华晶分立器件 3DA4544 高频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DA4544 硅 NPN 型高频高压大功率晶体管 适用于彩色电视机色输出电路及行推动电路 其 特点如下 击穿电压高 反向漏电流小 饱和压降低 4.5 10 0.1 封装形式 TO-220F 2.7 2 电特性 15 0.1 3.2 符号 VCB0 VCE0 VEB0 IC 额定值 300 300 7 0.1 2 10 150 -55 150 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A W 2.3 0.1 13.2 0.1 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 0.6 2.55 2.55 B C 0.6 0.05 E 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 ICB0 发射极-基极截止电流 IEB0 共发射极正向电流传输比 hFE 的静态值 集电极-发射极饱和电压 VCEsat 特征频率 fT 脉冲测试 tp 300 s, 2% hFE 分档 R 30---80 O 60---120 测 试 条 件 VCB=300V, IE=0 VEB=7V, IC=0 VCE=10V IC=20mA IC=10mA, IB=1mA VCE=10V, IC=20mA 规 范 值 最小 典型 最大 1 1 30 单位 A A 200 1 50 V MHz Y 100---200 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DA4544 3 特性曲线 安全工作区(直流) IC (A) Ptot - T 关系曲线 Ptot (W) Tcase=25 8 Ptot-Tcase 0.1 6 4 0.01 2 0.001 1 Ptot-Tam 0 10 100 VCE (V) 0 hFE - IC 关系曲线 hFE VCEsat (V) Tamb=25 VCE=10V 1 10 0.1 1 0.01 0.1 TC ( ) VCEsat - IC 关系曲线 100 0.001 100 50 Ic (A) 第 2 页 0.01 0.001 共 2 页 Tamb=25 IC/IB=10 0.01 Ic (A)