QS043-401M0058 (2/4) ＰＤＭＢ７５Ｂ１２ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ ７５ Ａ，１２００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 12 23.0 9 30 +1.0 - 0 .5 14 23.0 14 9 12 17 35 3-M5 17.0 14 3 4-fasten tab #110 t=0.5 7 16 7 16 17 16 4-fasten tab #110 t= 0.5 LABEL 6 7 LABEL 23 23 8 3-M5 7 6 5 4 21.2 7.5 5(E1) 4(G1) 2 2-Ø 5.5 12 4 5 4 94 80 ± 0 .2 5 12 11 1 .0 30 +1 - 0 .5 (C1) 3 7 6 3 11 4 18.0 (E2) 2 2 1 48.0 16.0 14.0 (C2E1) 1 7(G2) 6(E2) 4 2-Ø6.5 4 94.0 80 ±0.25 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 23 □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ７５Ｂ１２Ｃ PDMB75B12 PDMB75B12C Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ７５ １５０ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ４００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque □ 電 気 的 特 性 Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） PDMB75B12C Ｆｔｏｒ ２（２０.４） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ３（３０.６） PDMB75B12 Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal ２（２０.４） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ２.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 75A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 75mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □ 熱 的 特 性 ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 6,300 － ｐＦ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 8Ω ＲG= 13Ω ＶＧＥ= ±15V － － － － ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ μｓ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｉｅｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ７５ １５０ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 150A/μs － ０.２ ０.３ μｓ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.３ ０.６ Ｕｎｉｔ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case ℃／Ｗ ０１ 日本インター株式会社 QS043-401M0058 (3/4) ＰＤＭＢ７５Ｂ１２ ＰＤＭＢ７５Ｂ１２Ｃ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 150 V GE=20V IC=30A Collector Current I C (A) 100 9V 75 50 8V 25 7V 0 2 4 6 8 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 10V 15V 125 0 TC=25℃ 16 12V 14 75A 12 10 8 6 4 2 0 10 0 4 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 10 8 6 4 2 12 16 700 14 600 12 500 10 400 8 VCE =600V 300 6 400V 200 4 200V 100 2 0 0 100 200 300 400 500 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Total Gate Charge Qg (nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 50000 20000 10000 Capacitance C (pF) 16 RL=8Ω TC=25℃ 0 20 1.4 Cies 1.2 5000 2000 1000 Coes 500 200 Cres 100 600 1.6 VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ Switching Time t (μs) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 12 8 20 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 75A 4 16 800 150A 14 0 12 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) TC=125℃ 16 0 8 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=30A 150A VCC=600V RG=13Ω VGE=±15V TC=25℃ tOFF 1 0.8 tf 0.6 0.4 50 0.2 20 0 tON tr 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 25 50 75 Collector Current IC (A) ０１ 日本インター株式会社 QS043-401M0058 (4/4) ＰＤＭＢ７５Ｂ１２ ＰＤＭＢ７５Ｂ１２Ｃ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 VCC=600V IC=75A VGE=±15V TC=25℃ 2 ton 1 tr 0.5 tf 0.2 0.1 100 75 50 5 10 20 50 100 0 200 0 1 2 Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 4 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area 500 500 I F=75A TC=25℃ 200 trr 100 200 Collector Current I C (A) 100 50 20 10 5 IRrM 2 R G=13Ω V GE=±15V TC≦125℃ 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0 150 300 0.1 450 0 400 800 1200 1600 Collector to Emitter Voltage V CE (V) -di/dt (A/μs) fig11-Tansient Thermal Impedance 5 Tansient Thermal Impedance Rth (J-C) (ﾟC/W) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 3 Forward Voltage V F (V) Series Gate Impedance RG (Ω) 1 TC=125℃ 25 0.05 0.02 TC=25℃ 125 toff Forward Current I F (A) Switching Time t (μs) 5 (Typical) 150 2 1 FRD -1 5x10 IGBT -1 2x10 -1 1x10 -2 5x10 -2 2x10 -2 Tc=25℃ 1x10 -3 5x10 1 Shot Pulse -3 2x10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 1 10 1 Time t （s） ０１ 日本インター株式会社