Crystal oscillator 小型SOJ高周波水晶発振器 SG-636シリーズ ●C-MOS IC使用による低消費電力 ●小型SMDパッケージにより、高密度実装 が可能 ●耐熱型シリンダAT水晶振動子内蔵で一般 SMD ICと同等のハンダ付け方法が可能 ●アウトプットイネーブル機能、スタンバイ 機能付き 原 寸 大 ■仕 様（特性） 項 目 記 号 出力周波数範囲 fO 電源電圧 温度範囲 最大供給電圧 動 作 電 圧 保 存 温 度 動 作 温 度 ハンダ付け条件 周波数安定度 消 費 電 流 ディセーブル時電流 仕 様 SG-636PTF SG-636PTJ 2.21675MHz ∼41.0000MHz C：±100ppm 35mA max. 28mA max. 20mA max. 17mA max. 10mA max. ィ tW / t 40％∼60％ “H”レベル出力電圧 VOH VDD−0.4V min. “L”レベル出力電圧 出力負荷条件（T T L ） VOL N 10TTL max. CL 50pF max. ュ ー テ 2.21675MHz 41.0001MHz∼70.0000MHz ∼41.0000MHz VDD-GND ー0.5V∼＋7.0V ー0.3V∼＋7.0V ー0.5V∼＋7.0V VDD 5.0V±0.5V 3.3V±0.3V TSTG ー55℃∼＋100℃ TOPR ー20℃∼＋70℃ 。 260 C以下×10秒以内×２回 TSOL f / fO lop lOE デ 条 件 SG-636PH SG-636SCE/PCE 出力負荷条件（C -MOS） 40％∼60％ ー 45％∼55％ 9mA max. 5mA max. 無負荷 OE＝GND ST＝GND,2μA max.(SCE) 45％∼55％ C-MOS負荷：１/２VDD レベル TTL負荷： 1.4Vレベル IOH＝−８mA（PTF）/−400μA（PTJ）/−４mA（PH/SCE/PCE） ー VDD−0.4V min. 2.4V min. 0.4V max. ー ５TTL max. ５LSTTL max. 20pF max.（≦55MHz） 15pF max. 30pF max. 15pF max.（＞55MHz） 3.5V min. 2.0V min. 0.8VDD min. “H”レベル入力電圧 VIH 2.0V min. “L”レベル入力電圧 VIL 出力上昇時間 tTLH 0.8V max. 1.5V max. ７ns max. ー ５ns max. 出力下降時間 tTHL ７ns max. ー ５ns max. 4ms max. 0.8V max. 0.2VDD max. ５ns max. ー ５ns max. ー IOL＝16mA（PTF）/８mA（PTJ）/４mA（PH/SCE/PCE） CL≦15PF OE端子, ST端子（SCE） C-MOS負荷：20％→80％VDDレベル TTL負荷：0.4V→2.4Vレベル C-MOS負荷：80％→20％VDDレベル TTL負荷：2.4V→0.4Vレベル 最低動作電圧時tを０とする 発振開始時間 tOSC 経 時 変 化 fa ±５ppm / 年 max. Ta＝25℃， 初年度 耐 衝 撃 性 S.R. ±20ppm max. 硬木上75cm×３回または3000G ×0.3ms.×１/２Sine Wave×３方向 10ms max. 4ms max. モールド部より内蔵の金属ケースの一部が見える場合があります。 ■外形寸法図 （単位：mm） ■推奨ハンダ付けパターン図 10.5max. 18.4320C ST OE ２ GND GND ３ OUT OUT ４ VDD VDD 2.5 E ＃3 １ 5.0 ＃4 信 号 名 SG-636SCE SG-636P＊＊ 2.1 端子番号 （単位：mm） PTF9352A ＃2 2.1 2.7 max. 5.8max. 0.05 min. ＃1 0.5 5.08 33 （1.0） 3.6 （1.0） 1.3 3.8 1.3