华晶分立器件 3CT501 管壳额定反向阻断三极闸流晶体管 1 概述与特点 3CT501 型三极闸流晶体管 主要用于漏电保护器 电子点火器及其他控制电路中 该产品具 有较高的可靠性 其特点如下 断态峰值电压高 漏电流小 控制极触发电流离散性小 1.5 通态峰值电压低 封装形式 TO-92 2 电特性 10 A 0.1 -40 110 W 4.2max 标志 2max 单位 V V A 12.7min 额 定 值 500 500 1 5.3max 5.3max 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 VDRM 断态重复峰值电压 VRRM 反向重复峰值电压 IT(AV) 通态平均电流 通态 不重复 浪涌 ITSM 电流 PG(AV) 控制极平均功率 Tstg 贮存温度 0.45 0.45 2.54 K G A 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 通态峰值电压 VTM 断态重复峰值电流 IDRM1 维持电流 IH 控制极触发电流 测 试 条 件 最小 IT=1A VDRM=500V RGK=1k VD=6V IGT1 VAK=6V RL=100 控制极触发电压 VGT1 控制极不触发电压 VGD VAK=6V RL=100 VDM=400V Tj=110 RGK=1k 规 范 值 典型 最大 1.7 5 30 67 140 0.5 0.1 单位 V 0. 05 mA 5 50 93 135 250 0.8 mA A A A A V V 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3CT501 3 特性曲线 IGT - Ta 关系曲线 IGT( A) i iT - vT 关系曲线 T (mA) 8000 160 Tj=25 tot-case 4000 1000 80 300 100 0 -40 50 0 40 80 120 Ta( 第 2 页 0.9 ) 共 2 页 1.3 1.7 2.1 2.5 v (V) T