European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information FZ 1800 R 16 KF4 61,5 61,5 13 190 31,5 1 171 57 2 4 3 C C C E M4 M8 E E 4,0 tief C 2,5 tief 28 G E 7 8 6 20,25 5 7 41,25 (for M6 screw) 79,4 external connection to be done C C C E E E C G E external connection to be done VWK, 27.6.1997 FZ 1800 R 16 KF4 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collctor current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulating test voltage Vorläufige Daten Preliminary data tp=1 ms tC=25°C, Transistor /transistor tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min. VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Emitter-Schwellspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom gate threshold voltage input capacity collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (induktive Last) gate leakage current gate leakage current turn-on time (induktive load) Speicherzeit (induktive Last) Fallzeit (induktive Last) storage time fall time (inductive load) iC=1,8kA,vGE=15V, t vj=25°C iC=1,8kA,vGE=15V, t vj=125°C iC=120mA, vCE=vGE, tvj=25°C fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V,v GE=0 vCE=1600V, v GE=0V, t vj=25°C vCE=1600V, v GE=0V, t vj=125°C vCE=0V, vGE=20V, t vj=25°C vCE=0V, vGE=20V, t vj=25°C iC=1,8kA,vCE=900V vL=15V,R G=1,2 , tvj =25°C vL=15V,R G=1,2 , tvj=125°C iC=1,8kA,vCE=900V vL=15V,R G=1,2 , tvj =25°C vL=15V,R G=1,2 , tvj=125°C iC=1,8kA,vCE =900V vL =15V,R G=1,2 , t vj =25°C vL=15V,R G=1,2 , tvj=125°C vCE sat vGE(th) Cies iCES iGES iEGS ton ts tf 1600 1800 3600 11 +/- 20 1800 3600 3,4 V A A kW V A A kV min. typ. max 4,5 - 3,5 4,6 5,5 270 12 120 - 3,9 5,0 6,5 600 600 - 0,8 1,0 - µs - µs - 1,1 1,3 - µs - µs - 0,25 0,30 - µs - µs V V V nF mA mA nA nA Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor / transistor Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy lost per puls Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy lost per puls Inversdiode / Inverse diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge i C=1,8kA,vCE=900V,LS =50nH vL=15V,R G=1,2 , tvj =125°C i C=1,8kA,vCE=900V,LS =50nH vL=15V,R G=1,2 , tvj =125°C Eon - 750 - mWs Eoff - 450 - mWs iF=1,8kA, vGE=0V, t vj=25°C iF=1,8kA, vGE=0V, t vj=125°C iF=1,8kA, -diF/dt=600A/µs vRM=900V, v EG=10V, t vj=25°C vRM=900V, v EG=10V, t vj=125°C iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs vRM=900V, v EG=10V, t vj=25°C vRM=900V, v EG=10V, t vj=125°C VF - 2,4 2,2 2,8 V - V - 1100 1300 - A - A - 180 400 IRM Qr - µAs - µAs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Übergangs-Wärmewiderstand Höchstzul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Diode, DC thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module max. junction temperature pro Module / per Module Diode / diode operating temperature storage temperature RthJC 0,011 °C/W 0,027 °C/W RthCK tvj max tc op 0,006 °C/W 150 °C -40...+125 °C -40...+125 °C tstg Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Innere Isolation Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse case, see appendix internal insulation mounting torque terminal connection torque Gewicht weight terminals M6 / tolerance +/-15% terminals M4 / tolerance +5%/-10% terminals M8 M1 M2 G Seite 3 Al2O3 5 2 8...10 ca.2300 Bedingungen für den Kurzschlußschutz Conditions for short-circuit protection tfg=10µs, vLF=vLR = 15V, RGF=RGR = 1,2 tvj=125°C Unabhängig davon gilt bei abweich. Bedingungen / with regard to other conditions v CEM = VCES -12 nH x Idic/dtI VCC=1000V VCEM=1300V iCMK1 18000A iCMK2 13500A Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit dem zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256 Nm Nm Nm g FZ 1800 R 16 KF4 4000 3000 3000 iC [A] iC [A] 2000 VGE = 20V 15V 12V 2000 10V 9V 1000 1000 8V 0 1 2 3 4 5 0 1 vCE [V] FZ 1800 R 16 KF4 2 3 4 5 vCE [V] FZ 1800 R 16 KF4 Bild / Fig. 2 Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) tvj = 125 °C Bild / Fig. 1 Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) VGE = 15 V tvj = 25 °C tvj = 125 °C 4000 4000 tvj= 125°C 25°C 3000 iC [A] 3000 iC [A] 2000 2000 1000 1000 0 5 6 7 8 9 10 11 12 0 0 v GE [V] FZ 1800 R 16 KF4 500 1000 1500 Bild / Fig. 3 Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) VCE= 20V 2000 vCE [V] FZ 1800 R 16 KF4 Bild / Fig. 4 Rückwärts-Arbeitsbereich Reverse biased safe operating area tvj = 125°C,vLF = vLR = 15V, RG = 1.2 10-1 4000 6 4 Diode Z(th)JC [°C/W] 10-2 IGBT 6 4 3000 iF [A] 2000 2 10-3 1000 6 4 2 10-4 10-3 2 4 6 10-2 2 4 6 10-1 FZ 1800 R 16 KF4 Bild / Fig. 5 Transienter innerer Wärmewiderstand (DC) Transient thermal impedance (DC) 2 4 6 100 2 t [s] 4 6 101 0 0 0,5 1,0 1,5 2,0 FZ 1800 R 16 KF4 Bild / Fig. 6 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward charateristic of the inverse diode (typical) tvj = 25°C tvj = 125°C 2,5 3,0 v F [V] 3,5