RSA30L 星合电子 ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ESD protection device (TVS) Applications For terminal protection device SMA/DO-214AC .062(1.58) .050(1.27) .111(2.83) .090(2.29) .187(4.75) .160(4.06) Features 1) Small power mold type. (PMDS) 2) High reliability .103(2.61) .074(1.90) Construction Silicon epitaxial planar .012(.31) .005(.13) .056(1.41) .031(0.80) .210(5.33) .190(4.85) Dimensions in inches and (millimeters) Taping specifications (Unit : mm) A 符 号 SYMBOL 口袋宽度 口袋长度 CARRIER LENGTH 口袋深度 CARRIER DEPTH 承载带厚度 TOTALL TAPE THICKNESS 承载带宽度 TAPE WIDTH 口袋孔距 PUNCH HOLE PITCH 定位孔距 SPROCKET HOLE PITCH 定位孔位 SPROCKET HOLE POSITION 口袋孔位 PUNCH HOLE POSITION 间距位置 PITCH POSITION 定位孔径 SPROCKET HOLE DIAMETER （口袋）孔径 PUNCH HOLE DIAMETER K0 A-A 剖面 B 产品规格 K0 t D1 A CASE TYPE（Outline） CARRIER WIDTH A0 W B 8℃ 5℃ D B0 P1 F P E P0 B-B 剖面 DO214AC（SMA） 2.79±0.10 A0 （0.110±0.004） B0 （0.210±0.004） K0 （0.093±0.002） t （0.012±0.002） W （0.472±0.004） P （0.157±0.004） P0 （0.157±0.004） E （0.069±0.004） F （0.217±0.002） P1 （0.079±0.002） D （0.061±0.002） D1 （0.059±0.004） 5.33±0.10 2.36±0.05 0.30±0.05 12.00±0.10 4.00±0.10 4.00±0.10 1.75±0.10 5.50±0.05 2.00±0.05 1.55±0.05 1.50±0.10 1 ＧＡＯＭＩ ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＯ．，ＬＴＤ． ＷＷＷ．ＳＤＤＺＧ．ＣＯＭ ＴＥＬ：０５３６－２２１０３５９ ＱＱ：４６４７６８０１７ RSA30L 星合电子 ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ESD protection device (TVS) Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Symbol Peak pulse (tp=10×1000us) Stand off power Junction temperature Storage temperature Ppk VRMN Tj Tstg Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Symbol Limits Unit 600 25.6 150 55 to 150 W V °C °C Min. Typ. Max. Unit Breakdown voltage VBR 28.5 - 31.5 V IR=1.0mA Clamping voltage VC - - 41.4 V Ipp =14.4A Reverse current IR - - 5 uA VRMN=25.6V 10000 10 0.01 100 Ta=75℃ 10 1 Ta=25℃ 0.1 Ta=-25℃ 0.01 26 27 28 29 30 31 32 33 0.1 0 34 5 15 20 0 25 5 Ta=25℃ IF=1mA n=30pcs 30 29 AVE:29.651V 28 REVERSE CURRENT:IR(nA) 32 27 0.2 1 0.18 0.9 Ta=25℃ VR=3.5V n=30pcs 0.16 0.14 0.12 0.1 0.08 0.06 AVE:0.0143nA 0.04 0.8 15 20 25 Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs AVE:0.884nF 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.02 0.1 0 0 IR DISRESION MAP Vz DISRESION MAP 10 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS ZENER VOLTAGE:Vz(V) Vz-Iz CHARACTERISTICS 31 10 CAPACITANCE BETWEENTERMINALS:Ct(nF) 25 1 0.001 0.0001 0.001 ZENER VOLTAGE:Vz(Ｖ) f=1MHz CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(nF) Ta=125℃ Ta=-25℃ REVERSE CURRENT:IR (nA) ZENER CURRENT:Iz(mA) Ta=150℃ Ta=25℃ 0.1 10 Ta=150℃ Ta=125℃ 1000 Ta=75℃ 1 Conditions Ct DISRESION MAP Mounted on epoxy board 10 1 0.1 1 ZENER CURRENT(mA) Zz-Iz CHARACTERISTICS 10 1ms 100 IF=0.5A time 30 Rth(j-a) 300us Rth(j-c) 10 1 ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) IM=10mA 1000 TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) DYNAMIC IMPEDANCE:Zz(Ω) 100 No break at 30kV No break at 30kV C=200pF R=0Ω C=100pF R=1.5kΩ 25 20 15 10 5 0 0.1 0.001 0.01 0.1 1 10 100 TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS 1000 ESD DISPERSION MAP 2 ＧＡＯＭＩ ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＯ．，ＬＴＤ． ＷＷＷ．ＳＤＤＺＧ．ＣＯＭ ＴＥＬ：０５３６－２２１０３５９ ＱＱ：４６４７６８０１７