ETC BUL44D2/D

ON Semiconductor
High Speed, High Gain Bipolar
NPN Power Transistor with
Integrated Collector-Emitter
Diode and Built-in Efficient
Antisaturation Network
BUL44D2
POWER TRANSISTORS
2 AMPERES
700 VOLTS
50 WATTS
The BUL44D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar
transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot
minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for
light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an
hFE window.
Main features:
• Low Base Drive Requirement
• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA
• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the
H2BIP Structure which Minimizes the Spread
• Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode
• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)
• “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter
Spreads
It’s characteristics make it also suitable for PFC application.
CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO
400
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
VCBO
700
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
VCES
700
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
12
Vdc
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
IC
ICM
2
5
Adc
Base Current — Continuous
Base Current — Peak (1)
IB
IBM
1
2
Adc
*Total Device Dissipation @ TC = 25C
*Derate above 25°C
PD
50
0.4
Watt
W/C
TJ, Tstg
–65 to 150
C
RθJC
RθJA
2.5
62.5
TL
260
Operating and Storage Temperature
THERMAL CHARACTERISTICS
C/W
Thermal Resistance
— Junction to Case
— Junction to Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
1/8″ from case for 5 seconds
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 2
1
Publication Order Number:
BUL44D2/D
BUL44D2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
VCEO(sus)
400
470
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(ICBO = 1 mA)
VCBO
700
920
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IEBO = 1 mA)
VEBO
12
14.5
Vdc
OFF CHARACTERISTICS
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, IB = 0)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ICEO
50
500
µAdc
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 125°C
ICES
50
500
100
µAdc
IEBO
100
µAdc
Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0)
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc)
VBE(sat)
Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.78
0.65
0.9
0.8
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.87
0.76
1
0.9
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.25
0.27
0.4
0.5
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.28
0.35
0.5
0.6
(IC = 0.4 Adc, IB = 20 mAdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.45
0.67
0.65
1
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc)
DC Current Gain
(IC = 0.4 Adc, VCE = 1 Vdc)
(IC = 1 Adc, VCE = 1 Vdc)
VCE(sat)
Vdc
hFE
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
20
18
32
26
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
10
7
14
9.5
—
DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
(IEC = 1 Adc)
VEC
1.1
1.5
(IEC = 0.4 Adc)
@ TC = 25°C
0.9
1.2
(IEC = 0.2 Adc)
@ TC = 25°C
0.8
1
(IEC = 0.2 Adc)
@ TC = 125°C
Forward Recovery Time (see Figure 22 bis)
(IF = 0.2 Adc, di/dt = 10 A/µs)
V
@ TC = 25°C
0.6
Tfr
415
@ TC = 25°C
(IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/µs)
@ TC = 25°C
390
(IF = 1 Adc, di/dt = 10 A/µs)
@ TC = 25°C
340
http://onsemi.com
2
ns
BUL44D2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
@ 1 µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ 3 µs
VCE(dsat)
3.3
6.8
V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.5
1.3
V
@ 1 µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
4.4
12.8
V
@ 3 µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.5
1.8
V
fT
13
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob
50
75
pF
Input Capacitance
(VEB = 8 Vdc)
Cib
240
500
pF
450
600
600
ns
1000
ns
Dynamic Saturation
Voltage:
Determined 1 µs and
3 µs respectively
after rising IB1
reaches 90% of final
IB1
IC = 0.4 A
IB1 = 40 mA
VCC = 300 V
IC = 1 A
IB1 = 0
0.2
2A
VCC = 300 V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 µs)
Turn–on Time
Turn–off Time
IC = 0.5 Adc, IB1 = 50 mAdc
IB2 = 250 mAdc
VCC = 300 Vdc
Turn–on Time
Turn–off Time
IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0.5
0 5 Adc
VCC = 300 Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton
90
105
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
1.1
1.5
1.25
µs
http://onsemi.com
3
700
1300
BUL44D2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 µH)
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
110
105
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
0.55
0.70
0.75
µs
Crossover Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
85
80
150
ns
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
100
90
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
1.05
1.45
1.5
µs
Crossover Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
100
100
175
ns
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
110
180
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
2.35
µs
Crossover Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
180
400
300
ns
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
150
175
225
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
1.95
µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
250
ns
Storage Time
Storage Time
Storage Time
Storage Time
Crossover Time
IC = 0.4 Adc
IB1 = 40 mAdc
IB2 = 0.2 Adc
IC = 1 Adc
IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0.5 Adc
IC = 0.8 Adc
IB1 = 160 mAdc
IB2 = 160 mAdc
IC = 0.4 Adc
IB1 = 40 mAdc
IB2 = 40 mAdc
http://onsemi.com
4
2.05
2.8
1.65
2.2
150
330
BUL44D2
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
100
100
VCE = 5 V
hFE , DC CURRENT GAIN
hFE , DC CURRENT GAIN
VCE = 1 V
80
TJ = 125°C
60
TJ = 25°C
40
TJ = -20°C
20
0
0.001
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
80
TJ = 125°C
60
TJ = 25°C
40
TJ = -20°C
20
0
0.001
10
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
10
IC/IB = 5
3
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25°C
2A
2
1.5 A
1A
1
1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
400 mA
IC = 200 mA
1
10
100
IB, BASE CURRENT (mA)
TJ = -20°C
0.1
0.001
1000
Figure 3. Collector Saturation Region
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
10
IC/IB = 20
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
IC/IB = 10
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
10
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volt
4
0
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1
TJ = 125°C
TJ = -20°C
TJ = -20°C
0.1
0.001
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
0.001
10
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage
0.01
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. Collector–Emitter Saturation Voltage
http://onsemi.com
5
1
BUL44D2
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
10
10
IC/IB = 10
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
IC/IB = 5
TJ = -20°C
1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1
0.001
1
0.01
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1
0.001
10
Figure 7A. Base–Emitter Saturation Region
FORWARD DIODE VOLTAGE (VOLTS)
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
10
10
IC/IB = 20
TJ = -20°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1
0.001
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 7B. Base–Emitter Saturation Region
10
1
TJ = -20°C
1
0.01
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.1
0.01
1
Figure 7. Base–Emitter Saturation Region
25°C
125°C
1
0.1
REVERSE EMITTER-COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 8. Forward Diode Voltage
http://onsemi.com
6
10
BUL44D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
1000
1000
TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
IBon = IBoff
VCC = 300 V
PW = 40 µs
800
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
t, TIME (ns)
C, CAPACITANCE (pF)
Cib (pF)
Cob (pF)
10
600
IC/IB = 10
400
IC/IB = 5
200
1
1
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
100
0.2
Figure 9. Capacitance
3
IC/IB = 10
3500
IBon = IBoff
VCC = 300 V
PW = 40 µs
2.5
2
t, TIME (s)
µ
t, TIME (s)
µ
3000
2500
2000
1.5
1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1500
0
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.5
IC/IB = 5
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
2
TJ = 125°C
TJ = 25°C
600
t, TIME (ns)
4
IC/IBon = 5
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
500
400
TJ = 125°C
TJ = 25°C
tc
300
200
tfi
3
IC = 1 A
2
1
1
0.5
1.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
2
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
IC = 0.3 A
100
0
2
Figure 12. Inductive Storage Time,
tsi @ IC/IB = 5
t si , STORAGE TIME (µs)
700
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
1.6
1.2
0.8
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.4
Figure 11. Resistive Switch Time, toff
0
2
Figure 10. Resistive Switch Time, ton
4000
1000
0.8
1.4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3
Figure 13. Inductive Switching,
tc & tfi @ IC/IB = 5
6
9
hFE, FORCED GAIN
12
Figure 14. Inductive Storage Time
http://onsemi.com
7
15
BUL44D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
700
1000
t fi , FALL TIME (ns)
600
500
TJ = 125°C
TJ = 25°C
t c , CROSSOVER TIME (ns)
IBoff = IBon
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
IC = 0.3 A
400
300
200
100
0
5
7
800
IC = 1 A
600
400
200
11
9
hFE, FORCED GAIN
13
0
15
3
Figure 15. Inductive Fall Time
900
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
500
400
300
IC/IB = 10
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
0.8
1.6
1.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3000
0
2
0.4
IB = 200 mA
2000
IC/IB = 20
1500
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
1000
IB = 500 mA
2.5
2
IC/IB = 10
2500
IB = 100 mA
1.5
1
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.6
1.2
0.8
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3000
IB = 50 mA
0.5
IC/IB = 20
Figure 18. Inductive Switching, tc
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
2000
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IC/IB = 10
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
IC/IB = 5
0
15
1000
Figure 17. Inductive Switching, tfi
0
12
500
200
100
IBoff = IC/2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
1500
IC/IB = 20
600
1000
9
hFE, FORCED GAIN
2000
700
0
0.4
6
Figure 16. Inductive Crossover Time
TJ = 125°C
TJ = 25°C
800
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IC = 0.3 A
IC = 1 A
3
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
500
3
0
Figure 19. Inductive Storage Time, tsi
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1
0.5
1.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 20. Inductive Storage Time, tsi
http://onsemi.com
8
2
BUL44D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
10
VCE
9
dyn 1 µs
90% IC
IC
8
dyn 3 µs
tfi
tsi
7
6
0V
Vclamp
5
10% IC
10% Vclamp
tc
4
90% IB
3
1 µs
IB
IB
90% IB1
1
2
2
1
3 µs
0
0
3
4
TIME
TIME
Figure 21. Dynamic Saturation
Voltage Measurements
6
7
Figure 22. Inductive Switching Measurements
VFRM
VF
VFR (1.1 VF unless
otherwise specified)
VF
tfr
0.1 VF
0
IF
10% IF
0
5
2
6
4
Figure 23. bis. tfr Measurements
http://onsemi.com
9
8
10
8
BUL44D2
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
+15 V
1 µF
150 Ω
3W
100 Ω
3W
VCE PEAK
MTP8P10
MPF930
MUR105
MPF930
+10 V
VCE
RB1
IB1
Iout
IB
A
50 Ω
500 µF
150 Ω
3W
IB2
RB2
MJE210
COMMON
IC PEAK
100 µF
MTP8P10
MTP12N10
1 µF
-Voff
V(BR)CEO(sus)
L = 10 mH
RB2 = ∞
VCC = 20 Volts
IC(pk) = 100 mA
http://onsemi.com
10
Inductive Switching
L = 200 µH
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
RBSOA
L = 500 µH
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
BUL44D2
TYPICAL CHARACTERISTICS
2.5
1 ms
5 ms
1
DC
0.1
0.01
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1 µs
10 µs
EXTENDED SOA
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
100
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1000
Figure 24. Forward Bias Safe Operating Area
TC ≤ 125°C
GAIN ≥ 4
LC = 500 µH
2
1.5
1
-5 V
0.5
0V
0
200
-1.5 V
300
400
500
600
700
800
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
900
Figure 25. Reverse Bias Safe Operating Area
POWER DERATING FACTOR
1
SECOND BREAKDOWN
DERATING
0.8
0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20
40
100
60
80
120
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
140
160
Figure 26. Forward Bias Power Derating
TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 27. At any
case temperatures, thermal limitations will reduce the power
that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown. For inductive loads, high
voltage and current must be sustained simultaneously during
turn–off with the base to emitter junction reverse biased. The
safe level is specified as a reverse biased safe operating area
(Figure 25). This rating is verified under clamped conditions
so that the device is never subjected to an avalanche mode.
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC–VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate. The data of Figure 24 is
based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on power
level. Second breakdown pulse limits are valid for duty
cycles to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second
breakdown limitations do not derate the same as thermal
limitations. Allowable current at the voltages shown on
Figure 24 may be found at any case temperature by using the
appropriate curve on Figure 26.
http://onsemi.com
11
BUL44D2
TYPICAL THERMAL RESPONSE
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
(NORMALIZED)
1
0.5
0.2
0.1
0.1
P(pk)
0.05
0.02
t1
SINGLE PULSE
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.01
0.1
1
RθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 2.5°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
10
100
1000
t, TIME (ms)
Figure 27. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUL44D2
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
440
BVCER (VOLTS)
1000
t fr , FORWARD RECOVERY TIME (ns)
1100
TJ = 25°C
900
BVCER (VOLTS) @ 10 mA
800
700
600
BVCER(sus) @ 200 mA
500
400
10
100
RBE (Ω)
420
400
380
360
340
320
300
1000
dI/dt = 10 A/µs
TC = 25°C
0
Figure 28. BVCER
1.5
0.5
1
IF, FORWARD CURRENT (AMP)
Figure 29. Forward Recovery Time tfr
http://onsemi.com
12
2
BUL44D2
PACKAGE DIMENSIONS
TO–220AB
CASE 221A–09
ISSUE AA
–T–
B
SEATING
PLANE
C
F
T
S
4
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
A
Q
1 2 3
U
H
K
Z
L
R
V
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
J
G
D
N
http://onsemi.com
13
INCHES
MIN
MAX
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
----0.080
MILLIMETERS
MIN
MAX
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
----2.04
BUL44D2
Notes
http://onsemi.com
14
BUL44D2
Notes
http://onsemi.com
15
BUL44D2
ON Semiconductor and
are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
NORTH AMERICA Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: [email protected]
Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support
German Phone: (+1) 303–308–7140 (Mon–Fri 2:30pm to 7:00pm CET)
Email: [email protected]
French Phone: (+1) 303–308–7141 (Mon–Fri 2:00pm to 7:00pm CET)
Email: [email protected]
English Phone: (+1) 303–308–7142 (Mon–Fri 12:00pm to 5:00pm GMT)
Email: [email protected]
CENTRAL/SOUTH AMERICA:
Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)
Email: [email protected]
Toll–Free from Mexico: Dial 01–800–288–2872 for Access –
then Dial 866–297–9322
ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support
Phone: 1–303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time)
Toll Free from Hong Kong & Singapore:
001–800–4422–3781
Email: [email protected]
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: [email protected]
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781
*Available from Germany, France, Italy, UK, Ireland
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
http://onsemi.com
16
BUL44D2/D