2SC5868 トランジスタ 中電力増幅用 (60V, 0.5A) 2SC5868 z外形寸法図 (Unit : mm) TSMT3 0.4 (1) (3) 1.9 0.3 0.6 1.0MAX 0.85 0 0.1 (1) Base (2) Emitter (3) Collector 0.7 0.16 (2) 0.95 0.95 2.8 1.6 2.9 z特長 1) スイッチング速度が速い。 ( Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA) 2) VCE (sat) が低い。 (Typ. : 75mV at IC = 100mA, IB = 10mA) 3) 安全動作領域が広く、インダクタンス負荷及び コンデンサ負荷に強い。 4) 2SA2090 とコンプリである。 各端子とも同寸法 標印略記号：VS z用途 低周波増幅、高速スイッチング z構造 NPN エピタキシャルプレーナ形 シリコントランジスタ z包装仕様 包装名 Type テーピング 記号 TL 基本発注単位 (個) 3000 2SC5868 z絶対最大定格 (Ta=25°C) Symbol Limits Unit コレクタ・ベース間電圧 VCBO 60 V コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO 60 V エミッタ・ベース間電圧 VEBO 6 V 直流 IC 0.5 A パルス ICP 1.0 A コレクタ損失 PC 500 mW ジャンクション温度 Tj 150 °C Tstg −55~150 °C Parameter コレクタ電流 保存温度 ∗1 ∗2 ∗1 Pw=10ms ∗2 端子を推奨ランドに実装した場合 1/3 2SC5868 トランジスタ z電気的特性 (Ta=25°C) Parameter コレクタ・エミッタ降伏電圧 コレクタ・ベース降伏電圧 エミッタ・ベース降伏電圧 コレクタ遮断電流 エミッタ遮断電流 Symbol BVCEO BVCBO BVEBO ICBO IEBO Min. 60 60 6 − − Typ. − − − − − Max. − − − 1.0 1.0 Unit V V V µA µA コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE (sat) − 75 300 mV hFE 120 − 390 − fT − 300 − MHz コレクタ出力容量 Cob − 5 − pF ターンオン時間 蓄積時間 下降時間 Ton Tstg Tf − − − 70 130 80 − − − ns ns ns 直流電流増幅率 利得帯域幅積 Condition IC=1mA IC=100µA IE=100µA VCB=40V VEB=4V IC=100mA IB=10mA VCE=2V IC=50mA VCE=10V IE= −100mA f=10MHz VCB=10V IE=0mA f=1MHz IC=500mA IB1=50mA IB2= −50mA VCC 25V ∗1 ∗1 ∗2 ∗1 単発パルス ∗2 スイッチング測定回路図参照 zhFE ランク分類 Q 120−270 R 180−390 z電気的特性曲線 DC Single non repetitive Pulsed 0.01 0.1 1 10 Tstg 100 Ton 10 0.01 100 Tf 0.1 1 1000 100 Ta=125°C Ta=25°C Ta= −40°C 10 1 0.001 10 VCE=2V 0.01 0.1 1 COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V) COLLECTOR CURRENT : IC (A) COLLECTOR CURRENT : IC (A) Fig.1 Safe Operating Area Fig.2 Switching Time Fig.3 DC Current Gain vs. Collector Current (Ι) 10 Ta=25°C 100 VCE=5V VCE=3V VCE=2V 10 1 0.001 0.01 0.1 COLLECTOR CURRENT : IC (A) Fig.4 DC Current Gain vs. Collector Current (ΙΙ) 1 1 Ta=125°C Ta=25°C Ta= −40°C 0.1 0.01 0.001 10 IC / IB=10 / 1 COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE (sat) (V) 1000 DC CURRENT GAIN : hFE SWITCHING TIME : (ns) 0.1 100ms 10ms 1ms 500µs COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE (sat) (V) COLLECTOR CURRENT : IC (A) 1 Ta=25°C VCC=25V IC / IB=10 / 1 DC CURRENT GAIN : hFE 1000 10 0.01 0.1 1 COLLECTOR CURRENT : IC (A) Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current (Ι) Ta=25°C 1 IC / IB=20 / 1 IC / IB=10 / 1 0.1 0.01 0.001 0.01 0.1 1 COLLECTOR CURRENT : IC (A) Fig.6 Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current (ΙΙ) 2/3 2SC5868 トランジスタ 1 Ta=125°C Ta=25°C Ta= −40°C 0.1 0.01 0.001 0.01 0.1 COLLECTOR CURRENT : IC (A) COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF) 0.1 1000 Ta=25°C VCE=10V 100 10 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V) Fig.7 Base-Emitter Saturation Voltage vs. Collecter Current 100 Ta=125°C Ta=25°C Ta= −40°C 0.01 1 VCE=2V TRANSITION FREQUENCY : fT (MHz) 1 IC / IB=10 / 1 COLLECTOR CURRENT : IC (A) BASE EMITTER SATURATION VOLTAGE : VBE (sat) (V) 10 1 0.001 0.01 0.1 1 10 EMITTER CURRENT : IE (A) Fig.8 Grounded Emitter Propagation Characteristics Fig.9 Transition Frequency Ta=25°C f=1MHz 10 1 0.1 1 10 100 BASE TO COLLECTOR VOLTAGE : VCB (V) Fig.10 Collector Output Capacitance zスイッチング特性測定回路図 RL=50 Ω VIN IB1 IC VCC 25V PW IB2 PW 50 S Duty cycle 1% IB1 IB2 ベース電流波形 90% IC コレクタ電流波形 10% Ton Tstg Tf 3/3