ETC BUD44D2/D

ON Semiconductor
BUD44D2
High Speed, High Gain Bipolar
NPN Power Transistor with
Integrated Collector-Emitter
Diode and Built-in Efficient
Antisaturation Network
POWER TRANSISTORS
2 AMPERES
700 VOLTS
25 WATTS
The BUD44D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar
transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot
minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for
light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an
hFE window.
Main features:
• Low Base Drive Requirement
• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA
• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the
H2BIP Structure which Minimizes the Spread
• Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode
• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)
• Six Sigma Process Providing Tight and Reproductible Parameter
CASE 369–07
Spreads
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
• It’s characteristics make it also suitable for PFC application.
MAXIMUM RATINGS
VCEO
400
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
VCBO
700
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
VCES
700
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
12
Vdc
IC
2
5
Adc
1
2
Adc
PD
25
0.2
Watt
W/C
TJ, Tstg
–65 to 150
C
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
Base Current — Continuous
Base Current — Peak (1)
*Total Device Dissipation @ TC = 25C
*Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature
ICM
IB
IBM
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance
— Junction to Case
— Junction to Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/8″ from case for 5 seconds
C/W
RθJC
RθJA
5
71.4
TL
260
MINIMUM PAD SIZES RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
6.7
0.265
6.7
Collector–Emitter Sustaining Voltage
CASE 369A–13
1.6
0.063
0.265″
Unit
1.8
Value
30
Symbol
0.118 .070″
Rating
1.6
0.063
2.3
2.3
0.090 0.090
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev.2
1
Publication Order Number:
BUD44D2/D
BUD44D2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
VCEO(sus)
400
470
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(ICBO = 1 mA)
VCBO
700
920
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IEBO = 1 mA)
VEBO
12
14.5
Vdc
OFF CHARACTERISTICS
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, IB = 0)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ICEO
50
500
µAdc
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 125°C
ICES
50
500
100
µAdc
IEBO
100
µAdc
Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0)
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc)
VBE(sat)
Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.78
0.65
0.9
0.8
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.87
0.76
1
0.9
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.45
0.67
0.65
1
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.25
0.27
0.4
0.5
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.28
0.35
0.5
0.6
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 0.4 Adc, IB = 20 mAdc)
DC Current Gain
(IC = 0.4 Adc, VCE = 1 Vdc)
VCE(sat)
Vdc
hFE
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
20
18
32
26
(IC = 1 Adc, VCE = 1 Vdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
10
7
14
9.5
(IC = 2 Adc, VCE = 5 Vdc)
@ TC = 25°C
8
11
—
DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
(IEC = 0.2 Adc)
VEC
0.8
1
(IEC = 0.2 Adc)
@ TC = 125°C
0.6
(IEC = 0.4 Adc)
@ TC = 25°C
0.9
1.2
(IEC = 1 Adc)
@ TC = 25°C
1.1
1.5
Forward Recovery Time (see Figure 22 bis)
(IF = 0.2 Adc, di/dt = 10 A/µs)
V
@ TC = 25°C
Tfr
415
@ TC = 25°C
(IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/µs)
@ TC = 25°C
390
(IF = 1 Adc, di/dt = 10 A/µs)
@ TC = 25°C
340
http://onsemi.com
2
ns
BUD44D2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
Dynamic Saturation
Voltage:
Determined 1 µs and
3 µs respectively
after rising IB1
reaches 90% of final
IB1
IC = 0.4 A
IB1 = 40 mA
VCC = 300 V
IC = 1 A
IB1 = 0
0.2
2A
VCC = 300 V
@ 1 µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ 3 µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.5
1.3
@ 1 µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
4.4
12.8
@ 3 µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.5
1.8
VCE(dsat)
V
3.3
6.8
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
fT
13
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob
50
75
pF
Input Capacitance
(VEB = 8 Vdc)
Cib
240
500
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 µs)
Turn–on Time
Turn–off Time
IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0.5
0 5 Adc
VCC = 300 Vdc
Turn–on Time
Turn–off Time
IC = 0.5 Adc, IB1 = 50 mAdc
IB2 = 250 mAdc
VCC = 300 Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton
90
105
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
1.1
1.5
1.25
µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton
600
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
1000
ns
http://onsemi.com
3
400
600
750
1300
BUD44D2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 µH)
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
110
105
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
0.55
0.7
0.75
µs
Crossover Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
85
80
150
ns
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
100
90
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
1.05
1.45
1.5
µs
Crossover Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
100
100
175
ns
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
110
180
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
2.35
µs
Crossover Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
180
400
300
ns
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
150
175
225
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
1.95
µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
250
ns
Storage Time
Storage Time
Storage Time
Storage Time
Crossover Time
IC = 0.4 Adc
IB1 = 40 mAdc
IB2 = 0.2 Adc
IC = 1 Adc
IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0.5 Adc
IC = 0.8 Adc
IB1 = 160 mAdc
IB2 = 160 mAdc
IC = 0.4 Adc
IB1 = 40 mAdc
IB2 = 40 mAdc
http://onsemi.com
4
2.05
2.8
1.65
2.2
150
330
BUD44D2
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
100
100
VCE = 5 V
80
hFE , DC CURRENT GAIN
hFE , DC CURRENT GAIN
VCE = 1 V
TJ = 125°C
60
TJ = 25°C
40
TJ = -20°C
20
0
0.001
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
80
TJ = 125°C
60
TJ = 25°C
40
TJ = -20°C
20
0
0.001
10
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
10
TJ = 25°C
3
IC/IB = 5
2A
1.5 A
1A
2
10
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volt
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
4
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
400 mA
1
TJ = 25°C
TJ = 125°C
1
TJ = -20°C
IC = 200 mA
0
1
10
100
IB, BASE CURRENT (mA)
0.1
0.001
1000
Figure 3. Collector Saturation Region
10
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
10
IC/IB = 20
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
IC/IB = 10
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 25°C
1
TJ = 125°C
TJ = -20°C
TJ = 25°C
1
TJ = 125°C
TJ = -20°C
0.1
0.001
1
0.01
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
0.001
10
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage
0.01
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. Collector–Emitter Saturation Voltage
http://onsemi.com
5
1
BUD44D2
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
10
10
IC/IB = 10
1
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
IC/IB = 5
TJ = -20°C
TJ = 125°C
1
TJ = -20°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
0.1
0.001
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
0.001
10
Figure 7A. Base–Emitter Saturation Region
10
Figure 7B. Base–Emitter Saturation Region
10
10
1
FORWARD DIODE VOLTAGE (VOLTS)
IC/IB = 20
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = -20°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1
0.001
0.01
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
25°C
1
125°C
0.1
0.01
1
Figure 7C. Base–Emitter Saturation Region
1
0.1
REVERSE EMITTER-COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 8. Forward Diode Voltage
http://onsemi.com
6
10
BUD44D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
1000
1000
TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
TJ = 125°C
TJ = 25°C
800
IC/IB = 10
IBon = IBoff
VCC = 300 V
PW = 40 µs
100
t, TIME (ns)
C, CAPACITANCE (pF)
Cib (pF)
Cob (pF)
10
600
400
IC/IB = 5
200
1
1
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
0.2
100
1.4
0.8
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 9. Capacitance
4000
IC/IB = 10
3500
Figure 10. Resistive Switch Time, ton
2.5
2
IC/IB = 5
t, TIME (s)
µ
t, TIME (s)
µ
3
IBon = IBoff
VCC = 300 V
PW = 40 µs
3000
2500
2000
1000
1.5
1
1500
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.5
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
0.4
2
600
t, TIME (ns)
4
IC/IB = 5
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
500
400
TJ = 125°C
TJ = 25°C
tc
300
200
tfi
3
IC = 1 A
2
1
0
1
0.5
1.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
2
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
IC = 0.3 A
100
0
2
Figure 12. Inductive Storage Time,
tsi @ IC/IB = 5
t si , STORAGE TIME (µs)
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
1.6
0.8
1.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 11. Resistive Switch Time, toff
700
2
3
Figure 13. Inductive Switching,
tc & tfi @ IC/IB = 5
6
9
hFE, FORCED GAIN
12
Figure 14. Inductive Storage Time
http://onsemi.com
7
15
BUD44D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
700
t fi , FALL TIME (ns)
600
500
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1000
400
300
200
100
0
5
7
11
9
hFE, FORCED GAIN
13
800
400
200
0
15
3
6
Figure 15. Inductive Fall Time
900
2000
700
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
500
400
300
IC/IB = 10
200
IBon = IBoff
VCC = 15 V
100
0
0.4
1000
IC/IB = 10
0
2
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
IBon = IBoff
VCC = 15 V
2500 VZ = 300 V
LC = 200 µH
IB = 100 mA
IB = 500 mA
0
0.5
1
1.5
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
2000
1500
IC/IB = 20
1000
IB = 200 mA
0
2
3000
IB = 50 mA
1000
1.6
0.8
1.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.4
Figure 18. Inductive Switching, tc
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
2000
TJ = 125°C
TJ = 25°C
500
VZ = 300 V
LC = 200 µH
1.2
0.8
1.6
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC/IB = 5
15
IC/IB = 20
Figure 17. Inductive Switching, tfi
3000
12
IBoff = IC/2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
1500
IC/IB = 20
600
9
hFE, FORCED GAIN
Figure 16. Inductive Crossover Time
TJ = 125°C
TJ = 25°C
800
IC = 1 A
600
IC = 0.3 A
IC = 1 A
3
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
IC = 0.3 A
t c , CROSSOVER TIME (ns)
IBoff = IBon
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
500
3
2.5
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0
Figure 19. Inductive Storage Time, tsi
IC/IB = 10
0.5
1
1.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 20. Inductive Storage Time, tsi
http://onsemi.com
8
2
BUD44D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
10
VCE
90% IC
IC
9
dyn 1 µs
8
dyn 3 µs
6
0V
tfi
tsi
7
10% Vclamp
Vclamp
5
10% IC
tc
4
90% IB
3
1 µs
IB
90% IB1
IB
2
1
3 µs
0
TIME
1
0
Figure 21. Dynamic Saturation
Voltage Measurements
2
3
4
TIME
6
7
Figure 22. Inductive Switching Measurements
VFRM
VFR (1.1 VF unless otherwise specified)
VF
VF
tfr
0.1 VF
0
IF
10% IF
0
5
2
6
4
8
Figure 22 bis. tfr Measurements
http://onsemi.com
9
10
8
BUD44D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
+15 V
1 µF
150 Ω
3W
100 Ω
3W
VCE PEAK
MTP8P10
MPF930
VCE
RB1
MUR105
MPF930
+10 V
IC PEAK
100 µF
MTP8P10
IB1
Iout
IB
A
50 Ω
MJE210
COMMON
150 Ω
3W
500 µF
IB2
RB2
V(BR)CEO(sus)
L = 10 mH
RB2 = ∞
VCC = 20 Volts
IC(pk) = 100 mA
MTP12N10
1 µF
-Voff
Inductive Switching
L = 200 µH
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
RBSOA
L = 500 µH
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
440
TJ = 25°C
BVCER (VOLTS)
1000
BVCER (VOLTS) @ 10 mA
900
800
700
600
BVCER(sus) @ 200 mA
500
400
10
100
RBE (Ω)
t fr , FORWARD RECOVERY TIME (ns)
1100
400
380
360
340
320
300
1000
dI/dt = 10 A/µs
TC = 25°C
420
0
Figure 23. BVCER
0.5
1
1.5
IF, FORWARD CURRENT (AMP)
Figure 24. Forward Recovery Time tfr
http://onsemi.com
10
2
BUD44D2
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369–07
ISSUE M
SCALE 1:1
C
B
V
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
E
R
4
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
R
S
V
A
1
2
3
S
–T–
SEATING
PLANE
K
J
F
H
D
MILLIMETERS
MIN
MAX
5.97
6.35
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.84
1.01
0.94
1.19
2.29 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
8.89
9.65
4.45
5.46
1.27
2.28
0.77
1.27
3 PL
0.13 (0.005)
G
INCHES
MIN
MAX
0.235
0.250
0.250
0.265
0.086
0.094
0.027
0.035
0.033
0.040
0.037
0.047
0.090 BSC
0.034
0.040
0.018
0.023
0.350
0.380
0.175
0.215
0.050
0.090
0.030
0.050
M
T
DPAK
CASE 369A–13
ISSUE AA
–T–
C
B
V
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
SEATING
PLANE
E
R
4
Z
A
S
1
2
3
U
K
F
J
L
H
D
G
2 PL
0.13 (0.005)
M
T
http://onsemi.com
11
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
INCHES
MIN
MAX
0.235
0.250
0.250
0.265
0.086
0.094
0.027
0.035
0.033
0.040
0.037
0.047
0.180 BSC
0.034
0.040
0.018
0.023
0.102
0.114
0.090 BSC
0.175
0.215
0.020
0.050
0.020
--0.030
0.050
0.138
---
MILLIMETERS
MIN
MAX
5.97
6.35
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.84
1.01
0.94
1.19
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.45
5.46
0.51
1.27
0.51
--0.77
1.27
3.51
---
BUD44D2
ON Semiconductor and
are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
NORTH AMERICA Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: [email protected]
Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support
German Phone: (+1) 303–308–7140 (Mon–Fri 2:30pm to 7:00pm CET)
Email: [email protected]
French Phone: (+1) 303–308–7141 (Mon–Fri 2:00pm to 7:00pm CET)
Email: [email protected]
English Phone: (+1) 303–308–7142 (Mon–Fri 12:00pm to 5:00pm GMT)
Email: [email protected]
CENTRAL/SOUTH AMERICA:
Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)
Email: [email protected]
Toll–Free from Mexico: Dial 01–800–288–2872 for Access –
then Dial 866–297–9322
ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support
Phone: 1–303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time)
Toll Free from Hong Kong & Singapore:
001–800–4422–3781
Email: [email protected]
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: [email protected]
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781
*Available from Germany, France, Italy, UK, Ireland
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
http://onsemi.com
12
BUD44D2/D