ETC BUH100/D

ON Semiconductor
BUH100
SWITCHMODE NPN Silicon
Planar Power Transistor
POWER TRANSISTOR
10 AMPERES
700 VOLTS
100 WATTS
The BUH100 has an application specific state–of–art die designed
for use in 100 Watts Halogen electronic transformers.
This power transistor is specifically designed to sustain the large
inrush current during either the start–up conditions or under a short
circuit across the load.
This High voltage/High speed product exhibits the following main
features:
• Improved Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements:
•
•
High and Flat DC Current Gain hFE
Fast Switching
Robustness Thanks to the Technology Developed to Manufacture
this Device
ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and
Reproducible Parametric Distributions
CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO
400
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
VCBO
700
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
VCES
700
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
10
Vdc
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
IC
ICM
10
20
Adc
Base Current — Continuous
Base Current — Peak (1)
IB
IBM
4
10
Adc
*Total Device Dissipation @ TC = 25C
*Derate above 25°C
PD
100
0.8
Watt
W/C
TJ, Tstg
–65 to 150
C
RθJC
RθJA
1.25
62.5
TL
260
Operating and Storage Temperature
THERMAL CHARACTERISTICS
C/W
Thermal Resistance
— Junction to Case
— Junction to Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
1/8″ from case for 5 seconds
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 2
1
Publication Order Number:
BUH100/D
BUH100
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
VCEO(sus)
400
460
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(ICBO = 1 mA)
VCBO
700
860
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IEBO = 1 mA)
VEBO
10
12.5
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, IB = 0)
ICEO
100
µAdc
OFF CHARACTERISTICS
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCES, VEB = 0)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ICES
100
1000
µAdc
Collector Base Current
(VCB = Rated VCBO, VEB = 0)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ICBO
100
1000
µAdc
IEBO
100
µAdc
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc)
@ TC = 25°C
VBE(sat)
1
1.1
Vdc
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VCE(sat)
0.37
0.37
0.6
0.6
Vdc
0.5
0.6
0.75
1.5
Vdc
(IC = 7 Adc, IB = 1.5 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
DC Current Gain (IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
DC Current Gain (IC = 5 Adc, VCE = 5 Vdc)
hFE
15
16
24
28
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
10
10
15
14.5
—
DC Current Gain (IC = 7 Adc, VCE = 5 Vdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
8
7
12
10.5
—
DC Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 5 Vdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
6
4
9.5
8
—
1.1
V
—
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
VCE(dsat)
(
)
IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc
VCC = 300 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
2.1
V
IC = 7.5 Adc, IB1 = 1.5 Adc
VCC = 300 V
@ TC = 25°C
1.7
V
@ TC = 125°C
5
V
fT
23
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob
100
150
pF
Input Capacitance
(VEB = 8 Vdc, f = 1 MHz)
Cib
1300
1750
pF
Dynamic Saturation
V lt
Voltage:
Determined 3 µs after
rising IB1 reaches
90% of final IB1
(See Figure 19)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth
(IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
http://onsemi.com
2
BUH100
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 µs)
Turn–on Time
Turn–off Time
IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0.2
0 2 Adc
VCC = 300 Vdc
Turn–on Time
Turn–off Time
IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0.4
0 4 Adc
VCC = 300 Vdc
Turn–on Time
Turn–off Time
IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc
IB2 = 1 Adc
VCC = 300 Vdc
Turn–on Time
Turn–off Time
IC = 7.5 Adc, IB1 = 1.5 Adc
IB2 = 1.5
1 5 Adc
VCC = 300 Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton
130
140
200
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
6.8
8.5
8
µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton
140
150
200
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
3.4
4.3
4
µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton
250
800
500
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
2.9
3.6
3.5
µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton
500
900
700
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
2.1
2.5
2.5
µs
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 µH)
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tfi
150
180
250
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tsi
5.1
5.8
6
µs
Crossover Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
230
300
325
ns
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tfi
150
170
250
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tsi
2.5
2.8
3
µs
Crossover Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
260
300
350
ns
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tfi
100
140
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tsi
2.9
4.6
3.5
µs
Crossover Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
220
450
300
ns
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tfi
100
150
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tsi
2
2.5
2.5
µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
250
475
350
ns
Storage Time
Storage Time
Storage Time
Storage Time
Crossover Time
IC = 1 Adc
IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0.2 Adc
IC = 1 Adc
IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0.5 Adc
IC = 5 Adc
IB1 = 1 Adc
IB2 = 1 Adc
IC = 7.5 Adc
IB1 = 1.5 Adc
IB2 = 1.5 Adc
http://onsemi.com
3
BUH100
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
100
100
VCE = 3 V
TJ = 125°C
TJ = -20°C
10
1
0.001
hFE , DC CURRENT GAIN
hFE , DC CURRENT GAIN
VCE = 1 V
TJ = 25°C
0.1
1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125°C
TJ = -20°C
10
1
0.001
10
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
10
10
IC/IB = 5
VCE = 5 V
TJ = 125°C
TJ = -20°C
10
1
0.01
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
hFE , DC CURRENT GAIN
0.1
1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 2. DC Current Gain @ 3 Volt
100
TJ = 25°C
0.1
1
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
TJ = 25°C
0.1
TJ = -20°C
TJ = 125°C
0.01
0.001
100
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 3. DC Current Gain @ 5 Volt
1.5
10
IC/IB = 10
IC/IB = 5
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25°C
1
TJ = 25°C
0.1
TJ = -20°C
TJ = 125°C
0.01
0.001
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
TJ = -20°C
0.5
TJ = 125°C
0
0.001
10
TJ = 25°C
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage
0.01
1
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. Base–Emitter Saturation Region
http://onsemi.com
4
10
BUH100
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
2
1.5
TJ = 25°C
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
IC/IB = 10
1
TJ = -20°C
TJ = 25°C
0.5
TJ = 125°C
0
0.001
0.1
1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
8A
5A
1
3A
2A
0.5
VCE(sat)
(IC = 1 A)
0
0.01
10
0.1
1
IB, BASE CURRENT (A)
10
Figure 8. Collector Saturation Region
Figure 7. Base–Emitter Saturation Region
10000
900
Cib
1000
100
TJ = 25°C
TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
BVCER @ 10 mA
800
BVCER (VOLTS)
C, CAPACITANCE (pF)
15 A
10 A
1.5
Cob
700
600
500
BVCER(sus) @ 500 mA, 25 mH
10
1
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
400
100
10
Figure 9. Capacitance
100
1000
RBE (Ω)
10000
Figure 10. Resistive Breakdown
http://onsemi.com
5
100000
BUH100
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
2500
10
IB1 = IB2
VCC = 300 V
PW = 40 µs
8
IC/IB = 10
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1500
t, TIME (s)
µ
t, TIME (ns)
2000
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1000
6
IB1 = IB2
VCC = 300 V
PW = 20 µs
IC/IB = 5
4
125°C
500
2
0
0
2
IC/IB = 10
IC/IB = 5
25°C
4
6
8
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
10
0
Figure 11. Resistive Switching Time, ton
10
6
5
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
IC/IB = 10
5
t, TIME (s)
µ
IC/IB = 5
t, TIME (s)
µ
4
6
8
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 12. Resistive Switch Time, toff
7
4
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
3
2
3
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1
2
7
4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1
0
10
1
Figure 13. Inductive Storage Time, tsi
7
4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 13 Bis. Inductive Storage Time, tsi
600
800
TJ = 125°C
TJ = 25°C
600
tc
t, TIME (ns)
400
TJ = 125°C
TJ = 25°C
tc
t, TIME (ns)
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
tfi
200
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
400
tfi
200
0
1
7
4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
10
1
Figure 14. Inductive Storage Time,
tc & tfi @ IC/IB = 5
4
7
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 15. Inductive Storage Time,
tc & tfi @ IC/IB = 10
http://onsemi.com
6
10
BUH100
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
4
200
3
150
t fi , FALL TIME (ns)
IC = 5 A
2
IC = 7.5 A
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0
2
4
6
hFE, FORCED GAIN
100
IBoff = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
50
0
10
8
3
4
IC = 5 A
TJ = 125°C
TJ = 25°C
6
7
hFE, FORCED GAIN
5
800
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
700
600
IC = 7.5 A
500
400
300
200
100
IC = 5 A
TJ = 125°C
TJ = 25°C
3
4
8
Figure 17. Inductive Fall Time
Figure 16. Inductive Storage Time
t c , CROSSOVER TIME (ns)
tsi , STORAGE TIME (µs)
IC = 7.5 A
5
6
7
hFE, FORCED GAIN
8
9
Figure 18. Inductive Crossover Time, tc
http://onsemi.com
7
10
9
10
BUH100
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
10
VCE
9
IC
dyn 1 µs
tfi
tsi
7
dyn 3 µs
6
5
0V
10% IC
10% Vclamp
Vclamp
tc
4
90% IB
90% IB1
IB
3
1 µs
IB
90% IC
8
2
1
3 µs
0
TIME
Figure 19. Dynamic Saturation Voltage
Measurements
0
1
2
3
4
TIME
5
6
7
8
Figure 20. Inductive Switching Measurements
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
+15 V
1 µF
150 Ω
3W
100 Ω
3W
VCE PEAK
MTP8P10
MPF930
MUR105
MPF930
+10 V
VCE
RB1
Iout
A
50 Ω
500 µF
150 Ω
3W
IB1
IB
IB2
RB2
MJE210
COMMON
IC PEAK
100 µF
MTP8P10
MTP12N10
1 µF
-Voff
http://onsemi.com
8
V(BR)CEO(sus)
L = 10 mH
RB2 = ∞
VCC = 20 Volts
IC(pk) = 100 mA
Inductive Switching
L = 200 µH
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
RBSOA
L = 500 µH
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
BUH100
TYPICAL THERMAL RESPONSE
POWER DERATING FACTOR
1
SECOND BREAKDOWN
DERATING
0.8
0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20
40
100
60
80
120
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
140
160
Figure 21. Forward Bias Power Derating
TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 24. At any
case temperatures, thermal limitations will reduce the power
that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown. For inductive loads, high
voltage and current must be sustained simultaneously during
turn–off with the base to emitter junction reverse biased. The
safe level is specified as a reverse biased safe operating area
(Figure 23). This rating is verified under clamped conditions
so that the device is never subjected to an avalanche mode.
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC–VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate. The data of Figure 22 is
based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on power
level. Second breakdown pulse limits are valid for duty
cycles to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second
breakdown limitations do not derate the same as thermal
limitations. Allowable current at the voltages shown on
Figure 22 may be found at any case temperature by using the
appropriate curve on Figure 21.
12
1 ms
10
5 ms
1
DC
10 µs
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
100
1 µs
EXTENDED
SOA
0.1
GAIN ≥ 5
8
6
4
-5 V
2
0V
0.01
10
100
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0
1000
TC ≤ 125°C
LC = 2 mH
10
200
Figure 22. Forward Bias Safe Operating Area
-1.5 V
300
400
600
700
500
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 23. Reverse Bias Safe Operating Area
http://onsemi.com
9
800
BUH100
TYPICAL THERMAL RESPONSE
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
(NORMALIZED)
1
0.5
0.2
0.1
0.1
P(pk)
0.05
t1
0.02
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
0.01
0.01
0.1
1
RθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 1.25°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
10
t, TIME (ms)
Figure 24. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUH100
http://onsemi.com
10
100
1000
BUH100
PACKAGE DIMENSIONS
TO–220AB
CASE 221A–09
ISSUE AA
–T–
B
SEATING
PLANE
C
F
T
S
4
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
A
Q
1 2 3
U
H
K
Z
L
R
V
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
J
G
D
N
http://onsemi.com
11
INCHES
MIN
MAX
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
----0.080
MILLIMETERS
MIN
MAX
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
----2.04
BUH100
SWITCHMODE is a trademark of Semiconductor Components Industries, LLC.
ON Semiconductor and
are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
NORTH AMERICA Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: [email protected]
Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support
German Phone: (+1) 303–308–7140 (Mon–Fri 2:30pm to 7:00pm CET)
Email: [email protected]
French Phone: (+1) 303–308–7141 (Mon–Fri 2:00pm to 7:00pm CET)
Email: [email protected]
English Phone: (+1) 303–308–7142 (Mon–Fri 12:00pm to 5:00pm GMT)
Email: [email protected]
CENTRAL/SOUTH AMERICA:
Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)
Email: [email protected]
Toll–Free from Mexico: Dial 01–800–288–2872 for Access –
then Dial 866–297–9322
ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support
Phone: 1–303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time)
Toll Free from Hong Kong & Singapore:
001–800–4422–3781
Email: [email protected]
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: [email protected]
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781
*Available from Germany, France, Italy, UK, Ireland
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
http://onsemi.com
12
BUH100/D