华晶分立器件 3DG9018 高频放大环境额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DG9018 硅 NPN 型高频小功率晶体管 主要用于调幅调频中频放大器及 VHF 调谐器的本振 其特点如下 频率特性好 反向漏电小 饱和压降低 电流特性好 封装形式 TO-92 1.5 2 电特性 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符号 5.3max 集电极-发射极电压 VCE0 15 V 集电极-基 极电压 VCB0 30 V 发射极-基 极电压 VEB0 5 V 集电极电流 IC 50 mA 耗散功率(Ta=25 ) Ptot 0.4 W 结温 Tj 150 贮存温度 Tstg 5.3max 单位 12.7min 额定值 4.2max 0.45 0.45 1.27 1.27 E C B -55 150 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 规 范 值 典型 最大 0.1 单位 集电极-基极截止电流 ICB0 VCB=15V, IE=0 发射极-基极截止电流 IEB0 VEB=3V, IC=0 共发射极正向电流传输比 的静态值 hFE VCE=5V, IC=1mA 集电极-发射极饱和电压 VCEsat IC=10mA, IB=1mA 0.5 V 基 极-发射极饱和电压 VBEsat IC=10mA, IB=1mA VCE=5V, IC=5mA f=400MHz 1 V 特征频率 fT 0.1 28 µA µA 198 700 MHz 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DG9018 3 特性曲线 Ptot-Tamb 关系曲线 hFE-IC 关系曲线 hFE Ptot (W) Tamb=25 VCE=1V 0.4 0.3 100 0.2 0.1 10 0.5 5 50 0 IC (mA) 0 50 100 VBEsat-IC 关系曲线 VCEsat-IC 关系曲线 VCEsat (V) VBEsat (V) Tamb=25 IC/IB=10 Tamb=25 IC/IB =10 1 1.2 0.1 0.6 0.01 1 T( ) 10 IC (mA) 第 2 页 5 共 2 页 50 IC (mA)