Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 238 S 08...12 S Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak forward reverse voltage T vj = - 40°C...Tvj max VRRM 800 1000 1200 V V V Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage T vj = + 25°C...Tvj max VRSM 900 1100 1300 V V V IFRMSM 455 A IFAVM 238 290 A A IFSM 3800 3200 7800 6600 A A A A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current TC = 85°C TC = 73°C Stoßstrom-Grenzwert surge foward current T vj = 25°C, tp = 10 ms T vj = Tvj max, tp = 10 ms T vj = 25°C, tp = 1 ms T vj = Tvj max, tp = 10 ms Grenzlastintegral I²t-value T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = Tvj max, I²t 72200 51200 30420 21780 tp = 10 ms T vj = 25°C, tp = 1ms T vj = Tvj max, tp = 10 ms A²s A²s A²s A²s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage T vj = Tvj max, iF = 900 A Schleusenspannung threshold voltage vF max. V(TO) 2,7 V 1,45 V 1,1 mΩ typ. 3,9 V 1) tfr typ. 3,2 µs 1) iR max. max. 10 50 mA mA IRM 32 A 1) Qr 22 µAs 1) µs 1) Ersatzwiderstand forward slope resistance T vj = Tvj max rT Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung typical value of forward recovery voltage IEC 747-2 VFRM T vj = Tvj max diF/dt=50A/µs, vR=0V Durchlaßverzögerungszeit forward recovery time IEC 747-2, Methode / method II T vj = Tvj max, iFM=diF/dt*tfr diF/dt=50A/µs, vR=0V Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current T vj = 25°C, vR=VRRM T vj = Tvj max, vR = VRRM DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =290A,-diF/dt=50A/µs vR<=100 V, vRM=200 V Sperrverzögerungsladung recovered charge DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =290 A,-diF/dt=50A/µs vR<=100 V, vRM=200 V Sperrverzögerungszeit reverse recovered time DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max trr 1,15 iFM =290 A,-diF/dt=50A/µs vR<=100 V, vRM=200 V Sanftheit Softness T vj = Tvj max iFM = µs/A 2) SR A,-diF/dt=500A/µs vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM 1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) 2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value) SZ-M / 10.11.87 Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 238 S 08...12 S Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resitance, junction to case Kühlfläche / cooling surface RthJC beidseitig / two-sided, Θ =180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, Θ =180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, Θ =180°sin Kathode / cathode, DC Übergangs- Wärmewiderstand thermal resitance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface max. max. max. max. max. max. 0,080 0,075 0,125 0,120 0,205 0,200 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W max max 0,015 0,030 °C/W °C/W RthCK beidseitig / two-sided einseitig / single-sided Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature T vj max 125 °C Betriebstemperatur operating temperature T c op -40...+125 °C Lagertemperatur storage temperature T stg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Seite 3 page 3 21 Anpreßkraft clamping force F Gewicht weight G 3,2...7,6 typ. Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz kN 60 g 17 mm C 50 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 10.11.87 mm Seite/page 2 m/s² Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode SZ-M / 10.11.87 D 238 S 08...12 S Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 238 S 08...12 S Kühlung Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC cooling Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n beidseitig Rthn [°C/W] two-sided τ n [s] anodenseitig Rthn [°C/W] anode-sided τ n [s] kathodenseitig Rthn [°C/W] cathode-sided τ n [s] 1 2 3 4 5 0,0003 0,00675 0,00585 0,0322 0,0299 0,000067 0,00082 0,00905 0,0597 0,497 0,00044 0,00806 0,0171 0,0295 0,0649 0,000082 0,00107 0,0261 0,121 3,56 0,0088 0,0215 0,0312 0,138 0,000086 0,00121 0,0345 0,223 3,513 0,0005 n max Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = =∑ 6 Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn )) n=1 SZ-M / 10.11.87 Seite/page 4 7 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 238 S 08...12 S 1.200 1.100 1.000 900 800 iF [A] 700 600 500 400 300 200 100 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 vF [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF) T SZ-M / 10.11.87 vj = T vj max Seite/page 5 3,5