US3A ... US3M US3A ... US3M Ultrafast Switching Surface Mount Si-Diodes Ultraschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-19 Nominal current Nennstrom ±0.2 2.2 2.1 ±0.2 ±0.1 7.9 0.15 5.8 Type Typ 7.5 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse 3 ±0.2 1.2 3A ±0.2 Dimensions - Maße [mm] ~ SMC ~ DO-214AB Weight approx. – Gewicht ca. 0.21 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] US3A 50 50 US3B 100 100 US3D 200 200 US3G 400 400 US3J 600 600 US3K 800 800 US3M 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 15 A 1) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 100 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 50 A2s Tj -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 TS 3A Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 US3A ... US3M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] US3A...US3D < 50 < 1.0 3 US3G < 50 < 1.25 3 US3J...US3M < 75 < 1.7 3 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IR IR < 10 µA < 300 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 40 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthL < 10 K/W 10 120 [%] [A] 100 US3A...D 1 US3G 80 US3J...M 0.1 60 40 10-2 20 IF IFAV 0 10-3 0 TT 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 2 Tj = 25°C VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG