PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 2SB772 HS772 █ 主要用途 █ 外形尺寸及引脚排列 音频放大、开关功率放大 █ 极限值（Ta=25℃） TO-126 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ T j ——结温…………………………………………… 150℃ P C ——集电极功率耗散（T c =25℃）…………………… 10W PC——集电极功率耗散（TA=25℃）…………………………1W 1―发射极，E 2―集电极，C 3―基 极，B VCBO ——集电极—基极电压………………………………-40V VCEO——集电极—发射极电压………………………………-30V VEBO——发射极—基极电压…………………………………-5V IC——集电极电流……………………………………………-3A IB——基极电流………………………………………………0.6A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 ICBO 集电极—基极截止电流 -1 μA VCB=-30V, IE=0 IEBO 发射极—基极截止电流 -1 μA VEB=-5V, IC=0 hFE 直流电流增益 60 件 VCE=-2V, IC=-1A 400 VCE（sat） 集电极—发射极饱和压降 -0.3 -0.5 V IC=-2A, IB=-0.2A VBE（sat） 基极—发射极饱和压降 -1.0 -2.0 V IC=-2A, IB=-0.2A Cob 共基极输出电容 55 pF VCB=-10V，IE=0，f=1MHz fT 特征频率 80 MHz VCE=-5V，IE=-0.1A █ 分档及其标志 R Q P E 60—120 100—200 160—320 200—400