N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 IRF830 HFP830 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 高压高速电源开关。 TO-220 █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………… -55~150℃ 1―栅 极 G VDSS——漏极—源极电压…………………………………500V 2―漏 极 D VDGR —— 漏极—栅极电压(RGS=1MΩ) …………………………… 500V 3―源 极 S VGS——栅极—源极电压………………………………… ±20V ID——漏极电流（Tc=25℃）…………………………………4.5A PD——耗散功率（Tc=25℃）………………………………75W █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVDSS IDSS IGSS VGS （ th ） ID（on） RDS（on） gfs Ciss Coss Crss Td（on） Tr Td（off） Tf Qg Qgs Qgd IS VSD 符 号 说 明 漏—源极击穿电压 零栅压漏极电流 栅极泄漏电流 栅—源极开启电压 导通状态漏极电流 漏—源极导通电阻 正向跨导 输入电容 输出电容 反向传输电容 导通延迟时间 上升时间 断开延迟时间 下降时间 栅极总电荷 栅极—源极电荷 栅极—漏极电荷 源极—漏极二极管正向电流 源极—漏极二极管导通电压 最小值 典型值 最大值 500 25 ±100 4.0 2.0 4.5 1.5 2.5 22 12 10 800 200 60 30 30 55 30 30 4.5 1.6 单 位 V µA nA V A Ω S pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC A V 测 试 条 件 ID=250µA，VGS=0 VDS=500V，VGS=0 VGS=±20V，VDS=0 VDS=VGS，ID=250µA VDS≥6.75V，VGS=10V VGS=10V，ID=2.5A VDS=10V，ID=2.5A VDS=25V，VGS=0，f=1MHz VDD=200V，ID=2.5A（峰 值），RG=15Ω VDS=0.8VDSS, VGS=10V， ID=4.5A IS=4.5A，VGS=0