MR820 ... MR828 MR820 ... MR828 Fast Silicon-Rectifiers Schnelle Silizium-Gleichrichter Version 2006-04-26 Nominal Current Nennstrom ±0.1 7,5 ±0.1 62.5 ±0.5 Ø8 Type Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] 5A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style Weight approx. Gewicht ca. 1.3 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] MR820 50 50 MR821 100 100 MR822 200 200 MR824 400 400 MR826 600 600 MR828 800 800 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 5 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 60 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 300/330 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Tj TS 450 A2s -50...+150°C -50...+175°C Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MR820 ... MR828 Characteristics Kennwerte Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A VF < 1.2 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 25 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 300 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 16 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 5 K/W 120 103 [%] [A] 100 102 80 Tj = 125°C 10 60 40 Tj = 25°C 1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 1 2 300a-(5a-1.2v) -1 10 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG