ETC XN01871(XN1871)

複合トランジスタ
XN01871 (XN1871)
シリコンNチャネル接合形FET
Unit : mm
2.90+0.20
–0.05
1.9±0.1
(0.95) (0.95)
5
• 1 パッケージに 2 素子内蔵
(FET・ソース共通)
• 実装面積とアセンブリコストの半減が可能
2
1
(0.65)
0.30+0.10
–0.05
■ 基本品種
0.4±0.2
4
1.50+0.25
–0.05
3
2.8+0.2
–0.3
■ 特 長
0.16+0.10
–0.06
5˚
低周波増幅用
1.1+0.2
–0.1
記号
定格
単位
ドレイン・ソース間電圧
項目
VDSX
30
V
ゲート・ドレイン間電圧(S 開放時)
0 to 0.1
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
1 : Gate (FET1)
2 : Gate (FET2)
3 : Drain (FET2)
EIAJ : SC-74A
VGDO
−30
V
ドレイン電流
ID
20
mA
ゲート電流
IG
10
mA
全許容損失
PT
300
mW
チャネル温度
Tch
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
項目
記号
VDS = 10 V, VGS = 0
ゲート・ソース間遮断電流
IGSS
VGS = −30 V, VDS = 0
ゲート・ソース間遮断電圧
VGSC
VDS = 10 V, ID = 10 µA
相互コンダクタンス
gm
Mini5-G1 Package
内部接続図
条件
IDSS
4 : Source
5 : Drain (FET1)
形名表示記号 : 5T
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
ドレイン・ソース間遮断電流
1.1+0.3
–0.1
10˚
• 2SK0198 (2SK198) × 2
3
4
5
FET2
FET1
2
1
最小
標準
0.5
− 0.1
VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 MHz
4
VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 kHz
4
最大
単位
12
mA
−100
nA
−1.5
V
mS
12
入力静電容量(ソース接地)
Ciss
VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 MHz
14
pF
帰還静電容量(ソース接地)
Crss
VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 MHz
3.5
pF
雑音電圧
NV
VDS = 30 V, ID = 1 mA, GV = 80 dB
Rg = 100 kΩ, Function = FLAT
60
mV
注 ) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
注 ) 形名の( )内は，従来品番です
発行年月 : 2004年2月
SJJ00034CJD
1
XN01871
PT  Ta
ID  VDS
500
ID  VGS
9.6
8
VDS = 10 V
Ta = 25°C
8.0
300
200
6
VGS = 0 V
4
− 0.1 V
− 0.2 V
2
100
− 0.3 V
ドレイン電流 ID (mA)
ドレイン電流 ID (mA)
全許容損失 PT (mW)
400
6.4
4.8
Ta = 75°C
3.2
25°C
– 25°C
1.6
− 0.4 V
0
40
80
120
0
160
周囲温度 Ta (°C)
0
2
4
相互コンダクタンス gm (mS)
相互コンダクタンス gm (mS)
16
IDSS = 5.0 mA
8
2.0 mA
4
0
− 0.8
− 0.6
− 0.4
− 0.2
12
2.0 mA
8
4
4
6
8
NF  f
12
VGS = 3 V
f = 1 MHz
Ta = 25°C
VDS = 10 V
ID = 5.2 mA
Ta = 25°C
10
雑音指数 NF (dB)
4
3
2
8
6
4
Rg = 500 Ω
1
2
1 kΩ
1
10
100
ドレイン・ソース間電圧 VDS (V)
2
0
10
102
103
周波数 f (Hz)
SJJ00034CJD
− 0.2
0
8
6
104
Ciss
4
Coss
2
1
10
100
ドレイン・ソース間電圧 VDS (V)
ドレイン電流 ID (mA)
Crss  VDS
− 0.4
VGS = 3 V
f = 1 MHz
Ta = 25°C
0
2
− 0.6
Ciss , Coss  VDS
IDSS = 5.0 mA
0
− 0.8
ゲート・ソース間電圧 VGS (V)
10
16
0
0
5
0
0
−1.0
12
VDS = 10 V
Ta = 25°C
ゲート・ソース間電圧 VGS (V)
帰還静電容量(ソース接地) Crss (pF)
10
gm  ID
20
VDS = 10 V
Ta = 25°C
12
8
ドレイン・ソース間電圧 VDS (V)
gm  VGS
20
6
入力静電容量(ソース接地) Ciss ,
出力静電容量(ソース接地) Coss (pF)
0
105
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術情報のうちで、
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国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
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(3)
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当社はそ
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(4)
本資料に記載されている製品は、標準用途  一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家
電製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ
す恐れのある用途  特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など )
にご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事
前に弊社営業窓口までご相談願います。
(5)
本資料に記載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合が
ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、
事前に
最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
(6)
設計に際して、特に最大定格、
動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた
だきますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥に
ついては弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー
ドをご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを
生じさせない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます
ようお願い致します。
(7)
防湿包装を必要とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保
存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断
り致します。
2003 SEP