BLPN64 PIN 结 Si 光电二极管 描述 工作在低频区域的 Si 光电二极管，可探测波长处于峰值波长附近的光信号。 应用 • 遥控电路 • 光纤通信 结构 平面结构 NIP 型二极管 阴极：顶部 AlSi 阳极：底部 Au 外形图和尺寸 芯片尺寸：1.53 mm × 1.53 mm 芯片厚度：0.400± 0.018mm 压点尺寸：Φ100µm Cathode 纵向结构 Cathode 芯片结构：平面 NIP 型结构 N 顶部电极（阴极）：AlSi I 底部电极（阳极）：Au P Anode http://www.belling.com.cn -1Total 2 Pages 8/18/2006 BLPN64 电学和光学参数 (Ta=25° (Ta=25°) 参数 符号 测试条件 暗电流 ID VR=10V E=0mW/cm2 Reverse dark current 反向击穿电压 2 Reverse breakdown VBR IR=100µA, H=0mV/cm voltage 正向电压 Forward voltage 单位 2 nA 10 35 VOC IF=10mA 光电流 Reverse light current 总电容 Total capacitance 最小值 典型值 最大值 IL VR=5V E=5mW/cm2 CT VR=5V E=0mW/cm2 f=1MHz V 0.5 － 12 14 µA 7 pF 1.3 V 典型曲线 • 光谱响应 PHOTO SENSITIVITY (A/W) 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 WAVE LENGTH (nm) http://www.belling.com.cn -2Total 2 Pages 8/18/2006