PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON HSBD140 █ 主要用途 TRANSISTOR 对应国外型号 BD140 █ 外形图及引脚排列 中功率线性开关 █ 极限值（Ta=25℃） T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ T j ——结温…………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）…………………… 12.5W 1―发射极，E 2―集电极，C 3―基 极，B PC——集电极功率耗散（TA=25℃）………………………1.25W VCBO——集电极—基极电压……………………………… -80V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… -80V VEBO——发射极—基极电压…………………………………-5V IC——集电极电流(Pulse)…………………………………… -3A IC——集电极电流(DC)…………………………………… -1.5A IB——基极电流…………………………………………… -0.5A █ 电参数（TC=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 ICBO 集电极—基极截止电流 -0.1 μA VCB= -30V, IE=0 IEBO 发射极—基极截止电流 -10 μA VEB= -5V, IC=0 件 *hFE(1) 直流电流增益(1) 25 VCE= -2V, IC= -5mA *hFE(2) 直流电流增益(2) 25 VCE= -2V, IC= -0.5A *hFE(3) 直流电流增益(3) 40 250 VCE= -2V, IC= -150mA *VCE(sat) 集电极—发射极饱和压降 -0.5 V Ic= -500mA, IB= -50mA *VBE(ON) 基极—发射极电压 -1.0 V Ic= -0.5A, VCE= -2V V Ic= -30mA,IB=0 *VCEO(SUS) 集电极—发射极维持电压 -80 *Pulse Test: PW=350μS,Duty Cycle=2% Pulsed █hFE(3)分档及其标志 Cassification hFE(3) 6 40~100 10 16 63~160 100~250