NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 MPS2222A H 2222A █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作音频功率放大，激励级放大、开关应用 TO-92 █ 极限值（Ta=25℃） T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ P C ——集电极耗散功率………………………………625mW 1―发射极，E 2―基 极，B 3―集电极，C V CBO ——集电极—基极电压………………………………75V V CEO ——集电极—发射极电压……………………………40V V E B O ——发射极—基极电压………………………………6V I C ——集电极电流………………………………………600mA █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO HFE VCE(sat） fT Cob 符 号 说 明 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 最小值 典型值 最大值 75 40 6 100 10 10 400 0.3 300 8 单 位 V V V nA nA V MHz pF 测 试 条 件 IC=10μA，IE=0 IC=10mA，IB=0 IE=10μA，IC=0 VCB=60V, IE=0 VEB=3V, IC=0 VCE=10V, IC=150mA IC=150mA, IB=15mA VCE=20V, IC=20mA VCB=10V,IE=0 f=1MHz