Crystal oscillator SOJ高周波水晶発振器 SG-645シリーズ 製品型番（１ページを参照） Q33645xxxxxxx00 高密度実装可能なSMDタイプ 動作電圧は3.3 Vと5.0 Vを用意 ● 周波数範囲は、2.5 MHzから135 MHz ● アウトプットイネーブル機能（OE） または スタンバイ機能 （ST） により消費電力の低減可能 ● ● 原 寸 大 ■仕 様（特性） 仕 様 項 目 記 号 出力周波数範囲 fO 2.5000 MHz∼33.0000 MHz 電源電圧 最大供給電圧 動 作 電 圧 VDD-GND VDD -0.5 V∼+7.0 V 温度範囲 保 存 温 度 動 作 温 度 周波数安定度 TSTG TOPR f / fO 消 費 電 流 lOP ディセーブル時電流 スタンバイ時電流 lOE lST デ ュ ー テ ィ SG-645PHG “H”レベル出力電圧 VOH “L”レベル出力電圧 VOL ー 40 %∼60 % 2.4 V Min. – – 0.4 V Max. VIH VIL “L”レベル入力電圧 出力上昇時間 tTLH 出力下降時間 tTHL 発振開始時間 経 時 変 化 tOSC fa 耐 衝 撃 性 S.R. 条 件 P.31製品別周波数帯を参照してください 2.7 V∼3.6 V 単品での保存 -40 ˚C∼+85 ˚C Ｂ: ±50 × 10-6 Ｃ: ±100 × 10-6 M: ±100 × 10-6 25 mA Max. 12 mA Max. 10 mA Max. 50 µA Max. 45 %∼55 % ー – VDD-0.4 V Min. – VDD-0.4 V Min. 0.4 V Max. – 25 pF CL “H”レベル入力電圧 SG-645PCG/SCG 4.5 V∼5.5 V -55 ˚C∼+125 ˚C 20 mA Max. ー tW / t 出力負荷条件（ CMOS） SG-645PTG P.31製品別周波数帯を参照してください B,C:-20 ˚C∼+70 ˚C, M:-40 ˚C∼+85 ˚C 無負荷時 OE=GND(P＊G) ST=GND(SCG) 50 % VDD, CL=25 pF 1.4 Vレベル, CL=25 pF I OH=-8 mA I OH=-16 mA I OL=8 mA I OL=16 mA 70 % VDD Min. 20 % VDD Max. 2.0 V Min. 0.8 V Max. 3.4 ns Max. ー 1.2 ns Max. ー 2.4 ns Max. ー 3.4 ns Max. ー 1.2 ns Max. ー 2.4 ns Max. ー 12 ms Max. ±5 × 10-6 / 年 Max. 4 ns Max. ー ー 4 ns Max. ー ー OE, ST 20 %∼80 % VDD, CL≦25 pF 0.8 V∼2.0 V, CL≦25 pF 0.4 V∼2.4 V, CL≦25 pF 80 %∼20 % VDD, CL≦25 pF 2.0 V∼0.8 V, CL≦25 pF 2.4 V∼0.4 V, CL≦25 pF 最小値動作電圧のtを０とする Ta=+25 ℃, VDD=5.0 V / 3.3 V, 初年度 硬木上750 mm × 3回または 29400 m/s2 × 0.3 ms × 1/2 Sine Wave × 3方向 -6 ±20 × 10 Max. ■標準周波数（MHz） 2.5 3.6864 5.0 2.8125 3.6873625 5.625 3.072 3.75 6.144 3.125 3.84 6.25 3.375 4.0 6.75 3.579545 4.096 7.15909 7.3728 7.374725 7.5 7.68 8.0 8.192 10.0 14.7456 11.25 14.74945 12.288 15.0 12.5 15.36 13.5 16.0 14.31818 16.384 ■外形寸法図 20.0 22.5 24.576 25.0 27.0 28.63636 29.4912 29.4989 30.0 30.72 32.0 32.768 （単位：mm）■推奨はんだ付けパターン図 （単位：mm） 7.1±0.2 #4 #3 NO. ピン端子 1.8 1 OE or ST #2 0.4 5.08 2.0 4.6±0.2 GND 3 OUT 4 VDD 5.1±0.2 4.2 #1 2 1.5 Max. E 135.00C PCW 0245A 0 Min. 0.15 (0.75) 3.8 (0.75) ■端子説明 OE端子（PT,PH,PC,PTW,PHW,PCW） OE端子=“H”or“Open” ：OUT端子に所定の周波数を出力 OE端子=“L” ：出力停止、 OUT端子は、 ハイインピーダンス ST端子（ST,SH,SC,STW,SHW,SCW） ST端子=“H”or“Open” ：OUT端子に所定の周波数を出力 ST端子=“L” ：発振停止、 OUT端子は、 ウィークプルダウン ※モールド部より内蔵の金属ケースの一部が見える場合がありますが、特性に影響はありません。 39 5.08 Crystal oscillator ■仕 様（特性） 項 目 記 号 出力周波数範囲 fO 電源電圧 温度範囲 最大供給電圧 動 作 電 圧 保 存 温 度 動 作 温 度 消 費 電 流 lOP ディセーブル時電流 スタンバイ時電流 40 %∼60 % 45 %∼55 % ー -40 ˚C∼+85 ˚C 45 mA Max. 30 mA Max. 28 mA Max. “L”レベル出力電圧 VOL 0.4 V “L”レベル入力電圧 VIH VIL 出力上昇時間 tTLH 出力下降時間 tTHL 発振開始時間 経 時 変 化 tOSC fa 耐 衝 撃 性 S.R. -20 ˚C∼+70 ˚C 16 mA Max. 50 µA Max. 40 %∼60 % 45 %∼55 % VDD - 0.4 V “H”レベル入力電圧 ー ー ー ー 40 %∼60 % VDD - 0.4 V 15 pF 5 TTL+15 pF 25 pF ー ー ー 0.4 V ー ー ー ー ー ー ー 15 pF 25 pF 50 pF ー ー ー ー 15 pF ー ー 2.0 ns 4.0 ns ー ー 2.0 ns 4.0 ns 単品での保存 Ｍ：±100 × 10-6 VOH CL 3.0 V∼3.6 V – “H”レベル出力電圧 出力負荷条件（ CMOS） P.31製品別周波数帯を参照してください P.31製品別周波数帯を参照してください Ｂ：±50 × 10-6 Ｃ：±100 × 10-6 lOE lST tW / t 条 件 -40 ˚C∼+85 ˚C -20 ˚C∼+70 ˚C ー デ ュ ー テ ィ SG-645 PCW/SCW -0.5 V∼+7.0 V 4.5 V∼5.5 V -55 ˚C∼+125 ˚C TSTG TOPR f / fO SG-645 PHW/SHW 32.0001 MHz∼135.0000 MHz VDD-GND VDD 周波数安定度 仕 様 SG-645 PTW/STW 2.0 V Max. 0.8 V Max. 4.0 ns 3.0 ns ー ー 4.0 ns 3.0 ns ー ー 10 ms Max. ±5 × 10-6 / 年 Max. ±20 × 10-6 Max. 70 % VDD 20 % VDD 3.0 ns ー ー ー 3.0 ns ー ー ー 無負荷 (f0=135 MHz) OE=GND(P＊W), f0=135 MHz ST=GND(S＊W) 50 % VDD, CL=Max. 50 % VDD, CL=25 pF (f0≦66.6667 MHz) 1.4 V, CL=Max. 1.4 V, 5TTL+15 pF (f0≦66.6667 MHz) 50 % VDD, CL=15 pF lOH=-16 mA (＊TW / ＊HW) lOH=-8 mA (＊CW) lOH=16 mA (＊TW / ＊HW) lOH=8 mA (＊CW) (f0≦135 MHz) (f0≦90 MHz) (f0≦66.6667 MHz) (f0≦135 MHz) (f0≦90 MHz) (f0≦50 MHz) (f0≦135 MHz) OE or ST 20 %→80 % VDD CL=Max. 20 %→80 % VDD CL≦25 pF 0.8 V→2.0 V CL=Max. 0.4 V→2.4 V CL=Max. 80 %→20 % VDD CL=Max. 80 %→20 % VDD CL≦25 pF 2.0 V→0.8 V CL=Max. 2.4 V→0.4 V CL=Max. Ta=+25 ℃, VDD=5.0 V / 3.3 V, 初年度 硬木上750 mm × 3回または 29400 m/s2 × 0.3 ms × 1/2 Sine Wave × 3方向 40