ETC UNR4111(UN4111)

抵抗内蔵トランジスタ
UNR411x シリーズ (UN411xシリーズ)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形
Unit : mm
4.0±0.2
2.0±0.2
■ 特 長
7.6
(0.8)
3.0±0.2
デジタル回路用
15.6±0.5
• 機器の小形化 , 部品点数の削減によりコストダウン可能
• New S型パッケージのため、ラジアルテーピングでの供給が
可能
(0.8)
0.75 max.
■ 品種別抵抗値
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
UNR4110 (UN4110)
UNR4111 (UN4111)
UNR4112 (UN4112)
UNR4113 (UN4113)
UNR4114 (UN4114)
UNR4115 (UN4115)
UNR4116 (UN4116)
UNR4117 (UN4117)
UNR4118 (UN4118)
UNR4119 (UN4119)
UNR411D (UN411D)
UNR411E (UN411E)
UNR411F (UN411F)
UNR411H (UN411H)
UNR411L (UN411L)
UNR411M
UNR411N
(R1)
47 kΩ
10 kΩ
22 kΩ
47 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
4.7 kΩ
22 kΩ
0.51 kΩ
1 kΩ
47 kΩ
47 kΩ
4.7 kΩ
2.2 kΩ
4.7 kΩ
2.2 kΩ
4.7 kΩ
(R2)

10 kΩ
22 kΩ
47 kΩ
47 kΩ



5.1 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
22 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
4.7 kΩ
47 kΩ
47 kΩ
0.45+0.20
–0.10
0.45+0.20
–0.10
(2.5) (2.5)
0.7±0.1
1
2
3
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
NS-B1 Package
内部接続図
R1
B
C
R2
E
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
記号
定格
単位
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
−50
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
−50
V
コレクタ電流
IC
−100
mA
全許容損失
PT
300
mW
接合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
注) 形名の( )内は , 従来品番です
発行年月 : 2003年12月
SJH00018EJD
1
UNR411x シリーズ
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
IC = −10 µA, IE = 0
条件
最小
−50
標準
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
IC = −2 mA, IB = 0
−50
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = −50 V, IE = 0
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時)
ICEO
VCE = −50 V, IB = 0
− 0.5
µA
エミッタ
UNR4110/4115/4116/4117
IEBO
VEB = −6 V, IC = 0
− 0.01
mA
・ベース間
UNR4113
− 0.1
遮断電流
(C 開放時)
UNR4112/4114/411D/
411E/411M/411N
− 0.2
UNR4111
− 0.5
UNR411F/411H
−1.0
UNR4119
−1.5
単位
V
V
− 0.1
µA
−2.0
UNR4118/411L
VCE = −10 V, IC = −5 mA
直流電流
UNR4118/411L
増幅率
UNR4119/411D/411F/411H
30
UNR4111
35
UNR4112/411E
60
UNR4113/4114/411M
80
hFE

20
UNR411N
80
400
UNR4110 */4115 */4116 */
4117 *
160
460
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA
VCE(sat)
出力電圧ハイレベル
VOH
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ
UNR4113
VCC = −5 V, VB = −3.5 V, RL = 1 kΩ
UNR411D
VCC = −5 V, VB = −10 V, RL = 1 kΩ
− 0.25
V
− 0.2
V
−4.9
V
VCC = −5 V, VB = −6 V, RL = 1 kΩ
UNR411E
トランジション周波数
fT
入力抵抗
R1
UNR4118
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
80
−30%
0.51
UNR4119
1.0
UNR111H/411M
2.2
UNR4116/411F/411L/411N
4.7
UNR4111/4114/4115
10
UNR4112/4117
22
UNR4110/4113/411D/411E
47
注 ) 1. 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. * : ランク分類
2
最大
ランク
Q
R
S
ノンランク品
hFE
160 ∼ 260
210 ∼ 340
290 ∼ 460
160 ∼ 460
SJH00018EJD
MHz
+30%
kΩ
UNR411x シリーズ
■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C ± 3°C
項目
抵抗比率
記号
UNR411M
条件
最小
R1/R2
標準
最大
単位

0.047
UNR411N
0.1
UNR4118/4119
0.08
0.10
0.12
UNR4114
0.17
0.21
0.25
UNR411H
0.17
0.22
0.27
UNR411F
0.37
0.47
0.57
UNR4111/4112/4113/411L
0.8
1.0
1.2
UNR411E
1.70
2.14
2.60
UNR411D
3.7
4.7
5.7
注 ) 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
共通特性図
PT  Ta
全許容損失 PT (mW)
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
周囲温度 Ta (°C)
UNR4110 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
−60
− 0.2 mA
−40
− 0.1 mA
−20
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
hFE  IC
−10
VCE = –10 V
300
−1
Ta = 75°C
25°C
− 0.1
− 0.01
− 0.1
400
IC / IB = 10
直流電流増幅率 hFE
コレクタ電流 IC (mA)
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
− 0.9 mA
−100
− 0.8 mA
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
−80
− 0.4 mA
− 0.3 mA
−100
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−120
Ta = 75°C
200
25°C
−25°C
100
−25°C
−1
−10
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00018EJD
−100
0
−1
−10
−100
−1 000
コレクタ電流 IC (mA)
3
UNR411x シリーズ
Cob  VCB
IO  VIN
5
VIN  IO
−104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
VO = −5 V
Ta = 25°C
−100
−103
入力電圧 VIN (V)
4
−102
3
2
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
6
−10
−1
− 0.1
1
0
− 0.1
−1
−10
−1
− 0.4
−100
− 0.6
− 0.8
−1.0
−1.2
−1.4
− 0.01
− 0.1
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
UNR4111 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
− 0.9 mA
コレクタ電流 IC (mA)
−120
− 0.8 mA
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
−80
− 0.4 mA
− 0.3 mA
−40
− 0.2 mA
− 0.1 mA
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
120
−1
− 0.1
80
40
− 0.01
− 0.1
−1
−10
0
−1
−100
コレクタ電流 IC (mA)
−104
−1 000
−100
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
入力電圧 VIN (V)
−102
2
−100
VIN  IO
VO = −5 V
Ta = 25°C
−103
3
−10
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
4
−1
− 0.1
−10
1
0
− 0.1
−1
−10
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
4
−25°C
−25°C
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
5
Ta = 75°C
25°C
Cob  VCB
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
Ta = 75°C
VCE = −10 V
25°C
−10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
160
IC / IB = 10
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−100
−160
−1
− 0.4
− 0.6
− 0.8
−1.0
−1.2
入力電圧 VIN (V)
SJH00018EJD
−1.4
− 0.01
− 0.1
−1
−10
出力電流 IO (mA)
−100
UNR411x シリーズ
UNR4112 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
− 0.9mA
− 0.8mA
− 0.7mA
− 0.6mA
コレクタ電流 IC (mA)
−120
− 0.5mA
−80
− 0.4mA
− 0.3mA
− 0.2mA
−40
− 0.1mA
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−100
IC / IB = 10
−10
− 0.1
Ta = 75°C
200
25°C
−25°C
100
−25°C
− 0.01
− 0.1
−1
−10
0
−1
−100
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
VO = −5 V
Ta = 25°C
−100
入力電圧 VIN (V)
−102
3
2
−1 000
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
−103
4
−100
VIN  IO
−104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−10
コレクタ電流 IC (mA)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
Ta = 75°C
25°C
Cob  VCB
5
VCE = −10 V
300
−1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
400
直流電流増幅率 hFE
−160
−1
− 0.1
−10
1
0
− 0.1
−1
−10
−1
− 0.4
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
− 0.6
− 0.8
−1.0
−1.2
−1.4
− 0.01
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
UNR4113 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
− 0.9 mA
− 0.8 mA
− 0.7 mA
−120
コレクタ電流 IC (mA)
Ta = 25°C
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
−80
− 0.3 mA
− 0.2 mA
−40
− 0.1 mA
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IB = −1.0 mA
−100
hFE  IC
IC / IB = 10
−10
VCE = −10 V
Ta = 75°C
300
−1
Ta = 75°C
25°C
− 0.1
− 0.01
− 0.1
400
直流電流増幅率 hFE
−160
25°C
200
−25°C
100
−25°C
−1
−10
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00018EJD
−100
0
−1
−10
−100
−1 000
コレクタ電流 IC (mA)
5
UNR411x シリーズ
Cob  VCB
IO  VIN
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
VIN  IO
−104
VO = −5 V
Ta = 25°C
−100
入力電圧 VIN (V)
4
−102
3
2
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
−103
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
6
−1
− 0.1
−10
1
0
− 0.1
−1
−10
−1
− 0.4
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
− 0.6
− 0.8
−1.0
−1.2
−1.4
− 0.01
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
UNR4114 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
コレクタ電流 IC (mA)
−120
− 0.9 mA
− 0.8 mA
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
−80
− 0.4 mA
− 0.3 mA
− 0.2 mA
−40
− 0.1 mA
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−100
IC / IB = 10
−10
Ta = 75°C
25°C
− 0.1
−25°C
100
−1
−10
0
−1
−100
−104
−1 000
入力電圧 VIN (V)
2
−1 000
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−100
−102
3
−100
VIN  IO
VO = −5 V
Ta = 25°C
−103
4
−10
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
25°C
IO  VIN
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−10
−10
−1
1
0
− 0.1
−1
−10
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
6
Ta = 75°C
200
−25°C
− 0.01
− 0.1
Cob  VCB
5
VCE = −10 V
300
−1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
400
直流電流増幅率 hFE
−160
−1
− 0.4
− 0.6
− 0.8
−1.0
−1.2
入力電圧 VIN (V)
SJH00018EJD
−1.4
− 0.1
− 0.1
−1
−10
出力電流 IO (mA)
−100
UNR411x シリーズ
UNR4115 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
− 0.9 mA
− 0.8 mA
− 0.7 mA
コレクタ電流 IC (mA)
−120
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
−80
− 0.3 mA
− 0.2 mA
−40
− 0.1 mA
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
IC / IB = 10
−10
Ta = 75°C
25°C
− 0.1
200
−25°C
−1
−10
0
−1
−100
IO  VIN
VO = −5 V
Ta = 25˚C
−100
入力電圧 VIN (V)
2
−1 000
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
−102
3
−100
VIN  IO
−104
−103
4
−10
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
25°C
100
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
Ta = 75°C
−25°C
− 0.01
−0.1
Cob  VCB
5
VCE = −10 V
300
−1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
400
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−100
−160
−1
− 0.1
−10
1
0
− 0.1
−1
−10
−1
− 0.4
−100
− 0.6
− 0.8
−1.0
−1.2
−1.4
− 0.01
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR4116 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
− 0.9 mA
− 0.8 mA
−120
コレクタ電流 IC (mA)
Ta = 25°C
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
−80
− 0.4 mA
− 0.3 mA
− 0.2 mA
−40
− 0.1 mA
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
hFE  IC
IC / IB = 10
−10
VCE = −10 V
300
−1
Ta = 75°C
25°C
− 0.1
− 0.01
− 0.1
400
直流電流増幅率 hFE
IB = −1.0 mA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−100
−160
Ta = 75°C
200
25°C
−25°C
100
−25°C
−1
−10
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00018EJD
−100
0
−1
−10
−100
−1 000
コレクタ電流 IC (mA)
7
UNR411x シリーズ
Cob  VCB
IO  VIN
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
VIN  IO
−104
VO = −5 V
Ta = 25°C
−100
−103
入力電圧 VIN (V)
4
−102
3
2
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
6
−10
−1
− 0.1
1
0
− 0.1
−1
−10
−1
− 0.4
−100
− 0.6
− 0.8
−1.0
−1.2
−1.4
− 0.01
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR4117 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
IB = −1.0 mA
− 0.9 mA
− 0.8 mA
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
コレクタ電流 IC (mA)
−100
−80
−60
− 0.3 mA
−40
− 0.2 mA
−20
0
− 0.1 mA
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
IC / IB = 10
300
Ta = 75°C
−1
25°C
− 0.1
− 0.01
− 0.1
−1
−10
0
−1
−100
コレクタ電流 IC (mA)
−104
−100
−1 000
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
入力電圧 VIN (V)
2
−100
VIN  IO
VO = −5 V
Ta = 25°C
−102
3
−10
コレクタ電流 IC (mA)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
4
−25°C
−25°C
−103
−10
−1
− 0.1
1
0
−0.1
−1
−10
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
8
25°C
IO  VIN
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
Ta = 75°C
200
100
Cob  VCB
5
VCE = −10 V
−10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
400
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
−100
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−120
−1
− 0.4
− 0.6
− 0.8
−1.0
−1.2
入力電圧 VIN (V)
SJH00018EJD
−1.4
− 0.01
− 0.1
−1
−10
出力電流 IO (mA)
−100
UNR411x シリーズ
UNR4118 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
−100
コレクタ電流 IC (mA)
−200
IB = − 1.0 mA
− 0.9 mA
−160
− 0.8 mA
− 0.7 mA
−120
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
− 0.3 mA
−80
−40
− 0.2 mA
− 0.1 mA
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
IC / IB = 10
−10
Ta = 75°C
25°C
− 0.1
− 0.01
− 0.1
−1
−10
0
−1
−100
コレクタ電流 IC (mA)
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
入力電圧 VIN (V)
2
−1 000
VIN  IO
−102
3
−100
−100
−103
4
−10
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
−104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
25°C
−25°C
−25°C
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
Ta = 75°C
80
40
Cob  VCB
5
VCE = −10 V
120
−1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
160
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−240
−1
− 0.1
−10
1
0
− 0.1
−1
−10
−1
− 0.4
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
− 0.6
− 0.8
−1.0
−1.2
−1.4
− 0.01
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
UNR4119 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
−100
コレクタ電流 IC (mA)
−200
IB = −1.0 mA
− 0.9 mA
− 0.8 mA
− 0.7 mA
−160
−120
−80
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
− 0.3 mA
− 0.2 mA
− 0.1 mA
−40
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
hFE  IC
IC / IB = 10
−10
VCE = −10 V
120
−1
Ta = 75°C
25°C
− 0.1
− 0.01
− 0.1
160
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−240
Ta = 75°C
80
25°C
−25°C
40
−25°C
−1
−10
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00018EJD
−100
0
−1
−10
−100
−1 000
コレクタ電流 IC (mA)
9
UNR411x シリーズ
Cob  VCB
IO  VIN
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
VIN  IO
−104
VO = −5 V
Ta = 25°C
−100
入力電圧 VIN (V)
4
−102
3
2
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
−10
−103
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
6
−1
− 0.1
−10
1
0
− 0.1
−1
−10
−1
− 0.4
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
− 0.6
− 0.8
−1.0
−1.2
−1.4
− 0.01
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
UNR411D 特性図
IC  VCE
コレクタ電流 IC (mA)
−50
Ta = 25˚C
−40
− 0.3 mA
−30
− 0.2 mA
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
−20
− 0.1 mA
−10
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
IC / IB = 10
−10
Ta = 75°C
25°C
− 0.1
− 0.01
− 0.1
−1
0
−1
−100
−104
−100
−1 000
VIN  IO
VO = −5 V
Ta = 25°C
−100
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
入力電圧 VIN (V)
2
−10
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
−10
−102
3
−25°C
−25°C
−103
4
−1
− 0.1
−10
1
0
− 0.1
−1
−10
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
10
25°C
80
IO  VIN
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
Ta = 75°C
40
Cob  VCB
5
VCE = −10 V
120
−1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
160
直流電流増幅率 hFE
IB = − 1.0 mA
− 0.9 mA
− 0.8 mA
VCE(sat)  IC
−100
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−60
−1
−1.5
−2.0
−2.5
−3.0
−3.5
入力電圧 VIN (V)
SJH00018EJD
−4.0
− 0.01
− 0.1
−1
−10
出力電流 IO (mA)
−100
UNR411x シリーズ
UNR411E 特性図
IC  VCE
−40
− 0.3 mA
−30
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
−20
− 0.2 mA
− 0.1 mA
−10
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
IC / IB = 10
−10
Ta = 75°C
25°C
− 0.1
Ta = 75°C
− 0.01
− 0.1
−1
−10
0
−1
−100
IO  VIN
VO = −5 V
Ta = 25°C
−100
入力電圧 VIN (V)
2
−1 000
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
−102
3
−100
VIN  IO
−104
−103
4
−10
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
25°C
−25°C
−25°C
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
200
100
Cob  VCB
5
VCE = −10 V
300
−1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
400
直流電流増幅率 hFE
IB = −1.0 mA
Ta = 25°C
− 0.9 mA
− 0.8 mA − 0.7 mA
−50
コレクタ電流 IC (mA)
VCE(sat)  IC
−100
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−60
−1
− 0.1
−10
1
0
− 0.1
−1
−10
−1
−1.5
−100
−2.0
−2.5
−3.0
−3.5
−4.0
− 0.01
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR411F 特性図
IC  VCE
IB = −1.0 mA
− 0.9 mA
− 0.8 mA
− 0.7 mA
− 0.6 mA
−160
−120
− 0.5 mA
−80
− 0.4 mA
− 0.3 mA
−40
0
− 0.2 mA
0
−2
−4
−6
−8
− 0.1 mA
−10 −12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
hFE  IC
IC / IB = 10
−10
VCE = −10 V
120
−1
Ta = 75°C
25°C
− 0.1
− 0.01
− 0.1
160
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
−200
コレクタ電流 IC (mA)
VCE(sat)  IC
−100
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−240
Ta = 75°C
25°C
80
−25°C
40
−25°C
−1
−10
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00018EJD
−100
0
−1
−10
−100
−1 000
コレクタ電流 IC (mA)
11
UNR411x シリーズ
Cob  VCB
IO  VIN
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
VIN  IO
−104
VO = −5 V
Ta = 25°C
−100
入力電圧 VIN (V)
4
−102
3
2
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
−103
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
6
−1
− 0.1
−10
1
0
− 0.1
−1
−10
−1
− 0.4
−100
− 0.6
− 0.8
−1.0
−1.2
−1.4
− 0.01
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR411H 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
−100
コレクタ電流 IC (mA)
−100
−80
IB = − 0.5 mA
− 0.4 mA
−60
− 0.3 mA
−40
− 0.2 mA
−20
− 0.1 mA
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
−1
Ta = 75°C
25°C
−100
−1 000
3
2
−100
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−1
− 0.1
1
−10
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
25°C
80
−25°C
− 0.01
− 0.1
−1
−10
出力電流 IO (mA)
SJH00018EJD
0
−0.1
−1
−10
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
−10
0
−1
12
−10
VIN  IO
4
Ta = 75°C
120
40
−25°C
−0.01
−1
入力電圧 VIN (V)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
5
160
−0.1
Cob  VCB
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
VCE = −10 V
200
−10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
240
IC / IB = 10
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−120
−100
−100
UNR411x シリーズ
UNR411L 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
−100
コレクタ電流 IC (mA)
−200
−160
IB = −1.0 mA
−120
− 0.8 mA
− 0.6 mA
−80
− 0.4 mA
−40
− 0.2 mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
−1
Ta = 75°C
25°C
−25°C
− 0.1
160
120
80
Ta = 75°C
25°C
−25°C
40
− 0.01
−1
−10
−100
0
−1
−1 000
コレクタ電流 IC (mA)
−10
−100
−1 000
コレクタ電流 IC (mA)
VIN  IO
−100
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
入力電圧 VIN (V)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
VCE = −10 V
200
Cob  VCB
5
IC / IB = 10
−10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
240
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−240
4
3
2
−1
− 0.1
1
0
−1
−10
−100
− 0.01
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR411M 特性図
IC  VCE
− 0.6 mA
− 0.5 mA
−80
− 0.4 mA
−60
− 0.3 mA
−40
− 0.2 mA
−20
− 0.1 mA
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
hFE  IC
200
IC / IB = 33.3
Ta = 75°C
Ta = 75°C
−1
25°C
−25°C
− 0.1
− 0.01
−1
VCE = −10 V
25°C
160
−10
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
− 0.9 mA
−120
− 0.8 mA
− 0.7 mA
−100
コレクタ電流 IC (mA)
VCE(sat)  IC
−100
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−140
−25°C
120
80
40
−10
−100
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00018EJD
−1 000
0
−1
−10
−100
−1 000
コレクタ電流 IC (mA)
13
UNR411x シリーズ
Cob  VCB
10
IO  VIN
f = 1 MHz
Ta = 25°C
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
VIN  IO
−1 000
VO = −5 V
Ta = 25°C
−100
−10
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (mA)
−100
−10
−10
0
−20
−30
−40
− 0.1
−1
− 0.1
−1
1
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
0
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
− 0.5
−1.0
−1.5
−2.0
−2.5
− 0.01
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
UNR411N 特性図
VCE(sat)  IC
− 0.9 mA
− 0.8 mA
− 0.7 mA
− 0.6 mA
コレクタ電流 IC (mA)
−120
−100
− 0.5 mA
−80
− 0.4 mA
− 0.3 mA
−60
−40
− 0.2 mA
−20
− 0.1 mA
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
300
250
Ta = 75°C
− 0.1
25°C
−25°C
IC / IB = 10
− 0.01
− 0.1
0
−10
−20
−1
−10
150
100
0
−1
−100
−30
−40
− 0.5
−1.0
−1.5
−2.0
入力電圧 VIN (V)
SJH00018EJD
−1 000
−100
入力電圧 VIN (V)
0
−100
VIN  IO
VO = −5 V
Ta = 25°C
−10
−1
−10
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
14
200
コレクタ電流 IC (mA)
出力電流 IO (mA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
1
25°C
−25°C
50
Cob  VCB
f = 1 MHz
Ta = 25°C
VCE = −10 V
Ta = 75°C
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
10
hFE  IC
−1
直流電流増幅率 hFE
IB = −1.0 mA
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
−140
−2.5
−10
−1
− 0.1
− 0.1
−1
−10
出力電流 IO (mA)
−100
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術情報のうちで、
「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸
出する時、または、
国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
弊社も
しくは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあ
りません。
(3)
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(4)
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電製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ
す恐れのある用途  特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など )
にご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事
前に弊社営業窓口までご相談願います。
(5)
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改良などのために予告なく変更する場合が
ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、
事前に
最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
(6)
設計に際して、特に最大定格、
動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた
だきますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥に
ついては弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー
ドをご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを
生じさせない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます
ようお願い致します。
(7)
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存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断
り致します。
2003 SEP