华晶分立器件 3DD13003 G6 低频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 2 电特性 标 记 符号 VCE0 VCB0 VEB0 IC 额定值 400 600 9 1.5 1.25 50 150 -55 150 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A 1.27 15.0min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 30 11.1max 4.4max 3DD13003G6 硅 NPN 型功率开关晶体管 主要用于电子节能灯 电子镇流器的功率开关电路 其特点如下 击穿电压高 反向漏电小 饱和压降低 电流特性好 开关速度快 2.8max 7.8max 高温特性好 3.2max 封装形式 TO-126 0.74 W 1.65 2.29 2.29 B C 0.5 E 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 下降时间 贮存时间 ICB0 IEB0 VCB=600V, IE=0 VEB=9V, IC=0 hFEa VCE=5V, IC=0.25A hFE1/ hFE2 VCE sata VBE sata tf ts 特征频率 fT a: 脉冲测试 tp 300 s, 测 试 条 件 hFE1:VCE=5V, IC=5mA hFE2:VCE=5V, IC=250mA 规 范 值 最小 典型 最大 0.1 0.1 10 0.75 mA mA 40 0.9 IC=500mA, IB=100mA IC=500mA, IB=100mA VCC=60V, IC=0.6A 2IB1=-IB2=0.2A VCE=10V, IC=100mA f=1MHz 单位 0.6 1.2 0.5 2.5 5 V V s s MHz 2% 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DD13003G6 3 特性曲线 Ptot - T 关系曲线 安全工作区(直流) IC (A) Ptot (W) Tcase=25 Ptot-Tcase 40 1 30 20 0.1 10 Ptot-Tamb 0.01 1 10 100 VCE (V) 0 50 100 T( ) VCEsat - IC 关系曲线 hFE - IC 关系曲线 hFE VCEsat (V) Tamb=25 IC/IB=5 Tamb=25 VCE=5V 1 10 0.1 1 0.01 0.1 1 IC(A) 0.01 0.1 VBEsat - IC 关系曲线 V BEsat (V) Tamb=25 IC/IB=5 1.2 0.8 0.4 0.1 1 IC(A) 第 2 页 共 2 页 1 IC(A)