ETC DBFT150R12KE3B420

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
!
"#
#
!
$
$
/
$
#
/
6
!
7
#
!
<
# +
=
<
$
"#
#
$
7
!
%&' ( )*
+,-.
%, ( 0 *
%, ( )*
1, 234
1,
8(
1,:;
# 9 %, ( 0 *
%, ( )*
"#
#
$
<
$
=
<
$
$
$
$
$
$
+?- (
<
$
" $
$ !
Q != !
!
<
$
=
$ !
5
7 C
"#
#
#
#
$ 7
# T
5
T
T
V
!
!
U
U
T
U
6
$
5
$
$
1
[
C# =
#
9`
V
V
V
V
$
V
V
U
V
"
7
H?
6
?K2>
MN79 %&' ( )* 9 +,- ( ) +9 +?- (
+
KOD
(
MN79 %&' ( )* 9 +,- ( ) +9 +?- (
+
ROD
+,- (
7S$
$ 7
# T
7S$
$ 7
# T
7 T
# T
@ )+
(
+,- (
! $
"
+?->G
%&' ( )*
7 C
"#
#
+,- DE>
#59 +,- ( +?-9 %&' ( )*
)+
+9 +?- (
+9 +?- (
@A
+
#
1, ( ) 59 +?- ( ) +9 %&' ( )*
1, ( ) 59 +?- ( ) +9 %&' ( )*
1, ( F9
$
1
P
$
5
5
5
+?-.
$
C $
)
6>3>
Charakteristische Werte / characteristic values
!
+
+9 %&' ( )*
+9 %&' ( )*
# B
9 )
9
9
)9
)90
F9)
+
+
+
9I
J
)9
L
9)
P
9I
P
1,-.
)9
#5
1?-.
I
5
1, ( ) 59 +,- ( F +
+?- ( W ) +9 ?32 ( 9I L9 %&' ( )*
+?- ( W ) +9 ?32 ( 9I L9 %&' ( )*
X 32
9 0
9
J
J
1, ( ) 59 +,- ( F +
+?- ( W ) +9 ?32 ( 9I L9 %&' ( )*
+?- ( W ) +9 ?32 ( 9I L9 %&' ( )*
R
9 I
9 )
J
J
1, ( ) 59 +,- ( F +
+?- ( W ) +9 ?3YY ( 9I L9 %&' ( )*
+?- ( W ) +9 ?3YY ( 9I L9 %&' ( )*
X 3YY
9)
9F)
J
J
1, ( ) 59 +,- ( F +
+?- ( W ) +9 ?3YY ( 9I L9 %&' ( )*
+?- ( W ) +9 ?3YY ( 9I L9 %&' ( )*
Y
9
9
J
J
1, ( ) 59 +,- ( F +9 U. (
N
+?- ( W ) +9 ?32 ( 9I L9 %&' ( )*
+?- ( W ) +9 ?32 ( 9I L9 %&' ( )*
"32
F9)
9
#Z
#Z
1, ( ) 59 +,- ( F +9 U. (
N
+?- ( W ) +9 ?3YY ( 9I L9 %&' ( )*
+?- ( W ) +9 ?3YY ( 9I L9 %&' ( )*
"3YY
I9
9
#Z
#Z
8\
%&'\
1.,
J 9 +?- \ ) +
)* 9 +,, ( ] +9 +,-4E^ ( +,-. UD,- _ A
1<a%
1<a%
>Gb,
1
F
5
9 0
A
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
6
7
$
!
/
/
$
$
=
+::;
#
6
7
#
8(
$
#
+: (
+9 8 (
$
=
1c ( ) 59 +?- (
1c ( ) 59 +?- (
$
Q !
!
#
7
7S$
$
$
$
5
$
1
6
$
# 9 %&' (
)*
!
T
a
!
a
#
#
1
1:;
]
1c ( ) 59 cA ( I
5AJ
+: ( F +9 +?- ( ) +9 %&' ( )*
+: ( F +9 +?- ( ) +9 %&' ( )*
HR
9
9
J
J
1c ( ) 59 cA ( I
5AJ
+: ( F +9 +?- ( ) +9 %&' ( )*
+: ( F +9 +?- ( ) +9 %&' ( )*
"ROe
9
#Z
#Z
*
*
gh
F *
A
# B
9I
#L
i
jj4kl
6
%>&'3j
m/
m`
9 I
#
+
+
5
5
9
>Gb,
%e ( 0 *
C# =
#
V
# B
9 )
1c ( ) 59
cA ( I
5AJ
+: ( F +9 +?- ( ) +9 %&' ( )*
+: ( F +9 +?- ( ) +9 %&' ( )*
/
7
5d
9F)
9F)
%e (
% #
#
I))
#
+9 %&' ( )*
+9 %&' ( )*
9`
=
5
1d
Strommesswiderstand / shunt
f
5
+c
C# =
#
)
1c:;
Charakteristische Werte / characteristic values
/
+
1c
7
=
!
<
1d
%&' ( )*
>Gb,
!
2
I
*
9]
A
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
1
6Q
$
M 9 ( ) N79 (
$
M
#
Q
9)
!+
51g q
!
!
+ $
#
+n.op
1
$
U
#
7
= $
B
! $
!
!
Q !S
! A
A #
#
#
!
!
Q !S
! A
A #
#
#
$
!
9
!
9)
%1
r
##
##
)
#
s
$
#
$
M
C# =
9
!
M
t8ED>O (
!
A
#
AT#_ V A tuROEDO (
AT#_ V
C
9
]
A
UD,-
#
M
5
#
>G,v
# B
$ =
N
9
Q
%, ( )* 9
9
A
=
,,wx--w
9I
#L
#
NS
7 C
# B# #`
% #
#
$
#
%&' 4E^
#
#
=
U $
$
#
$
5 7 $
#
$
#
# #
y
#
a
$
$
A
= M)
< =
= $
)
*
%&' 3j
I
)
*
%D>u
I
)
*
M
9
F9
<
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
3
f#
$
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
5
$
$ !
1<a%
1<a%
T
T
V
5
$
$ !
1, ( T+,-V
+?- ( ) +
1, ( T+,-V
%&' ( )*
300
300
%&' ( )*
%&' ( )*
240
240
210
210
180
180
150
120
90
90
60
60
30
30
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
+,- z+{
s
V
V
150
120
0
T
T
+?- ( ]+
+?- ( +
+?- ( )+
+?- ( +
+?- ( +
+?- ( ]+
270
1, z5{
1, z5{
270
1<a%
1<a%
V
$
$
!
! 1<a%
1<a%
T
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
+,- z+{
T
V
V
1<a%
=
$
1<a%
"32 ( T1,V9 "3YY ( T1,V
+?- ( W ) +9 ?32 ( 9I L9
%&' ( )*
1, ( T+?-V
+,- (
+
300
T
T
V
V
?3YY ( 9I L9 +,- ( F
+9
40
%&' ( )*
%&' ( )*
270
"32
"3YY
35
240
30
210
25
" z#Z{
1, z5{
180
150
120
20
15
90
10
60
5
30
0
5
6
7
8
9
10
11
0
12
+?- z+{
0
50
100
150
1, z5{
4
200
250
300
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
1<a%
T
=
$
1<a% 1
T
"32 ( T ?V9 "3YY ( T ?V
+?- ( W ) +9 1, ( ) 59 +,- ( F
V
%
C# =
# #
V
1<a%
1<a%
|>Gb, ( T V
+9 %&' (
)*
35
1
"32
"3YY
30
|>Gb, 1<a%
|>Gb, z A {
" z#Z{
25
20
15
0,1
10
I
5
Kz A {
Kz {
0
0
3
6
9
12
15
18
21
0,01
0,001
24
9
9
0,01
5
1<a%
1<a%
$
1, ( T+,-V
+?- ( W ) +9
?3YY ( 9I L9 %&' (
]
9
9
]
FI
9 ] F
9 F
0,1
9 ))]
9 FI]]
1
10
z {
? zL{
Q !=C
I
T a }5V
T a }5V
/
[!
=
1c ( T+cV
/
T
T
V
V
)*
350
300
270
300
%&' ( )*
%&' ( )*
240
250
210
180
1c z5{
1, z5{
200
150
150
120
90
100
60
50
0
1,9 M
1,9
0
200
400
30
600
800
1000
1200
0
1400
+,- z+{
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
+c z+{
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
/
=
$
"ROe ( T1cV
?32 ( 9I L9 +,- ( F
T
V
T
/
=
$
"ROe ( T ?V
1c ( ) 59 +,- ( F
V
+9 %&' (
)*
20
"ROe
)*
"ROe
18
16
16
14
14
12
12
" z#Z{
" z#Z{
+9 %&' (
V
V
20
18
10
10
8
8
6
6
4
4
2
2
0
0
0
50
100
150
200
250
300
0
1c z5{
%
C# =
# #
/
1
|>Gb, /
0,1
I
Kz A {
Kz {
0,01
0,001
0,01
9
9
FI
]
9
9
0,1
3
6
9
12
? zL{
|>Gb, ( T V
|>Gb, z A {
T
T
]
FI
9
9
I
F
1
9 I 0
9 FI]]
10
z {
6
15
18
21
24
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
7