Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modu Phase Control Thyristor Module TT 240 N 28...36 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages VDRM, VRRM 2800, 3000 3200, 3400 3600 V V V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = - 40°C...Tvj max VDSM 2800, 3000 3200, 3400 3600 V V V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 2900, 3100 3300, 3500 3700 V V V ITRMSM 700 A ITAVM 240 445 A A ITSM 6100 5500 A A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85°C Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25°C, t p = 10ms Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, t p = 10ms Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 V DRM TC = 19°C Tvj = Tvj max, tp = 10ms I²t Tvj = Tvj max, tp = 10ms 186000 151000 (diT/dt)cr A²s A²s 100 A/µs 500 1000 V/µs V/µs 3,43 V f = 50Hz, iGM = 1A, di G/dt = 1A/µs (dvD/dt)cr 6. Kennbuchstabe / 6th letter C 6. Kennbuchstabe / 6th letter F Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max, iT = 1200A vT Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) 1,17 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT 1,70 mΩ Zündstrom gate trigger current Tvj = 25°C, vD = 6V IGT max. 250 mA Zündspannung gate trigger voltage Tvj = 25°C, vD = 6V VGT max. 1,5 V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 6V IGD max. max. 10 5 mA mA Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,5 V DRM VGD max. 0,2 V Haltestrom holding current Tvj = 25°C, vD = 6V, R A = 5Ω IH max. 300 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, vD = 6V, R GK ≥ 10Ω IL max. 1500 mA Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Tvj = Tvj max iD, iR max. mA MOD-MA; R. Jörke Tvj = Tvj max, vD = 0,5 V DRM max. iGM = 1A, di G/dt = 1A/µs, t G = 20µs 250 vD = VDRM, vR = VRRM 17. Feb 98 A 105/98 Seite/page 1(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 240 N 28...36 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, i TM = 400A tgd max. 4,5 µs typ. 350 µs Tvj = 25°C, i GM = 1A, di G/dt = 1A/µs tq vRM = 100V, VDM = 0,67 V DRM dvD/dt = 20V/µs, -di T /dt = 10A/µs 5. Kennbuchstabe / 5th letter O Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL 3,0 kV 3,6 kV RMS, f = 50Hz, t = 1sec Thermische Eigenschaften / Thermal properties pro Modul / per module, Θ = 180°sin Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case RthJC max. max. max. max. RthCK max. max. pro Zweig / per arm, Θ = 180°sin pro Modul / per module, DC pro Zweig / per arm, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module pro Zweig / per arm 0,0390 0,0780 0,0373 0,0745 °C/W °C/W °C/W °C/W 0,010 °C/W 0,020 °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+130 °C 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate Innere Isolation internal insulation AlN Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Toleranz / tolernance ±15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / tolernance +5% / -10% M2 12 Nm Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance typ. 1500 g 19 mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s² Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. MOD-MA; R. Jörke 17. Feb 98 Seite/page 2(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modu Phase Control Thyristor Module MOD-MA; R. Jörke TT 240 N 28...36 17. Feb 98 N Seite/page 3(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modu Phase Control Thyristor Module TT 240 N 28...36 N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n 1 R thn [° C / W] 0,00194 τn [s] 2 3 4 5 0,00584 0,01465 0,0254 0,0267 0,108 0,57 3,00 0,000732 0,00824 Analytische Funktion: MOD-MA; R. Jörke Z thJC = 6 7 t − R thn 1 − e τn n= 1 nmax ∑ 17. Feb 98 Seite/page 4(4)