BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC 1k, 2k, 4k ビットシリアルポート 直結可能 EEPROM BR9010-W / BR9010F-W / BR9010FV-W / BR9010RFV-W / BR9010RFVM-W BR9020-W / BR9020F-W / BR9020FV-W / BR9020RFV-W / BR9020RFVM-W BR9040-W / BR9040F-W / BR9040FV-W / BR9040RFV-W / BR9040RFVM-W BR90XX シリーズは、電気的に消去書き込み可能なシリアルポート直結タイプのシリアル EEPROM です。 4 種類の動作命令によってワード単位の読み出し、書き込みを行います。 通信は CS、SK、DI、DO で行い、WC 端子制御により書き換え禁止状態とし、ワンタイム ROM としても使用できま す。書き込み中の状態は、内部ステータスチェックによりチェックできます。 z用途 ムービー、カメラ、携帯電話、カーステレオ、VTR、TV 他、その他 DIP SW の置き換え等 z特長 1) BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W (1k bit) : 64 ワード×16 ビット BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W (2k bit) : 128 ワード×16 ビット BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W (4k bit) : 256 ワード×16 ビット 2) 単一電源動作。 3) シリアルデータ入出力。 4) データ書き換え時の自動消去機能内蔵。 5) 低消費電流である。 動作時 (5V 時) : 2mA (max.) 待機時 (5V 時) : 3µA (max.) 6) SK 端子にノイズフィルタ内蔵。 7)低電源電圧時の誤書き込み禁止回路。WC pin による誤書き込み禁止機能。 8) DIP8 / SOP8 / SSOP-B8 / MSOP8 と小型パッケージ。 9) ローム独自の W-Cell 構造で高信頼性。 10) 100,000 回のデータ書き換えが可能。 11) 10 年間のデータ保持が可能。 12) シリアルポートと容易に接続可能。 13) 出荷時データ 全アドレス FFFFh。 1/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC zブロックダイアグラム R/B Command decode CS Power supply voltage detector Control Clock generation Write disable SK Command register DI Address buffer 6bitBR9010 7bitBR9020 8bitBR9040 Address decoder 16bit R/W amplifier High voltage generator 6bitBR9010 7bitBR9020 8bitBR9040 WC 1,024bit BR9010 2,048bit BR9020 4,096bit BR9040 EEPROM Data register DO array 16bit z各端子説明 Pin No. Pin name Function BR90xx-W/RFV-W/RFVM-W BR90xxF-W/FV-W 1 3 CS 2 4 SK シリアルデータクロック入力 3 5 DI オペコード、アドレス、及びシリアルデータ入力 4 6 DO シリアルデータ出力 5 7 GND 全入出力の基準電圧、0V 6 8 WC ライトコントロール入力 7 1 R/B READY、BUSYステータス信号出力 8 2 VCC チップセレクト入力 電源を接続 2/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC z絶対最大定格 (Ta=25°C) Parameter 印加電圧 許容損失 Symbol Limits Unit VCC −0.3∼+7.0 V BR9010-W, BR9020-W, BR9040-W DIP8 800∗1 BR9010F-W, BR9020F-W, BR9040F-W SOP8 450∗2 SSOP-B8 300∗3 MSOP8 310∗4 Pd BR9010FV-W, BR9010RFV-W, BR9020FV-W, BR9020RFV-W, BR9040FV-W, BR9040RFV-W mW BR9010RFVM-W, BR9020RFVM-W, BR9040RFVM-W −65∼+125 °C Topr −40∼+85 °C − −0.3∼VCC+0.3 V 保存温度範囲 Tstg 動作温度範囲 各端子電圧 ∗1 Ta=25°C以上で使用する場合は、1°Cにつき8.0mWを減じる。 ∗2 Ta=25°C以上で使用する場合は、1°Cにつき4.5mWを減じる。 ∗3 Ta=25°C以上で使用する場合は、1°Cにつき3.0mWを減じる。 ∗4 Ta=25°C以上で使用する場合は、1°Cにつき3.1mWを減じる。 z推奨動作条件 (Ta=25°C) Parameter 電源電圧 入力電圧 書き込み Symbol VCC 読み出し VIN Min. Typ. Max. Unit 2.7 − 5.5 V 2.0 − 5.5 V 0 − VCC V 3/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC z電気的特性 (特に指定のない限り Ta=−40~+85°C, VCC=2.7V~5.5V) Symbol Min. Typ. Max. Unit "LOW" 入力電圧1 VIL1 − − 0.3×VCC V DI pin "HIGH" 入力電圧1 VIH1 0.7×VCC − − V DI pin "LOW" 入力電圧2 VIL2 − − 0.2×VCC V CS, SK, WC pin Parameter Conditions "HIGH" 入力電圧2 VIH2 0.8×VCC − − V CS, SK, WC pin "LOW" 出力電圧 VOL 0 − 0.4 V IOL=2.1mA "HIGH" 出力電圧 VOH VCC−0.4 − VCC V IOH=−0.4mA 入力リーク電流 ILI −1 − 1 µA VIN=0V∼VCC 出力リーク電流 ILO −1 − 1 µA VOUT=0V∼VCC, CS=VCC ICC1 − − 2 mA fSK=2MHz, tE / W=10ms (WRITE) ICC2 − − 1 mA fSK=2MHz (READ) スタンバイ電流 ISB − − 3 µA CS, SK, DI, WC=VCC, DO, R / B=OPEN SK周波数 fSK − − 2 MHz − Conditions 動作時消費電流 (特に指定のない限り Ta=−40~+85°C, VCC=2.7V~3.3V) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit "LOW" 入力電圧1 VIL1 − − 0.3×VCC V DI pin "HIGH" 入力電圧1 VIH1 0.7×VCC − − V DI pin "LOW" 入力電圧2 VIL2 − − 0.2×VCC V CS, SK, WC pin "HIGH" 入力電圧2 VIH2 0.8×VCC − − V CS, SK, WC pin "LOW" 出力電圧 VOL 0 − 0.4 V IOL=100µA "HIGH" 出力電圧 VOH VCC−0.4 − VCC V IOH=−100µA 入力リーク電流 ILI −1 − 1 µA VIN=0V∼VCC ILO −1 − 1 µA VOUT=0V∼VCC, CS=VCC ICC1 − − 1.5 mA fSK=2MHz, tE / W=10ms (WRITE) ICC2 − − 0.5 mA fSK=2MHz (READ) スタンバイ電流 ISB − − 2 µA CS, SK, DI, WC=VCC, DO, R / B=OPEN SK周波数 fSK − − 2 MHz 出力リーク電流 動作時消費電流 − 4/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC z動作タイミング特性 (特に指定のない限り Ta=−40~+85°C, VCC=2.7~5.5V) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit CSのセットアップ時間 fCSS 100 − − ns CSのホールド時間 tCSH 100 − − ns データセットアップ時間 tDIS 100 − − ns データホールド時間 tDIH 100 − − ns DOの立ち上がり遅延時間 tPD1 − − 150 ns DOの立ち下がり遅延時間 tPD0 − − 150 ns セルフタイム式プログラミングサイクル tE / W − − 10 ms CSの最短 "HIGH" 時間 tCS 250 − − ns READY / BUSY 表示が有効になる時間 tSV − − 150 ns DOがHIGH-Zになる時間(CSより) tOH 0 − 150 ns データクロック"HIGH"時間 tWH 230 − − ns データクロック"LOW"時間 tWL 230 − − ns ライトコントロールセットアップ時間 tWCS 0 − − ns ライトコントロールホールド時間 tWCH 0 − − ns 5/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC z入出力回路図 (1) 入力回路図 CS int. RESET int. SK CS CS int. WC DI (2) 出力回路図 DO OE int. R/B 6/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC z動作説明 (1) 命令モード 命 令 開始ビット アドレス オペコード データ (A6)∗2 (A7)∗1 読み出し (READ) 1010 1000 A0 A1 A2 A3 A4 A5 書き込み (WRITE) 1010 0100 A0 A1 A2 A3 A4 A5 (A6)∗2 (A7)∗1 D0 D1−D14 D15 (WRITE DATA) 消去/書き込み可能 (WEN) 1010 0011 消去/書き込み禁止 (WDS) 1010 0000 ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ D0 D1−D14 D15 (READ DATA) ∗ ∗ ∗はVIHまたはVILのいずれか。 アドレス、データはLSBファーストで入力してください。 BR9020-W/F-W/FV-W/RFV-W/RFVM-Wの場合 ∗1は "0" BR9010-W/F-W/FV-W/RFV-W/RFVM-Wの場合 ∗1, 2は "0" 同期データ入出力タイミング CS tCS tWH tCSS tCSH tDIH SK tWL tDIS DI tPD tPD tOH DO WC Fig.1 ・SKの立ち上がりエッジで入力データを読み込みます。 ・SKの立ち下がりエッジに同期してデータ出力を行います。 ・WCは書き込み命令のみに関係し、読み出し・書き込み可能・書き込み禁止についてはWCの状態に関係なく実行できます。 ・各命令間にはCSを tCS以上 "HIGH" にしてください。CSが "LOW" のままですと次の命令を受け付けません。 7/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC (2) 書き込み可能 / 禁止 H SK 1 4 12 8 16 L ENABLE = 11 DISABLE = 00 H CS L H 1 DI 0 1 0 0 0 L High-Z DO H R/B WC HIGH or LOW Fig.2 1) 電源投入時は書き込み禁止モードを実行したと同様に書き込み確認用ラッチはリセットされた状態になっておりま す。書き込みモードを入力する前に、書き込み可能モードを入力してください。 書き込み可能モードが一旦、認定されると書き込み禁止モードが入力されるか、電源がオフされるまで有効です。 2) 16 クロック以後のクロックは必要ありません。入力しましても IC は無視します。 3) 書き込み可能／禁止のどちらのモードにおきましてもWC入力に依存しませんので、 この命令入力中、 WCは “HIGH”、 “LOW” どちらでもかまいません。 4) こちらのモードは、オペコード入力後のアドレス 8 ビット分のクロック入力後受け付けます。 (ただし、両モードに は、アドレスの内容は関係ないので無視します。) 8/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC (3) 読み出しサイクル H SK 4 1 8 16 32 L tCS H CS L STANDBY H 0 1 DI 1 0 1 0 0 0 A0 A5 0 0 L HIGH-Z HIGH-Z D0 DO D15 D0 D15 tOH H n番地の データ出力 R/B WC n+1番地の データ出力 HIGH or LOW Fig.3 BR9010-W / F--W / FV-W / RFV-W / RFVM-W SK H 4 1 8 16 32 48 L tCS H CS L STANDBY H 0 1 DI 1 0 1 0 0 0 A0 A6 0 L HIGH-Z HIGH-Z D0 DO D15 D0 D15 tOH H n番地の データ出力 R/B n+1番地の データ出力 HIGH or LOW WC Fig.4 BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W SK H 4 1 8 16 32 L tCS H CS L STANDBY H 1 DI 0 1 0 1 0 0 0 A0 A6 A7 L HIGH-Z HIGH-Z D0 DO D15 D0 D15 tOH H n番地の データ出力 R/B WC n+1番地の データ出力 HIGH or LOW Fig.5 BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W 1) 16 クロックの立ち下がりより、出力されたアドレス (n 番地) のデータを、DO 端子より出力します。 DO 出力は、SK 立ち下がりから内部回路遅延により、tPDO、tPD1 の時間遅れてデータ変化します。tPD0 及び tPD1 期間 中は前のデータ、もしくは不定となっていますので、データの取り込みは tPD の時間を確保した後に行ってください。 (Fig.1 同期データ入出力タイミング参照) 2) 32 クロックの立ち下がりより、出力された次のアドレス (n+1 番地) のデータを出力し、以降クロックを入力し続け ると、16 クロック毎に次のアドレスのデータを出力します。ただし、CS 入力を “HIGH” とすると、リセットされ ます。 9/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC (4) 書き込みサイクル H SK 1 4 8 16 32 L H CS L tCS H 1 DI 0 1 0 0 1 0 0 A0 A5 0 0 D0 D15 L High-Z High-Z DO tSV H tE/W R/B H WC tWCS tWCH L Fig.6 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W SK H 1 4 8 16 32 L H CS L tCS H 0 1 DI 1 0 0 1 0 0 A0 A6 0 D0 D15 L High-Z High-Z DO tE/W tSV H R/B H WC tWCS tWCH L Fig.7 BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W SK H 1 4 8 16 32 L H CS L tCS H 1 DI 0 1 0 0 1 0 0 A0 A6 A7 D0 D15 L High-Z High-Z DO tSV H tE/W R/B H WC tWCS tWCH L Fig.8 BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W 10/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC 1) 書き込みモード入力中、CS は“LOW”である必要がありますが、書き込みが開始されると、CS は “HIGH”、“LOW” どちらでもかまいません。しかし、CS と WC を共通接続して使用の場合、書き込み実行中の CS、WC は “LOW” に してください。 (端子 WC を書き込み中に “HIGH” にされますと、その時点で書き込みを強制終了します。その場合、その番地のデ ータは不定となりますので再書き込みをお願いいたします。) 2) R / B 端子が BUSY から READY になった後、CS を一旦 “HIGH” にした後、“LOW” にしていると、コマンド受付状 態になっておりますので、SK、DI よりデータを受け取ります。 ただし、コマンド入力後 CS を “HIGH” とせず “LOW” のままの場合には、一旦 “HIGH” とするまで、コマンド入 力はキャンセルされます。 3) 32 クロックの立ち上がりより、tSV 経過後 R / B 端子は “LOW” になります。 4) 書き込み実行中は、R / B 端子は “LOW” になります。 (最後のデータ D15 を取り込んだ SK の立ち上がりエッジ後 に IC 内部のタイマ回路が作動しはじめ、tE / W の期間中にメモリセルのデータを書き換え、自動終了します。) このとき、tE / W の期間中 SK 入力は “HIGH”、“LOW” のいずれでも可能。 5) 書き込み命令入力後、SK が “LOW” の時に CS を立ち下げると DO 端子から R / B ステータス表示が可能です。 (READY / BUSY の項 参照) (5) READY / BUSY 表示 ( R / B 端子、DO 端子) 1) この表示は内部のステータス信号を出力し、R / B 端子は常時“HIGH”or“LOW”を出力します。DO 端子からも出 力が可能で、書き込みコマンド終了後、SK が“LOW”の時に CS を立下げると“HIGH”or“LOW”が出力されま す。 （R / B 端子を使用しなく、オープンとしても差し支えありません。 ） 2) メモリセルへ書き込む時、SK 信号の 32 クロックの立ち上がりから tSV のあと R / B 端子から READY / BUSY 表示を 出力します。 R / B 表示 = “LOW” ：書き込み中 （IC 内部のタイマ回路が作動して、tE / W の期間後、このタイマ回路は自動終了します。 この間、 他の命令は受け付けません。 ） またメモリセルへの書き込みはtE / W の期間に行われ、 R / B 表示 = “HIGH” ：命令待機状態 （メモリセルの書き込みが終了し次の命令を受け付けます。 ） SK クロック CS DI 書き込みコマンド tPD tOH HIGH-Z READY DO HIGH-Z BUSY R/B READY BUSY READY Fig.9 R / B ステータス出力タイミング図 11/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC (6) DI、DO 端子の直結について DI、DO 端子を直結しての通信は可能ですが、前頁の READY / BUSY 信号出力時におきましても、コントローラ側 のポートについては、データの衝突が起こらないように注意してください。 z使用上の注意 (1) 電源 ON / OFF 時 1) 電源 ON / OFF 時は、CS を“HIGH” （=VCC）にしてください。 2) CS が“LOW”では入力受け付け状態（アクティブ）になります。このままで電源を立ち上げると、ノイズ等の影響 により誤動作、 誤書き込みを起こす恐れがあります。 これらを防止するためにも電源ON時には、 CS=“HIGH” （=VCC） として立ち上げてください。 （良い例） CS 端子が VCC に PULL UP されている。 電源 OFF 時は再投入まで 10ms 以上としてください。 この条件を守らないで再び電源を立ち上げた場合 IC 内部回路がリセットされない場合がありますのでご 注意ください。 （悪い例） CS 端子が電源 ON / OFF 時“LOW”になっている。 この場合常に CS=“LOW”となり、EEPROM はノイズ等の影響により誤動作、誤書き込みする恐れが あります。 ∗ CS 入力が HIGH-Z でもこの例のようになる場合がありますのでご注意ください。 VCC VCC GND VCC CS GND 良い例 悪い例 Fig.10 (2) ノイズ対策 1) SK ノイズ SK クロック入力の立ち上がりにノイズが乗るとクロックが余計にはいったと認識し、ビットずれによる誤動作の原 因となります。 2) WC ノイズ 書き込み実行中、WC 端子にノイズが乗りますと誤認識し、書き込み動作を強制キャンセルする恐れがありますので ご注意ください。 3) VCC ノイズ 電源ラインへノイズやサージが乗りますと誤動作を起こす可能性がありますので、これらを取り除くために電源とグ ランド間にパスコンをとりつけることをおすすめします。 12/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC (3) 各モードのキャンセル方法 1) 読み出し命令の場合 32クロック SK CS DI 開始ビット 4ビット オペコード 4ビット アドレス 8ビット 16ビット DO DO データ D15 リードモードの全区間において、いつでもキャンセルが可能です。 WC HIGH or LOW Fig.11 キャンセル方法 : CS 端子を “High” 2) 書き込み命令の場合 32クロック SK CS DI 開始ビット オペコード 4ビット 4ビット アドレス DO 8ビット データ D15 16ビット tE / W R/B a b c d WC Fig.12 キャンセル方法 a：CS 端子を“HIGH”でキャンセルします。WC 端子には依存しません。 b：WC 端子が一瞬でも“HIGH”になりますと書き込みを強制キャンセルします。また、CS 端子が“HIGH”でもキャ ンセルします。この時、書き込みは実行しておりませんので指定したアドレスのデータは書き変わっておりません。 c：WC 端子“HIGH”または、電源 OFF（ただし、この方法はあまり推奨しません）により強制キャンセルされますが、 その時指定しました番地のデータは保証しかねますので再書き込みをお願いいたします。 d：R / B 信号が“HIGH” （tE / W 期間後）時に CS を“HIGH”にしますと IC 内部はリセットされ、次のコマンドの入力 待機状態となります。 13/14 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W メモリ IC z外形寸法図 (Units : mm) BR9010-W, BR9020-W, BR9040-W BR9010FV-W, BR9010RFV-W BR9020FV-W, BR9020RFV-W BR9040FV-W, BR9040RFV-W 9.3±0.3 5 3.0±0.2 1 4 0.3Min. 4 7.62 1.15±0.1 0.1 0.51Min. 5 0.3±0.1 2.54 0.5±0.1 0.15±0.1 0.1 0.22±0.1 0.65 (0.52) 0° ~ 15° DIP8 SSOP-B8 BR9010F-W, BR9020F-W, BR9040F-W BR9010RFVM-W, BR9020RFVM-W, BR9040RFVM-W 2.9±0.1 4 6.2±0.3 4.4±0.2 1.5±0.1 0.11 1.27 0.4±0.1 SOP8 0.15±0.1 0.1 8 5 1 4 2.8±0.1 1 +0.05 0.145−0.03 0.475 0.9Max. 0.75±0.05 0.08±0.05 5 0.3Min. 8 4.0±0.2 5.0±0.2 0.29±0.15 0.6±0.2 3.2±0.2 3.4±0.3 1 8 6.4±0.3 4.4±0.2 6.5±0.3 8 0.22 0.65 +0.05 −0.04 0.08 M 0.08 S MSOP8 14/14