BLVP304 P 沟纵向 MOSFET 描述: 描述: P 沟增强型 VDMOS，高速开关，无二次击穿 产品应用： 电话机电路 继电器电路 驱动电路等 工作条件 (T=25℃ (T=25℃) 符号 参数 极限值 单位 VDSS 漏源电压 -300 V VGSS 栅源电压 + 20 V ID 漏电流 -170 mA PD Power Dissipation for Dual Operation Tj, TSDG 结温度和存储温度 1 W o -55 to +150 C 热特性 Rth j-a Thermal Resistance, Junction to Ambient 125 K/W o 电学特性(T 电学特性(TA=25 C) 符号 BV DSS I DSS I GSS VGS (th ) R DS (on ) 参数 源漏击穿电压 零栅压时的漏极电流 栅和衬底之间的漏电流 阈值电压 导通电阻 http://www.belling.com.cn 测试条件 VGS = 0V , I D = −10uA VDS = −240V , VGS = 0V VGS = ±20V , VDS = 0V VDS = VGS , I D = −1mA VGS = −10V , I D = −170mA -1Total 2 Pages 最小 典型 最大 单位 -300 - - V - - -100 nA - - +100 nA -1.7 - -2.55 V - - 18 Ω 8/18/2006 BLVP304 交流特性 Ciss 输入电容 Coss 输出电容 Crss 反馈电容 VDS=-25V，VGS=0V F= 1MHz - 60 90 pF 15 30 pF 5 15 pF VDD=-50V, ID=-250mA VGS=0 to -10V - 5 10 nS 15 30 ns 开关特性 ton Turn-On 时间 toff Turn-Off 时间 http://www.belling.com.cn -2Total 2 Pages 8/18/2006