GaAs Hall Element HG-302C HG-302Cは、 リードを一方向に配したSIP形状GaAsホール素子です。 モールド層が薄いため、 ギャップの狭い所に配置することができます。 標準はバルク供給となります。 （500pcs.／Pack） Shipped in bulk（500pcs per pack） 注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログの表紙裏の「重要注意事項」を 良くお読みください。 Notice : It is requested to read and accept "IMPORTANT NOTICE" written on the back of the front cover of this catalogue. ●最大定格（Ta=25℃）Absolute Maximum Ratings 項 目 Item 記号 Symbol 定 格 Limit 単 位 Unit 制 御 電 圧 Max. Input Voltage VC 10 V PD 150 mW 動 作 温 度 Operating Temp. Range Topr. −40 ∼ ＋125 ℃ 保 存 温 度 Storage Temp. Range Tstg. −40 ∼ ＋150 ●外形寸法図 Dimensional Drawing (Unit : mm) 2.7±0.1 0.95 ℃ 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. 単位 Unit VH B=50mT, Vc=6V 55 130 75 mV 入 力 抵 抗 Input Resistance Rin B=0mT,Ⅰc=0.1mA 650 750 850 Ω 出 力 抵 抗 R out B=0mT,Ⅰc=0.1mA Output Resistance 650 750 850 Ω 不 平 衡 電 圧 V (V ) B=0mT, V =6V c os u Offset Voltage −11 +11 mV -0.06 %/℃ 0.3 %/℃ 2 % ※ ※ B=50mT,Ⅰc=5mA 出力電圧の温度係数 Temp. Coefficient of VH αVH Ta=25∼125℃ 入力抵抗の温度係数 αR ※ B=0mT,Ⅰc=0.1mA in Ta=25∼125℃ Temp. Coefficient of Rin ※ ホール電圧直線性 ΔK B=0.1/0.5T,Ⅰc=5mA Linearity N極 1 5 ° 0.25 1.0 0.5 φ0.3 0.57 0.38 0.2 0.8 ホ ール出力電圧 Output Hall Voltage 測 定 条 件 Conditions 15.0±1.0 記号 Symbol 5 ° 1.45 0.9 マーク面 0.4 0.3 1 リ ー ド 接 続 Pinning 2 3 4 入 力 Input 出 力 Output 1.0 1.0 1.0 10° 10° 1（±） 3（ ） 2（±） 4（ ） ± 2.35±0.1 sensor center ●電気的特性（測定温度 25℃）Electrical Characteristics(Ta=25℃) 項 目 Item 0 0.1 ± 容 損 失 Max.Input Power − 許 Notes : 1. VH = VHM – Vos(Vu) (VHM:meter indication) 1 2) – VH (T1) X 100 2. VH = VH (T1) X VH (T (T2 – T1) 1 Rin (T2) – Rin (T1) X 100 3. Rin = Rin (T1) X (T – T ) 2 1 K (B1) – K (B2) 4. K = [K (B1) + K (B2)] / 2 X 100 ●特性曲線図 許容損失(PD)―周囲温度(Ta) Allowable Package Power Dissipation 200 T1 = 25˚C, T2 = 125˚C K= Characteristic Curves VH IC • B 160 許容損失：PD [mW] B1 = 0.5T, B2 = 0.1T 120 80 40 0 0 20 40 60 80 周囲温度：Ta [℃] 100 Ambient Temperature(˚C) 62 120 140 HG-302C •製品はある確率で故障する可能性がございます。医療機器、自動車、航空宇宙用機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が、直接または間接を問わず、生命、 身体、財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとり 下さい。 •Please be aware that AKE products are not intended for use in life support equipment, devices, or systems. Use of AKE products in such applications requires the advance written approval of the appropriate AKE officer. Certain applications using semiconductor devices may involve potential risks of personal injury, property damage, or loss of life. In order to minimize these risks, adequate design and operating safeguards should be provided by the customer to minimize inherent or procedural hazards. Inclusion of AKE products in such applications is understood to be fully at the risk of the customer using AKE devices or systems. •この製品は静電放電により破壊されやすいため取り扱いにご注意ください。 •Handling precautions required for preventing electrostatic discharge. •当製品にはガリウムヒ素（GaAs）が使用されています。取り扱い及び廃棄に注意してください。 •This product contains galium arsenide（GaAs）.Handling and discarding precautions required. ●特性曲線図 Characteristic Curves 1000 600 Output Hall Voltage ホール出力電圧：VH [mV] 600 400 200 0 –50 定電流駆動 Ic const 定電圧駆動 Vc const lc =10 [mA] Vc = 6 [V] Ta =25 [℃] 500 800 Input Resistance 入力抵抗：Rin [Ω] b VH-B Rin-T 400 300 Ic Vc 200 100 0 50 周囲温度：Ta [℃] 100 d 0 0 150 200 100 磁束密度：B [mT] Magnetic Flux Density Ambient Temperature(˚C) 120 120 100 定電流駆動 Ic const 定電圧駆動 Vc const Ic＝10［mA］ Vc＝6［V］ B＝50［mT］ Output Hall Voltage ホール出力電圧：VH［mV］ Output Hall Voltage ホール出力電圧：VH［mV］ VH-T Ic 80 Vc 60 40 80 50 100 B ＝50［mT］ Ta＝25［℃］ Ic 40 20 150 0 2 4 6 8 10 駆動電流：Ic［mA］Input Current 駆動電圧：Vc［V］Input Voltage 周囲温度：Ta［℃］ Ambient Temperature（℃） h Vos(Vu)-Vc, Vos(Vu)-Ic（参考） Vos(Vu)-T（参考） 8 15 定電流駆動 Ic const 定電圧駆動 Vc const B = 0 [mT] Ta = 25 [℃] 7 6 Offset Voltage 不平衡電圧：Vos [mV] Offset Voltage 不平衡電圧：Vos [mV] Vc 60 0 0 定電流駆動 Ic const 定電圧駆動 Vc const 100 20 0 −50 300 5 4 3 2 Ic 10 Vc 5 Ic 1 0 -50 Vc 0 50 周囲温度：Ta [℃] 100 0 150 Ambient Temperature(˚C) ※Magnetic Flux Density 1[mT]=10 [G] k 0 2 4 6 駆動電流：Ic [mA] Input Current 駆動電圧：Vc [V] Input Voltage 8 10 定電圧駆動 Rin=750〔Ω〕、Vos=4.6〔mV〕[Vc=6〔V〕]の例 定電流駆動 同上素子 In This Example : Rin=750〔Ω〕, Vos=4.6〔mV〕, [Vc=6〔V〕] 63