Crystal oscillator 電圧制御水晶発振器 VG-2820CB 製品型番（２ページを参照） Q3621CB0xxxxx00 GSM用に開発 リフロー可能な高密度実装対応超小型SMD （5.0×3.2×1.5 mm） ● 耐熱AT振動子内蔵で、汎用SMD ICと同等の耐熱性を実現 ● Bi-CMOS ICの使用により低消費電流、 低ノイズ特性を実現 （-128 dBc/Hz Typ. at 100 Hz offset） ● 電源電圧2.8 V対応 ● ● 原 寸 大 ■仕 様（特性） 項 目 出 力 電源電圧 温度範囲 周 波 記 号 f0 数 13.0000 MHz 最 大 供 給 電 圧 VCC-GND -0.3 V∼+7.0 V 動 作 電 圧 VCC 2.8 V±0.1 V 保 存 温 度 TSTG -40 ˚C∼+85 ˚C 動 作 温 度 条 件 仕 様 TOPR -20 ˚C∼+75 ˚C 周 波 数 安 定 度 f/f0 ±12 × 10-6 Max.※ 周波数可変範囲 fc ±12 × 10-6 Min. 周波数変化極性 単品での保存 VC=1.0 V(center), 0.06 V, 2.0 V 正極性 VC-GND (DC) 入 力 抵 抗 ZIN 10 MΩ Min. 消 費 電 流 ICC 1.0 mA Max. デ ュ ー テ ィ Duty 30 %∼70 % GND Level (DC cut) 出 力 電 圧 VOUT 0.8 V Min. Peak to Peak RL 9 kΩ∼11 kΩ CL 9 pF∼11 pF 出 力 負 荷 10 kΩ//10 pF, VCC=2.8 V DC cut capacitor =0.01 µF 上記以外の仕様については、お問い合わせください。 ※周波数初期偏差、リフロー特性、周波数温度特性、電源電圧変動特性、負荷変動特性、周波数経時変化（fa：初年度）を含む。 （単位：mm） ■推奨はんだ付けパターン図 1.1 #4 1.4 2.4 A191 A 3.2±0.2 13.000 1.0 #3 #2 5.0±0.2 3.7 NO. 1.5 Max. E （単位：mm） 1.3 0.8 ■外形寸法図 1 2 ピン端子 VC #1 3.9 GND 3 OUT 4 VCC ※斜線範囲には、GND以外のパターンを配線しないでください。 ※図と異なるはんだ付けパターンが必要となる場合はお問い合せください。 64