EPSONTOYOCOM SG

Crystal oscillator
高周波水晶発振器
シリーズ
製品型番（１ページを参照）
1.5 mm厚の薄型セラミックパッケージ
高密度実装で優れた耐環境特性
● CMOS ICによる低消費電流
● アウトプットイネーブル機能（OE）、スタンバイ機能
（ST）
に
よる低消費電流対応が可能
●
●
原 寸 大
■仕 様（特性）
仕 様
項 目
記 号
出力周波数範囲
f0
最大供給電圧
動 作 電 圧
保 存 温 度
温度範囲
動 作 温 度
周波数安定度
VDD-GND
VDD
TSTG
TOPR
△f / f0
消 費 電 流
lOP
電源電圧
SG-710PTK
SG-710PHK
∼
∼
条 件
SG-710ECK
P.31製品別周波数帯を参照してください
∼
∼
：
×
∼
∼
（
、 ：
×
∼
、 ：
単品での保存
P.31製品別周波数帯を参照してください
B,C:-10 ∼+70
-40 ∼+85
F0 ≦ 25 MHz, 無負荷（ECK：F0 ≦ 32 MHz, 無負荷）
F0 ≦ 50 MHz, 無負荷
F0 ≦ 67 MHz, 無負荷
F0 ≦ 80 MHz, 無負荷
F0 ≦ 25 MHz, OE=GND (PTK,PHK)
F0 ≦ 50 MHz, OE=GND (PTK,PHK)
F0 ≦ 67 MHz, OE=GND (PTK,PHK)
F0 ≦ 80 MHz, OE=GND (PTK,PHK)
）
×
ー
ー
ー
ー
ー
ー
ー
ディセーブル時電流
lOE
スタンバイ時電流
lST
ー
ー
デ ュー テ ィ
tW / t
ー
∼
∼
∼
“H”レベル出力電圧
VOH
×
負荷：
（
）
“L”レベル出力電圧
出力負荷条件（T T L ）
出力負荷条件（CMOS）
VOL
N
×
（
）
ー
ー
（
“H”レベル入力電圧
×
“L”レベル入力電圧
VIL
×
出力上昇時間
tTLH
出力下降時間
tTHL
発振開始時間
tOSC
経 時 変 化
fa
負荷：
ー
ー
ー
ー
年
×
S.R.
#1
2
4 VDD
H
OE端子（PTK,PHK,PTW,PHW,PCW）
OE端子=“H”or“Open”
：OUT端子に所定の周波数を出力
OE端子=“L”
：出力停止、
OUT端子は、
ハイインピーダンス
37
L
W
H
SG-710＊＊Ｋ
7.3±0.2
4.8±0.2
1.3±0.1
SG-710＊＊W
7.0±0.2
5.0±0.2
1.4 -0.15
+0.1
（単位：
GND
■端子説明
5.08
×
1 OE or ST
4.2
5.08
×
2.0
2.6
W
#2
回または
1.8
ピン端子
3 OUT
#2
初年度
×
） ■推奨はんだ付けパターン図
1.4 #4
#3
レベル
，
×
（単位：
）
）
→
硬木上
×
#3
L
）
負荷：
→
レベル
レベル
負荷：
→
負荷：
→
レベル
最小値動作電圧時の を とする
ー
５
NO.
#1
）
（
端子（
端子（
ー
■外形寸法図
#4
レベル
（
ー
CL
VIH
耐 衝 撃 性
）
レベル
負荷：
∼
ー
ST端子（STW,SHW,SCW）
ST端子=“H”or“Open”
：OUT端子に所定の周波数を出力
ST端子=“L”
：発振停止、
OUT端子は、
ウィークプルダウン
ST端子（ECK）
ST端子=“H”or“Open”
：OUT端子に所定の周波数を出力
ST端子=“L”
：発振停止、
OUT端子は、
ハイインピーダンス
5.08
方向
）
Crystal oscillator
■仕 様（特性）
仕 様
項 目
記 号
出力周波数範囲
fO
電源電圧
温度範囲
f / fO
消 費 電 流
lOP
ディセーブル時電流
スタンバイ時電流
ュ ー テ ィ
“H”レベル出力電圧
“L”レベル出力電圧
lOE
lST
tW / t
VOH
VOL
出力負荷条件（ CMOS）
CL
“H”レベル入力電圧
“L”レベル入力電圧
VIH
VIL
出力上昇時間
tTLH
出力下降時間
tTHL
発振開始時間
経 時 変 化
tOSC
fa
耐 衝 撃 性
S.R.
SG-710PHW
SG-710SHW
80.0001 MHz∼135.0000 MHz
-0.5 V∼+7.0 V
最 大 供 給 電 圧 VDD-GND
動 作 電 圧
VDD
保 存 温 度
TSTG
動 作 温 度
TOPR
周波数安定度
デ
SG-710PTW
SG-710STW
SG-710PCW
SG-710SCW
67.0001 MHz
∼135.0000 MHz
5.0 V±0.5 V
3.3 V±0.3 V
-55 ˚C∼+125 ˚C
-20 ˚C∼+70 ˚C
-40 ˚C∼+85 ˚C
Ｂ: ±50 × 10-6 Ｃ: ±100 × 10-6
ー
45 mA Max.
M: ±100 × 10-6
28 mA Max.
30 mA Max.
16 mA Max.
50 µA Max.
40 %∼60 %
ー
40 %∼60 %
ー
15 pF
VDD-0.4 V Min.
0.4 V Max.
–
–
–
–
15 pF
15 pF
5 TTL + 15 pF
–
2.0 V Min.
0.8 V Max.
2.0 ns Max.
4.0 ns Max.
ー
2.0 ns Max.
4.0 ns Max.
ー
25 pF
ー
ー
3.0 ns Max.
ー
ー
3.0 ns Max.
10 ms Max.
-6
±5 × 10 / 年 Max.
±20 × 10-6 Max.
–
–
0.7 VDD Min.
0.2 VDD Max.
ー
ー
3.0 ns Max.
ー
ー
3.0 ns Max.
条 件
P.31製品別周波数帯を参照してください
単品での保存
P.31製品別周波数帯を参照してください
-20 ˚C∼+70 ˚C
-40 ˚C∼+80 ˚C
無負荷 (fo=Max. 値 )
OE=GND (P＊W)
ST=GND (S＊W)
CMOS負荷：1 / 2VDDレベル
TTL負荷：1.4 Vレベル
I OH=-16 mA(＊TW/＊HW)/-8 mA(＊CW)
I OL=16 mA(＊TW/＊HW)/8 mA(＊CW)
f0≦135 MHz
f0≦90 MHz
f0≦135 MHz
f0≦125 MHz
OE,ST端子
OE,ST端子
TTL負荷: 0.8 V → 2.0 V, CL=Max.
TTL負荷: 0.4 V → 2.4 V, CL=Max.
CMOS負荷: 20 % VDD → 80 % VDD, CL=Max.
TTL負荷: 2.0 V → 0.8 V, CL=Max.
TTL負荷: 2.4 V → 0.4 V, CL=Max.
CMOS負荷: 80 % VDD → 20 % VDD, CL=Max.
最小値動作電圧のtを０とする
Ta=+25 ˚C, VDD=5 V / 3.3 V, 初年度
硬木上750 mm × 3回または
29400 m/s2 × 0.3 ms × 1/2 Sine Wave × 3方向
38