华晶分立器件 3DG2383 高频放大环境额定双极型晶体管 1 概述与特点 2.1 3DG2383 硅 NPN 型高频高压小功率晶体管 适用于一般高频放大电路 其特点如下 电流容量大 饱和压降低 击穿电压高 封装形式 TO-92MOD 2 电特性 符号 VCE0 VCB0 VEB0 IC Ptot Tj Tstg 额定值 160 160 6 1.0 0.9 150 -55 150 单位 V V V A W 12.7min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 耗散功率(Ta=25 ) 结温 贮存温度 5.1max 8.7max 6.1max 0.5 1.45 0.5 1.45 E C B 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 ICB0 IEB0 VCB=150V, IE=0 VEB=6V ,IC=0 共发射极正向电流传输比 的静态值 hFE VCE=5V, IC=200mA 集电极-发射极饱和电压 特征频率 VCEsat fT R O Y IC=500mA, IB=50mA VCE=5V ,IC=200mA 规 范 值 最小 典型 最大 1 1 60 120 100 200 160 320 1.5 20 单位 A A V MHz 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DG2383 3 特性曲线 IC-VCE 关系曲线 Ptot-Tamb 关系曲线 Ptot(W) IC (A) 8m 0.8 0.90 0.6 0.45 0.4 2mA 0.2 0 IB=1mA 0 2 4 6 0 8 VCE (V) 50 T( ) VCEsat-IC 关系曲线 hFE-IC 关系曲线 hFE 100 Tamb=25 VCE=5V VCEsat (V) Tamb=25 IC/IB=10 1 100 0.1 10 0.001 0.01 0.1 IC (A) 第 2 页 0.01 0.1 共 2 页 1 IC (A)