ETC 2SB0745(2SB745)

トランジスタ
2SB0745, 2SB0745A (2SB745, 2SB745A)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形
低周波・低雑音増幅用
Unit : mm
2.5±0.1
コレクタ・ベース間電圧 2SB0745
(E 開放時)
2SB0745A
コレクタ・エミッタ間
2SB0745
電圧(B 開放時)
2SB0745A
記号
定格
単位
VCBO
−35
V
−35
VCEO
(1.0)
2.4±0.2
(0.85)
0.45±0.05
0.55±0.1
3
2
(2.5)
−5
V
IC
−50
mA
尖頭コレクタ電流
ICP
−200
mA
コレクタ損失
PC
400
mW
接合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
4.1±0.2
2.0±0.2
V
−55
VEBO
4.5±0.1
3.5±0.1
R 0.9
R 0.7
−55
コレクタ電流
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
(1.5)
1.25±0.05
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
(1.0)
(1.5)
1.0±0.1
• 雑音電圧 NV が低い
• 直流電流増幅率 hFE が高い
• M型パッケージで自動挿入,
手挿入が容易,P板に自立固定で
きる
(0.4)
6.9±0.1
■ 特 長
1
(2.5)
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
M-A1 Package
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
条件
VCBO
IC = −10 µA, IE = 0
VCEO
IC = −2 mA, IB = 0
VEBO
IE = −10 µA, IC = 0
ベース・エミッタ間電圧
VBE
VCE = −1 V, IC = −100 mA
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = −10 V, IE = 0
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時)
ICEO
VCE = −10 V, IB = 0
hFE
VCE = −5 V, IC = −2 mA
コレクタ・ベース間電圧
(E 開放時)
2SB0745
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
2SB0745
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
トランジション周波数
雑音電圧
最大
単位
V
−35
V
−55
2SB0745A
*
標準
−35
−55
2SB0745A
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
最小
VCE(sat)
−5
V
− 0.7
180
IC = −100 mA, IB = −10 mA
fT
VCB = −5 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz
NV
VCE = −10 V, IC = −1 mA, GV = 80 dB
Rg = 100 kΩ, Function = FLAT
−1.0
V
− 0.1
µA
−1
µA
700

− 0.6
150
V
MHz
150
mV
注 ) 1. 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. * : ランク分類
ランク
Q
R
S
hFE1
180 ∼ 360
260 ∼ 520
360 ∼ 700
注 ) 形名の( )内は,従来品番です
発行年月 : 2003年1月
SJC00050BJD
1
2SB0745, 2SB0745A
PC  Ta
IC  VCE
IC  I B
−160
500
−160
Ta = 25°C
VCE = −5 V
Ta = 25°C
−140
コレクタ電流 IC (mA)
200
−300 µA
−250 µA
−100
−200 µA
−80
−150 µA
−60
−100 µA
−40
100
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
−2
−4
−6
−8
−10
IB  VBE
VCE = −5 V
Ta = 25°C
VCE = −5 V
25°C
ベース電流 IB (µA)
コレクタ電流 IC (mA)
−600
−400
−200
Ta = 75°C
−25°C
−80
−60
−40
− 0.6
− 0.8
0
−1.0
0
− 0.4
− 0.8
hFE  IC
トランジション周波数 fT (MHz)
VCE = −5 V
直流電流増幅率 hFE
Ta = 75°C
300
25°C
−25°C
200
100
0
− 0.1
−1
−10
コレクタ電流 IC (mA)
2
−100
−1.6
−2.0
300
200
100
1
10
エミッタ電流 IE (mA)
SJC00050BJD
− 0.5
−10
−1
Ta = 75°C
25°C
−25°C
− 0.01
− 0.1
−1
−10
−100
コレクタ電流 IC (mA)
Cob  VCB
VCB = −5 V
Ta = 25°C
400
0
0.1
− 0.4
IC / IB = 10
fT  I E
500
400
−1.2
500
− 0.3
−100
ベース・エミッタ間電圧 VBE (V)
ベース・エミッタ間電圧 VBE (V)
600
− 0.2
ベース電流 IB (mA)
− 0.1
−20
− 0.4
− 0.1
VCE(sat)  IC
−120
−100
− 0.2
0
IC  VBE
−800
0
0
−12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
周囲温度 Ta (°C)
0
−40
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
0
−80
−50 µA
−20
0
−120
100
20
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
コレクタ損失 PC (mW)
300
−120
コレクタ電流 IC (mA)
IB = −350 µA
400
IE = 0
f = 1 MHz
Ta = 25°C
16
12
8
4
0
− 0.1
−1
−10
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
2SB0745, 2SB0745A
NV  VCE
NV  VCE
NV  IC
160
160
IC = −1 mA
GV = 80 dB
Function = FLAT
IC = −1 mA
GV = 80 dB
Function = RIAA
280
240
Rg = 100 kΩ
80
22 kΩ
0
−1
200
160
120
80
22 kΩ
40
4.7 kΩ
Rg = 100 kΩ
80
22 kΩ
40
4.7 kΩ
4.7 kΩ
−10
0
−1
−100
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
−10
0
− 0.01
−100
− 0.1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
NV  Rg
NV  Rg
NV  IC
280
120
Rg = 100 kΩ
雑音指数 NV (mV)
雑音指数 NV (mV)
雑音指数 NV (mV)
120
40
VCE = −10 V
GV = 80 dB
Function = FLAT
−1
160
VCE = −10 V
GV = 80 dB
Function = RIAA
VCE = −10 V
GV = 80 dB
Function = FLAT
240
VCE = −10 V
GV = 80 dB
Function = RIAA
280
240
200
160
120
Rg = 100 kΩ
80
0
− 0.01
80
IC = −1 mA
− 0.5 mA
4.7 kΩ
− 0.1
コレクタ電流 IC (mA)
−1
0
200
160
120
80
40
22 kΩ
40
雑音指数 NV (mV)
雑音指数 NV (mV)
雑音指数 NV (mV)
120
1
IC = −2 mA
− 0.1 mA
10
信号源抵抗 Rg (kΩ)
SJC00050BJD
40
100
0
− 0.5 mA
− 0.1 mA
1
10
100
信号源抵抗 Rg (kΩ)
3
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、
ま
たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
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弊社もし
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(3)
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(4)
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通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
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弊社営業窓口までご相談願います。
(5)
本資料に記載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご使用に際しましては、
事前に最新
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(6)
設計に際して、
特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
半導体製品について通常予測される故障発生率、
故障モード
をご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、
火災事故、
社会的な損害などを生じ
させない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう
お願い致します。
(7)
防湿包装を必要とする製品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、
開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複製することを堅くお断り
いたします。
2002 JUL