ETC DAP403

DAN 403 (200 mW)
Dioden Sätze mit Allzweckdioden
Small Signal Diode Arrays
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
200 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
9 Pin-Plastic case
9 Pin-Kunststoffgehäuse
80 V
13 x 3.5 x 6.6 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
0.6 g
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Dimensions / Maße in mm
see page 22
s. Seite 22
4 independent elements – 4 einzelne Bauelemente
Maximum ratings
Type
Typ
DAN 403
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
80
80
Max. average forward rectified current, R-load,
for one diode operation only
per diode for simultaneous operation
TA = 25/C
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
für eine einzelne Diode
pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb
TU = 25/C
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25/C
1
IFAV
IFAV
100 mA 1)
50 mA 1)
IFAV
IFAV
100 mA 1)
50 mA 1)
IFSM
500 mA
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
360
28.02.2002
DAN 403 (200 mW)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
Characteristics
– 50…+150/C
– 50…+150/C
Kennwerte
Forward voltage
Durchlaßspannung
Tj = 25/C
IF = 10 mA
VF
< 1.0 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25/C
VR = 20 V
IR
< 25 nA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA through/über
IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA
trr
< 4 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 85 K/W 1)
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
28.02.2002
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