华晶分立器件 3DA3101 高频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DA3101 硅 NPN 型超高频大功率晶体管 主要用于 VHF 民用通讯电台中作超高频功率放大 其特点如下 特征频率高 漏电流小 低电压工作性能好 饱和压降低 电流特性好 8.64 9.39 封装形式 B4(A3-02B) 2 电特性 45 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A 8.50 6.60 8.01 6.10 额定值 17 35 4 1.0 1.0 10 150 -55 150 25.0 符号 VCE0 VCB0 VEB0 IC W 12.5 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 E B C 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 ICB0 IEB0 VCB=30V, IE= 0 VEB=3V, IC= 0 hFE VCE=5V, IC=100 mA VCE sat 特征频率 fT 输出电容 Cob 测 试 条 件 IC=500mA,IB=100 mA VCE=12V, IC=100 mA f=100MHz VCB=12V, IE=0 f=1MHz 规 范 值 最小 典型 最大 0.1 0.1 50 单位 mA mA 150 0.6 700 V MHz 12 pF 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DA3101 3 特性曲线 安全工作区(直流) Ptot - T 关系曲线 IC (A) Ptot (W) Tcase=25 8 Ptot - Tcase 1 6 4 0.1 2 0.01 0.1 1 VCE (V) 10 Ptot– Tamb 0 hFE - Ic 关系曲线 hFE VCEsat (V) Tamb=25 VCE=5V 50 T( ) 100 VCEsat - Ic 关系曲线 Tamb=25 IC/IB=5 1 100 0.1 10 0.001 0.01 0.1 IC (A) 第 2 页 0.1 共 2 页 1 IC (A)