ＶＥＢ＝９Ｖ， ＩＣ＝０ HFE（1） DC Current Gain １０ ４０ ＶＣＥ＝５Ｖ， ＩＣ＝２Ａ HFE（2） ５ ３０ ＶＣＥ＝５Ｖ， ＩＣ＝５Ａ VCE(sat1) Collector- Emitter Saturation Voltage １ Ｖ ＩＣ＝２Ａ， ＩＢ＝０．４Ａ VCE(sat2) ２ Ｖ ＩＣ＝５Ａ， ＩＢ＝１Ａ VCE(sat3) ３ Ｖ ＩＣ＝８Ａ， ＩＢ＝２Ａ VBE(sat1) Base-Emitter Saturation Voltage １．２ Ｖ ＩＣ＝２Ａ， ＩＢ＝０．４Ａ VBE(sat2) １．６ Ｖ ＩＣ＝５Ａ， ＩＢ＝１Ａ Output Capacitance １１０ ｐＦ ＶＣＢ＝１０Ｖ，ｆ＝０．１ＭＨｚ Current Gain-Bandwidth Product ４ ＭＨｚ ＶＣＥ＝１０Ｖ， ＩＣ＝０．５Ａ BVCEO IEBO Cob fT Characteristics Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter Cut-off Current Max Unit Test Conditions tON Turn-On Time １．６ μＳ tSTG Storage ３ μＳ ＶＣＣ＝１２５Ｖ， ＩＣ＝５Ａ ０．７ μＳ ＩＢ１＝－ＩＢ２＝１Ａ tF Time Fall Time █ hFE Classification H1 10—16 H2 14—21 H3 H4 H5 19—26 24—31 29—40 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R HE13007 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R HE13007