广东肇庆风华新谷微电子有限公司 广东省肇庆市风华路 18 号风华电子工业城三号楼一楼 TEL:0758-2865088 2865091 FAX:0758-2849749 Low Frequency Power Amplifier Transistors 低频功率放大三极管 NPN Silicon (FHT8050) FEATURES 特点 · Low Frequency Power Amplifier 低频功率放大 · Suitable for Driver Stage of Small Motor 小马达驱动 · Complementary to FHTA8550 与 FHTA8550 互补 MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大额定值 CHARACTERISTIC 特性参数 Collector-Base Voltage 集电极-基极电压 Collector-Emitter Voltage 集电极-发射极电压 Symbol 符号 V CBO V CEO Rating 额定值 40 25 Unit 单位 Vdc Vdc Emitter-Base Voltage 发射极-基极电压 V EBO 5.0 Vdc Collector Current—Continuous 集电极电流-连续 Base Current 基极电流 Ic IB 800 160 mAdc mAdc Collector Power Dissipation 集电极耗散功率 PC 300 mW Junction Temperature 结温 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 储存温度 Tstg -55～150 ℃ DEVICE MARKING 打标 hFE(1) FHT8050O=7O(85～200),FHT8050Y=7Y(160～300),FHT8050G=7G(280~360) ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃) Symbol 符号 ICBO Test Condition 测试条件 VCB=30V,IE=0 IEBO VEB=5V,IC=0 — — 0.1 μA V(BR)CBO IC=100μA 40 — — V V(BR)CEO IC=10mA 25 — — V V(BR)EBO IE=100μA 5 — — V hFE (1) hFE (2) VCE=1V,IC=100mA VCE=1V,IC=800mA 85 40 — — 360 — — IC=500mA,IB=50mA — — 0.6 V VBE VCE=1V,IC=10mA — 0.8 1.0 V Transition Frequency 特征频率 fT VCE=5V,IC=10mA 100 120 — MHz Collector Output Capacitance 输出电容 Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz — 13 30 pF Characteristic 特性参数 Collector Cutoff Current 集电极截止电流 Emitter Cutoff Current 发射极截止电流 Collector-Base Breakdown Voltage 集电极-基极击穿电压 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极-发射极击穿电压 Emitter-Base Breakdown Voltage 发射极-基极击穿电压 DC Current Gain 直流电流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极-发射极饱和压降 Base-Emitter Voltage 基极-发射极电压 V CE(sat) Min TYP Max Unit 最小值 典型 最大值 单位 — — 0.1 μA Page 0 of 3 *2005 年第 2 版* All Rights Reserved 广东肇庆风华新谷微电子有限公司 广东省肇庆市风华路 18 号风华电子工业城三号楼一楼 TEL:0758-2865088 2865091 FAX:0758-2849749 SOT-23 封装外形尺寸（SOT-23 DIMENSION） Page 1 of 3 *2005 年第 2 版* All Rights Reserved