BLV2N60 Datasheet BLV2N60 产品说明书（ 产品说明书（临时） 临时） 产品介绍 概述(OUTLINE)： 特点 FEATURES)： BLV2N60 是上海贝岭采用目前先进的 • 2.4A, 600V, RDS(ON)=4.4 Ω @ 工艺和设计技术, 自行开发的 600V VGS=10V 2.4A N 沟 VDMOS, 适合于各类高效 • 抗雪崩冲击能力强 开关电源. • 高速开关 • 驱动简单 主要用途(APPLICATIONS)： 引脚排列（PIN CONFIGURATION） 管脚号 符号 名称 1 G 栅 2 D 漏 3 S 源 各类开关电源等 极限参数(ABSOLUTE MAXIMUM RATING) TC=25C： 符号 参数 VDSS VGSS ID IDM Eas 极限值 单位 漏源电压 600 V 栅源电压 + 30 V 漏电流 2.4 A 9.6 140 -55 to +150 64 A mJ 脉冲漏电流 (Note 1) 雪崩击穿能量 (Note2) Tj, TSDG 结温度和存储温度 PD Power Dissipation for Dual Operation o C W 热特性 Rth j-c Rth j-a Thermal Resistance, Junction to Case Max. Thermal Resistance, Junction to Ambient Max. http://www.belling.com.cn -1Total 2 Pages 2.0 K/W 62.5 K/W 8/24/2006 Wrote by 1900 BLV2N60 Datasheet 电参数（ELECTRICAL CHARACTERISTICS）： 电学特性 TA=25oC 符号 参数 关态 测试条件 BVDSS 源漏击穿电压 ∆BVDSS 源漏击穿电压温度系数 /∆TJ 零栅压时的漏极电流 栅和衬底之间的反向漏电 流 IDSS I GSS 最小 典型 最大 单位 600 VGS=0V,ID=250u A ID=250uA, Reference to 25 oC 0.4 VDS=600V,VGS=0V VDS=480V,Tc=125o C V 10 100 uA uA VGS=+/-20V,VDS=0V +/100 nA V/oC 开态 V GS(th) 阈值电压 VDS=VGS,ID=250uA 2 4 V R DS(ON) 导通电阻 (note3) VGS=10V,ID=1.2A - 4.4 Ω 跨导 (note3) Gfs VDS=50V, ID=1.2A 动态特性 Ciss 输入电容 Coss 输出电容 Crss 反馈电容 开关特性 t on 开启时间 上升时间 tr t off 关闭时间 下降时间 tf Qg 栅电荷 Qgs 栅源电荷 Qgd 栅漏电荷 2.5* S VDS=25V，VGS=0V f = 1MHz 360 36 8 pF pF pF VDD=300V, ID=2.4A RG=25Ω, note3 12* 21* ns ns 30* 24* ns ns 13* 2* 5* nC nC nC VDD=480V, ID=2.4A Vgs=10V, note3 Note： (1) Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature (2) Eas 测试条件：L=45mH, Ias=2.4A，Vdd=50V，Rg=25Ω，staring Tj=25C (3) Pulse width ≤ 300 us; duty cycle ≤ 2% (4) *表示为计算值,待进一步测试 http://www.belling.com.cn -2Total 2 Pages 8/24/2006 Wrote by 1900