华晶分立器件 FA641TB 高频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 FA641TB 硅 NPN 型超高频大功率晶体管 主要用于 VHF 电视发射机与差转机以及通讯等其 他电子设备中作射频功率放大 该产品具有良好的电性能和可靠性 其特点如下 功率增益高 电流特性好 线性好 互调失真小 15 24.1 封装形式 H3b 见图 14 0.2 4.4 二次击穿耐量高 M8 5 2 电特性 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符号 C VCE0 35 V 集电极-基 极电压 VCB0 60 V 发射极-基 极电压 VEB0 4 V IC 5 A Ptot 70 W 结温 Tj 150 贮存温度 Tstg -55 +150 集电极电流 耗散功率 (Tc=25) E E 33 集电极-发射极电压 型号标志 单位 4.8 额定值 B 4.8 33 2.2 电特性 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 ICB0 IEB0 VCB=40V IE=0 VEB=3V IC=0 hFE VCE=5V IC=2A VCE sat IC=3A IB=0.6A 输出功率 VCC=28V Pi=18W PO 功率增益 GP 输出电容 Cob 测 试 条 件 f=400MHz VCC=28V PO=45W f=400MHz 规 范 值 最小 典型 最大 5 5 15 单位 mA mA 80 1.5 45 V W 4.0 dB VCB=28V IE=0 70 f=1MHz pF 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5803016 华晶分立器件 FA641TB 3 特性曲线 安全工作区 Ptot - Tcase 关系曲线 Ptot (W) Ic(A) Tcase=25 80 1 60 40 0.1 20 0.01 0.1 0 10 1 VcE(V) hFE - Ic 关系曲线 hFE 0 50 100 Tcase ( ) VCEsat - Ic 关系曲线 V CEsat (V) Tamb=25 VCE=5V Tamb=25 hFE=5 1 10 0.1 1 0.01 0.1 1 IC(A) 第 2 页 1 共 2 页 10 IC(A)