NTE NTE2651

NTE2651
Silicon NPN Transistor
Horizontal Deflection Output for
Ultrahigh−Definition CRT Display
Features:
D High Speed
D High Breakdown Voltage
D High Reliability
Absolute Maximum Ratings: (TA + 25°C unless otherwise specified)
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
Collector Dissipation, PC
TA + 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W
TC + 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA + 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector−Emitter Sustaining Voltage
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICBO
VCB = 800V, IE = 0
−
−
10
µA
ICES
VCE = 1500V, RBE = 0
−
−
1.0
mA
IEBO
VEB = 4V, IC = 0
−
−
1.0
mA
800
−
−
V
VCEO(sus) IC = 100mA, IB = 0
Collector−Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 8A, IB = 2A
−
−
5.0
V
Base−Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC = 8A, IB = 2A
−
−
1.5
V
VCE = 5V, IC = 1A
20
−
30
VCE = 5V, IC = 8A
4
−
7
tstg
IC = 6A, IB1 = 1.2A, IB2 = 2.4A
−
−
3.0
µs
tf
IC = 6A, IB1 = 1.2A, IB2 = 2.4A
−
1.0
0.2
µs
DC Current Gain
Storage Time
Fall Time
hFE
.221 (5.6)
.134 (3.4) Dia
.123 (3.1)
.630 (16.0)
.315
(8.0)
.866
(22.0)
B
C
E
.158 (4.0)
.804
(20.4)
.215 (5.45)
.040 (1.0)