深圳市大雁科技实业有限公司 Dayan Technology Industry Co., Ltd. Shenzhen 3CD834 1. 主要特点 硅外延平面工艺 2. 封装形式 TO-220 3. 主要用途 低频功率放大 电源调整 伴音、场输出 4. 和 D880 构成互补对管 5. 绝对最大额定值 Ta=25℃ 项目 集电极—基极直流电压 集电极—发射极直流电压 发射极—基极直流电压 集电极直流电流 集电极耗散功率 Ta=25℃ Tc=25℃ 最高结温 贮存温度范围 6. 电特性 Ta=25℃ 项目 集电极—基极直流电压 集电极—发射极直流电压 发射极—基极直流电压 集电极—基极截止电流 集电极—发射极截止电流 发射极—基极截止电流 集电极—发射极饱和压降 基极—发射极正向导通压降 直流电流增益 符号 VCBO VCEO VEBO IC PC 数值 -120 -70 -7 -3 1.5 30 150 -55~150 Tj Tstg 符号 测试条件 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO ICEO IEBO VCEsat VBE(ON) hFE1 hFE2 hFE3 fT IC=-10µA IE=0 IC=-10mA IB=0 IE=-1mA IC=0 VCB=-140V IE=0 VCE=-80V IB=0 VEB=-7V IC=0 IC=-3A IB=-0.3 A IC=-5A IB=-0.5 A VCE=-5V IC=-0.5A VCE=-5V IC=-3A VCE=-5V IC=-50mA VCE=-5V IC=-0.5A 单位 V V V A W W ℃ ℃ 规范 Min Max -120 -70 -7 -100 -100 -100 -1 -1 60 300 20 70 5 单位 V V V µA µA µA V V MHz 7. hFE1分档要求 60－120；100－200；150－300 地址：广东省深圳市南山区西丽留仙洞桑泰工业园 1 栋 电话：0755-86020755 传真：0755-86020855 网址：http://www.dayan.com.cn 邮编：518055 2005-1-27 -1-