パワートランジスタ 2SB0934 (2SB934) シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形 電力スイッチング用 2SD1257 とコンプリメンタリ Unit : mm 3.0+0.4 –0.2 ■ 絶対最大定格 TC = 25°C 項目 記号 定格 単位 コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO −130 V コレクタ・エミッタ間 電圧(B 開放時) VCEO −80 V エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) VEBO −7 V IC −7 A 尖頭コレクタ電流 ICP −15 A 40 W PC Ta = 25°C (6.5) 1 : Base 2 : Collector 3 : Emitter N-G1 Package コレクタ電流 コレクタ損失 (1.5) 0.8±0.1 R = 0.5 R = 0.5 2.54±0.3 1.0±0.1 1.4±0.1 0.4±0.1 5.08±0.5 (8.5) (6.0) 1.3 3 (7.6) 2 0 to 0.4 4.4±0.5 1.5+0 –0.4 1 14.4±0.5 1.0±0.1 10.0±0.3 1.5±0.1 6.0±0.2 4.4±0.5 • コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)が低い • 直流電流増幅率 hFE の直線性がよい • コレクタ電流 IC が大きい • 小形電子機器のプリント基板などへ直接放熱フィンをはんだ付 けできるN型パッケージ構造 3.4±0.3 2.0±0.5 ■ 特 長 8.5±0.2 注) 自立タイプのパッケージも用意しています。 1.3 接合温度 Tj 150 °C 保存温度 Tstg −55 ∼ +150 °C ■ 電気的特性 TC = 25°C ± 3°C 項目 記号 コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) VCEO IC = −10 mA, IB = 0 コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO VCB = −100 V, IE = 0 エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) IEBO VEB = −5 V, IC = 0 直流電流増幅率 hFE1 VCE = −2 V, IC = − 0.1 A 45 VCE = −2 V, IC = −3 A 90 hFE2 * 条件 ベース・エミッタ間飽和電圧 VBE(sat) IC = −5 A, IB = − 0.25 A コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) IC = −5 A, IB = − 0.25 A 最小 標準 最大 単位 −10 µA −50 µA −80 V 260 −1.5 − 0.5 V V fT VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 10 MHz 30 MHz ターンオン時間 ton IC = −3 A 0.5 µs 蓄積時間 tstg IB1 = − 0.3 A, IB2 = 0.3 A 1.5 µs 下降時間 tf VCC = −50 V 0.1 µs トランジション周波数 注 ) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。 2. * : ランク分類 ランク Q P hFE2 90 ∼ 180 130 ∼ 260 注 ) 形名の( )内は , 従来品番です 発行年月 : 2003年4月 SJD00016BJD 1 2SB0934 PC Ta IC VCE TC=25˚C IB=–120mA –110mA –100mA –90mA –80mA –70mA −1.6 コレクタ電流 IC (A) (1) コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) (1)TC=Ta (2)With a 50×50×2mm Al heat sink (3)Without heat sink (PC=1.3W) 40 コレクタ損失 PC (W) VCE(sat) IC −100 −2.0 50 30 20 −1.2 –60mA − 0.8 –30mA –40mA –20mA − 0.4 10 (3) 40 80 120 0 160 周囲温度 Ta (°C) −2 0 −10 TC=–25˚C −1 100˚C 25˚C −1 TC=100˚C 102 –25˚C 1 − 0.1 −10 Cob VCB −10 ターンオン時間 ton ,蓄積時間 tstg ,下降時間 tf (µs) 103 102 10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 100 102 10 1 − 0.01 −100 ton tf 0 −2 −4 −6 コレクタ電流 IC (A) SJD00016BJD −10 Non repetitive pulse TC=25˚C ICP tstg 0.01 −1 安全動作領域 −100 1 0.1 − 0.1 コレクタ電流 IC (A) Pulsed tw=1ms Duty cycle=1% IC/IB=10 (–IB1=IB2) VCC=–50V TC=25˚C 10 −100 103 ton, tstg, tf IC IE=0 f=1MHz TC=25˚C −10 −1 −10 VCE=–10V f=10MHz TC=25˚C コレクタ電流 IC (A) 104 −1 −1 コレクタ電流 IC (A) fT I C 25˚C コレクタ電流 IC (A) 1 − 0.1 25˚C 104 10 − 0.1 –25˚C − 0.01 − 0.1 VCE=–2V 103 直流電流増幅率 hFE ベース・エミッタ間飽和電圧 VBE(sat) (V) −10 − 0.01 − 0.01 コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) −8 TC=100˚C hFE IC 104 IC/IB=20 − 0.1 2 −6 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) VBE(sat) IC −100 −4 トランジション周波数 fT (MHz) 0 コレクタ電流 IC (A) 0 −10 − 0.1 –10mA (2) IC/IB=20 t=0.5ms −10 IC t=1ms t=10ms −1 t=300ms − 0.1 −8 − 0.01 −1 −10 −100 −1 000 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 2SB0934 Rth t 103 (1)Without heat sink (2)With a 50×50×2mm Al heat sink (1) 熱抵抗 Rth (°C/W) 102 (2) 10 1 10−1 10−2 10−4 10−3 10−2 10−1 1 10 102 103 104 時間 t (s) SJD00016BJD 3 本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本資料に記載の製品および技術で、 「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、 ま たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。 (2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、 弊社もし くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあり ません。 (3) 上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、 当社はその責を負うものでは ありません。 (4) 本資料に記載されている製品は、 標準用途 — 一般電子機器(事務機器、 通信機器、 計測機器、 家電 製品など)に使用されることを意図しております。 特別な品質、 信頼性が要求され、 その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、 人体に危害を及ぼす 恐れのある用途 — 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、 事前に 弊社営業窓口までご相談願います。 (5) 本資料に記載しております製品および製品仕様は、 改良などのために予告なく変更する場合があ りますのでご了承ください。 したがって、 最終的な設計、 ご購入、 ご使用に際しましては、 事前に最新 の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。 (6) 設計に際して、 特に最大定格、 動作電源電圧範囲、 放熱特性については保証範囲内でご使用いただ きますようお願い致します。 保証値を超えてご使用された場合、 その後に発生した機器の欠陥につ いては弊社として責任を負いません。 また、 保証値内のご使用であっても、 半導体製品について通常予測される故障発生率、 故障モード をご考慮の上、 弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、 火災事故、 社会的な損害などを生じ させない冗長設計、 延焼対策設計、 誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう お願い致します。 (7) 防湿包装を必要とする製品につきましては、 個々の仕様書取り交わしの折、 取り決めた条件 (保存 期間、 開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。 (8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、 転載または複製することを堅くお断り いたします。 2002 JUL