〈Transistor〉 ＲＴ１Ｎ１３０Ｘ SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE RT1N130X is a one chip transistor with built-in bias resistor,PNP type is RT1P130X. DRAWING RT1N130U UNIT：mm RT1N130C 1.6 0.4 FEATURE 2.5 0.8 0.4 0.5 1.5 0.5 ② 0.4 0.95 ③ ① 0.95 1.6 1.0 2.9 1.90 ② 0.3 0.5 ① 0.5 ・Built-in bias resistor (R1=1kΩ). ③ APPLICATION C (OUT) 0.16 0～0.1 0.8 0～0.1 Equivalent circuit JEITA：－ JEDEC：－ B (IN) E (GND) JEITA：SC-59 JEDEC：Similar to TO-236 Terminal Connector ①：Base ②：Emitter ③：Collector Terminal Connector ①：Base ②：Emitter ③：Collector RT1N130M RT1N130S 4.0 2.1 1.25 0.425 ③ 1.0 0.1 1.0 14.0 ② 0.3 0.65 ① 0.65 2.0 1.3 3.0 0.425 0.45 0～0.1 0.4 2.5 0.7 0.9 1.27 1.27 0.15 R1 1.1 0.15 0.55 0.7 Inverted circuit,switching circuit,interface circuit, driver circuit. JEITA：SC-70 JEDEC：－ Terminal Connector ①：Base ②：Emitter ③：Collector ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ① ② ③ JEITA：－ JEDEC：－ Terminal Connector ①：Emitter ②：Collector ③：Base 〈Transistor〉 ＲＴ１Ｎ１３０Ｘ SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type MAXIMUM RATING (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER ＶＣＢＯ ＶＥＢＯ ＶＣＥＯ Ｉ Ｃ Ｉ ＣＭ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ Collector to Base voltage Emitter to Base voltage Collector to Emitter voltage Collector current Peak Collector current Collector dissipation(Ta=25℃) Junction temperature Storage temperature RT1N130U 150 +150 -55～+150 RATING RT1N130M RT1N130C 50 6 50 100 200 200 +150 -55～+150 RT1N130S 450 UNIT V V V mA mA mW ℃ ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER Ｖ（ＢＲ）ＣＥＯ Ｉ ＣＢＯ ｈＦＥ ＶＣＥ（ｓａｔ） Ｒ１ ｆＴ TEST CONDITION C to E break down voltage Collector cut off current DC forward current gain C to E saturation voltage Input resistance Gain band width product I C=100μA，RBE=∞ VCB=50V，I E =0 VCE=5V，I C =1mA I C =10mA，I B =0.5mA VCE=6V，I E =-10mA 1000 VCE=5V Collector current IC[uA] VCE=5V 100 10 100 10 1 10 100 Collector current IC[mA] 0 0.5 1 1.5 Input off voltage VI(OFF)[V] Input on voltage-Collector current 10 Input on voltage VI(ON)[V VCE=200mV 1 0.1 0.1 1 10 MAX 100 Collector current-Input off voltage 1000 LIMIT TYP 0.1 0.7 DC forward current gain-Collector current DC forward current gain hFE MIN 50 100 Collector current IC[mA] ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION 2 1.0 200 0.3 1.3 UNIT V μA － V kΩ MHz 営業本部営業企画部 http://www.idc-com.co.jp 〒854-0065 長崎県諌早市津久葉町 6-41 安全設計に関するお願い ・弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があります。弊社製品 の故障または誤動作によって、結果として人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した 冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。 本資料ご利用に際しての留意事項 ・本資料は、お客様が用途に応じた適切なイサハヤ電子製品をご購入いただくための参考資料であり、本資料中に記載の 技術情報についてイサハヤ電子が所有する知的財産権その他の権利の実施、使用を許諾するものではありません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表その他応用回路例の使用に起因する損害、第三者所有の権利に対する侵害に関し、イサ ハヤ電子は責任を負いません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表その他全ての情報は、本資料発行時点のものであり、特性改良などにより予告なしに 変更することがあります。製品の購入に当たりましては、事前にイサハヤ電子へ最新の情報をご確認ください。 ・本資料に記載された製品は、人命に関わるような状況の下で使用される機器、あるいはシステムに用いられることを目的 として設計、製造されたものではありません。本資料の製品を運輸、移動体用、医療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底 中継機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際には、イサハヤ電子へ御照会ください。 ・本資料の転載、複製については、文書によるイサハヤ電子の事前の承諾が必要です。 ・本資料に関し詳細についてのお問合せ、その他お気付きの点がございましたら、イサハヤ電子まで御照会ください。 2002 年 11 月作成