注文コード No. N 5 4 9 7 A 2SK2557 No. N 5 4 9 7 A 70999 開発速報 No. ※ 5497 とさしかえてください。 2SK2557 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ DC / DC コンバータ用超高速スイッチング ・低オン抵抗 。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 VDSS ゲート・ソース電圧 ドレイン電流（DC） 30 ドレイン電流（パルス） 許容損失 VGSS ID IDP PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% PD セラミック基板(1000mm2 × 0.8mm)装着時 チャネル温度 保存周囲温度 Tch Tstg 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0 ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS VDS=30V, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 IGSS VGS= ± 20V, VDS=0 unit V ± 25 7 V A 48 2.0 A W 150 − 55 ∼＋ 150 ℃ ℃ min 30 max unit V 100 ± 10 µA µA 2.5 V S 37 60 mΩ mΩ typ ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス VGS(off) yfs VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=7A 1.0 8 ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 RDS(on)2 ID=7A, VGS=10V ID=4A, VGS=4V 入力容量 出力容量 Ciss Coss VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 800 630 帰還容量 Crss VDS=10V, f=1MHz 130 10 27 42 pF pF pF 次ページへ続く。 外形図 2116 (unit : mm) 5 1 4 1.8max 0.595 1.27 0.43 0.1 1.5 5.0 6.0 4.4 0.3 8 0.2 1 : Source 2 : Source 3 : Source 4 : Gate 5 : Drain 6 : Drain 7 : Drain 8 : Drain SANYO：SOP8 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 70999 SI IM / O3097 TS 寿◎祝田 TA-0476 / 21596 YK 寿◎丹野 No.5497-1/2 2SK2557 前ページより続く。 min typ max unit ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 td(on) tr 指定回路において 〃 15 175 ns ns ターンオフ遅延時間 下降時間 td(off) tf 〃 〃 75 55 ns ns 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 Qs Qgs VDS=10V, VGS=10V, ID=1A 26 4 nC nC ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qgd VSD IS=7A, VGS=0 8 1.0 1.2 nC V 140 160 スイッチングタイム測定回路図 VDD=15V VIN 10V 0V ID=7A RL=2.1Ω VIN PW=10µs D.C.≦1% D VOUT G 2SK2557 50Ω P.G S ASO 7 5 IDP 3 2.0 10 ms 許容損失, PD -- W ドレイン電流, ID -- A 2 10 7 5 10 0m s 3 2 DC 1.0 op Operation in this area is limited by RDS(on). 7 5 3 er ati on 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V セ ラ 1.6 ミ ッ ク 基 1.2 板 (1 00 0.8 0m m2 × 0. 8m m )装 着 0.4 Ta=25°C 1パルス セラミック基板(1000mm2×0.8mm)装着時 2 PD -- Ta 2.4 100µs 1m s 時 0 2 3 5 ITR02821 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 ITR02822 PS No.5497-2/2