N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13007 █ ＨＩＧＨ ＶＯＬＴＡＧＥ ＳＷＩＴＣＨ ＭＯＤＥ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮ █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-220 T stg ——Storage Temperature………………………… －55~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation（T c=25℃）…………………… 80W VCBO ——Collector-Base Voltage…………………………… 700V VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 400V 1―Base，B VEBO ——Emitter-Base Voltage……………………………… 9V 2―Collector，C 3―Emitter, E IC——Collector Current（DC）……………………………… 8A IC——Collector Current（Pulse）…………………………… 16A IB——Base Current……………………………………………4A █ 电参数（Ta=25℃） Symbol Characteristics Min Typ Max Unit Test Conditions BVCEO Collector-Emitter Sustaining Voltage ４００ Ｖ IC=10mA, IB=0 IEBO Emitter-Base Cutoff Current １ ｍＡ VEB=9V, IC=0 HFE（1） DC Current Gain １０ ４０ VCE=5V, IC=2A HFE（2） ５ ３０ VCE=5V, IC=5A VCE(sat1) Collector- Emitter Saturation Voltage １ Ｖ IC=2A, IB =400mA VCE(sat2) ２ Ｖ IC=5A, IB =1A VCE(sat3) ３ Ｖ IC=8A, IB =2A １．２ Ｖ IC=2A, IB =0.4A １．６ Ｖ IC=5A, IB =1A VCB=10V, f=0.1MHz z VBE(sat1) Base- Emitter Saturation Voltage VBE(sat2) Cob Output Capacitance １１０ ｐＦ fT Current Gain-Bandwidth Product ４ tON tSTG Turn On time Storage Time １．６ ３ ｕＳ ｕＳ tF Fall Time ０．７ ｕＳ VCE=10V, IC=500mA Vcc=125V,Ic=5A IB1=IB2=1A █ hFE Classification H1 10—16 H2 14—21 H3 H4 H5 19—26 24—31 29—40