KYW25A05 ... KYW25A6, KYW25K05 ... KYW25K6 KYW25A05 ... KYW25A6, KYW25K05 ... KYW25K6 Silicon-Press-Fit-Diodes – High Temperature Diodes Silizium-Einpress-Dioden – Hochtemperatur-Dioden Version 2006-04-20 Nominal Current Nennstrom ±0.5 ±0.5 4 1.3 25 max. Ø 16 1.5 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50 ... 600 V Metal press-fit case with glass seal Metall-Einpressgehäuse mit Glas-Durchführung Weight approx. Gewicht ca. 10 g Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert 6.6 ±0.5 25 A Ø 12.77±0.04 Dimensions - Maße [mm] Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton Maximum ratings Grenzwerte Type / Typ Wire to / Draht an Repetive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Anode Cathode KYW25A05 KYW25K05 50 60 KYW25A1 KYW25K1 100 120 KYW25A2 KYW25K2 200 240 KYW25A3 KYW25K3 300 360 KYW25A4 KYW25K4 400 480 KYW25A6 KYW25K6 600 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 25 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 90 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 270/300 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 375 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Max. case temperature TC = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 KYW25A05 ... KYW25A6, KYW25K05 ... KYW25K6 Characteristics Kennwerte Forward Voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 25 A VF < 1.1 V Leakage Current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 100 µA RthC < 1 K/W Thermal Resistance Junction – Case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse 120 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 10-1 0 0 TC 100 50 150 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 270a-(25a-1,1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.4 1.2 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 3 10 [A] 2 10 îF 10 1 © Diotec Semiconductor AG 2 3 10 10 [n] 10 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz http://www.diotec.com/ 2