ETC 3DD13003W6

华晶分立器件
3DD13003W6
低频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
4.4max
3DD13003W6 硅 NPN 型功率开关晶体管 主要用于低压电子节能灯 电子镇流器的功率开关
电路 其特点如下
高温特性好
开关速度快
饱和压降低
电流特性好
封装形式 TO-126
2.8max
7.8max
30
标 记
符号
VCE0
VCB0
VEB0
IC
额定值
200
350
9
2
1.5
50
150
-55 150
Ptot
Tj
Tstg
单位
V
V
V
A
1.27
15.0min
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
Ta=25
耗散功率
Tc=25
结温
贮存温度
3.2max
11.1max
2 电特性
0.74
W
1.65
2.29 2.29
B
C
0.5
E
2.2 电特性
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
下降时间
贮存时间
ICB0
IEB0
VCB=350V, IE=0
VEB=9V, IC=0
hFEa
VCE=10V ,IC=0.5A
VCE sata
VBE sata
tf
ts
IC=1.5A, IB=0.5A
IC=1.5A, IB=0.5A
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp 300 s,
测 试 条 件
VCC=60V, IC=1A
2IB1=-IB2=0.2A
VCE=10V, IC=200mA
f=1MHz
规 范 值
最小 典型 最大
0.1
0.1
10
单位
mA
mA
40
1
1.5
0.5
2.5
4
V
V
s
s
MHz
2%
无锡华晶微电子股份有限公司
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电话
0510 5807228-2268 2299
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传真
0510 5803016
华晶分立器件
3DD13003W6
3 特性曲线
安全工作区(直流)
Ptot - T 关系曲线
Ptot (W) 50
45
IC (A)
Tcase=25
Ptot-Tcase
35
1
25
0.1
15
5
Ptot-Tamb
0.01
1
10
100
0
VCE (V)
100
50
hFE - IC 关系曲线
T( )
VCEsat - IC 关系曲线
hFE
VCEsat (V)
Tamb=25
VCE=10V
Tamb=25
IC/IB=3
1
10
0.1
1
0.01
0.01
0.1
0.1
IC (A)
1
VBEsatt - IC 关系曲线
V
BEsat
(V)
Tamb=25
IC/IB=3
1.2
0.8
0.4
0.1
1
IC (A)
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IC (A)